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金钢

作品数：23 被引量：7H指数：2
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇自动化与计算...
  • 5篇电子电信

主题

  • 22篇存储器
  • 15篇电阻
  • 6篇随机存储器
  • 6篇编程
  • 5篇功耗
  • 4篇读操作
  • 4篇译码
  • 4篇译码器
  • 4篇工艺波动
  • 4篇存储阵列
  • 3篇嵌入式
  • 3篇存储介质
  • 3篇存储器设计
  • 2篇低功耗
  • 2篇地址线
  • 2篇电路
  • 2篇电平转换
  • 2篇电平转换器
  • 2篇电压
  • 2篇读写

机构

  • 23篇复旦大学
  • 1篇中芯国际集成...

作者

  • 23篇金钢
  • 22篇林殷茵
  • 17篇张佶
  • 12篇吴雨欣
  • 5篇解玉凤
  • 4篇尹明
  • 3篇陈怡
  • 2篇谢玉凤
  • 1篇闵昊
  • 1篇简文翔
  • 1篇闫娜
  • 1篇王明
  • 1篇陈邦明
  • 1篇徐乐
  • 1篇彭巍
  • 1篇毕中裕
  • 1篇吴金刚
  • 1篇黄晓辉

传媒

  • 2篇复旦学报（自...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇半导体技术

年份

  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 8篇2011
  • 7篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
抗功耗分析攻击的电阻随机存储器、读电路及其读操作方法
本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种抗功耗分析攻击的电阻随机存储器、读电路及其读操作方法。本发明提供的电阻随机存储器包括第一存储电阻、用于选通所述第一存储电阻的第一选通管、第二存储电阻、以及用于选通所述第二存储电阻...
林殷茵金钢张佶解玉凤
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一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器
本发明提供一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器(Resistance RandomAccess Memory，RRAM)的结构及实现方式，属于存储器技术领域。该电阻随机存储器包括存储阵列、行译码器、列译码器、列选通管、...
林殷茵吴雨欣张佶金钢
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一次可编程电阻型存储器测试方法
本发明属于存储器技术领域，涉及一种一次可编程电阻型存储器测试方法。本发明利用一次可编程电阻型存储器的存储介质具有多次擦写容限的能力，在测试过程中进行擦除操作验证、存储功能验证和可靠性作测试。利用该测试方法可以大大提高一次...
林殷茵尹明金钢吴雨欣张佶
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降低初始化或置位操作功耗的电阻随机存储器及其操作方法
本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种降低初始化或置位操作功耗的电阻随机存储器及其操作方法。该电阻随机存储器通过增加反馈电阻和比较器，实时反馈电阻随机存储器中存储电阻在初始化操作或者位置操作时电阻状态的变化，可以省去...
林殷茵金钢
基于嵌入式应用的阻变存储器设计
随着超大规模集成电路的发展,使得人们能够把包括处理器、存储器、模拟电路、接口逻辑集成到一个大规模的芯片上,形成所谓的SOC（片上系统）。嵌入式非易失性存储器已成为当今许多SOC系统解决方案的一个重要组成部分。传统的嵌入式...
金钢
关键词：RRAM非易失性存储器电荷泵
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一次可编程电阻随机存储器、读写电路及其编程方法
本发明属于电阻随机存储器技术领域，具体为一种一次可编程(OTP)电阻随机存储器、读写电路及其编程方法。该OTP电阻随机存储器利用OTP电阻随机存储器采用对称的2T2R结构、并依靠分别通过两个存储电阻R的电流大小的相互比对...
林殷茵金钢
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选通管复用结构的电阻存储器、阵列及其读操作方法
本发明属存储器技术领域，涉及一种选通管复用结构的电阻存储器、阵列及其读操作方法。本发明的电阻存储器中包括一条用于读取数据的冗余位线和一个冗余存储电阻，读操作时，流过选中位线的电流与流过冗余位线的电流进行比较，可以读出选中...
林殷茵张佶金钢谢玉凤
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一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法
本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的...
林殷茵金钢尹明张佶吴雨欣解玉凤
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基于0.13m标准逻辑工艺的1Mb阻变存储器设计与实现被引量：4
2011年
采用了SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计并实现了一个1 Mb容量的基于1T1R结构的阻变存储器。描述了整个芯片的基本存储单元、存储器架构以及特殊的电路设计技术,包括优化的存储器架构、用于降低reset功耗的多电压字线驱动、使电阻分布更紧凑的斜坡脉冲写驱动以及可验证的读取参考系统。芯片实现了22F2的存储单元特征尺寸,小于30μA的reset电流和2个数量级的可擦写次数的提高。
金钢吴雨欣张佶黄晓辉吴金刚林殷茵
一种相变存储器单元及其操作方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种高可靠性、高密度相变存储器单元及其存储操作方法，由两个相变存储单元和两个选通三极管来构成一个存储单元。两个相变存储单元和两个选通三极管共用同一条字线，而与不同的位线相连。其优点在于：在...
林殷茵徐乐张佶金钢
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