邵天奇
- 作品数：3 被引量：32H指数：3
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放课题基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 高介电常数材料在半导体存储器件中的应用被引量：25
- 2002年
- 高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性 ,同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性 ,可实现具有特殊性能的新型器件。文中主要介绍几类常用的高介电常数材料的特性和制备方法 。
- 邵天奇任天令李春晓朱钧
- 关键词：高介电常数材料铁电体氮化物
- 硅基PZT薄膜的制备与工艺损伤被引量：3
- 2003年
- 以 Pb Ti O3(PT)作为种子层 ,在 Si衬底上用改进的溶胶凝胶法制备了 PZT薄膜 ,并用 RIE法刻蚀形成 MFM(金属铁电层金属 )结构的电容 ,以用于铁电随机存取存储器 (Fe RAM)中。测得 PZT薄膜相对介电常数、矫顽场和剩余极化强度分别为 10 0 0 ,30 k V/ cm和 16 μC/ cm2 ,漏电流在 0 .1n A / cm2 量级 ,达到 Fe RAM的应用要求。铁电膜与CMOS电路集成时对铁电膜的铁电性可能造成的工艺损伤(如刻蚀损伤、氢损伤和应力损伤等 )的物理机制进行了初步研究和讨论 。
- 魏朝刚任天令邵天奇王小宁李春晓刘理天朱钧
- 关键词：铁电薄膜溶胶-凝胶法介电常数矫顽场
- 应用于DRAM的BST薄膜制备与性能研究被引量：4
- 2002年
- BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料。用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了较高品质的BST薄膜。系统地研究了在不同退火条件下薄膜的结晶情况、微结构和电学性能。在室温100kHz下,薄膜的介电常数为230。在3V的偏压下,薄膜的漏电流密度为1.6×10-7A/cm2。利用HCl/HF刻蚀溶液成功获得了分辨率达到微米量级的BST薄膜微图形。
- 王小宁刘建设任天令赵宏锦邵天奇刘理天
- 关键词：DRAMBST薄膜溶胶-凝胶法刻蚀动态随机存取存储器钛酸锶钡
