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张佶

作品数：27 被引量：7H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 4篇电子电信
  • 1篇经济管理

主题

  • 26篇存储器
  • 15篇电阻
  • 7篇工艺波动
  • 6篇电路
  • 6篇读操作
  • 5篇电路技术
  • 5篇微电子
  • 5篇相变
  • 5篇相变存储
  • 5篇集成电路
  • 5篇集成电路技术
  • 4篇译码
  • 4篇译码器
  • 4篇随机存储器
  • 4篇相变存储器
  • 4篇编程
  • 4篇存储阵列
  • 3篇动态存储器
  • 3篇堆叠
  • 3篇写操作

机构

  • 27篇复旦大学
  • 1篇中芯国际集成...

作者

  • 27篇张佶
  • 25篇林殷茵
  • 20篇吴雨欣
  • 17篇金钢
  • 9篇徐乐
  • 8篇薛晓勇
  • 8篇胡倍源
  • 7篇廖启宏
  • 5篇解玉凤
  • 4篇尹明
  • 3篇陈怡
  • 2篇谢玉凤
  • 1篇王明
  • 1篇廖高宏
  • 1篇吴金刚
  • 1篇黄晓辉

传媒

  • 2篇复旦学报（自...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 7篇2011
  • 7篇2010
  • 6篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2002
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一次可编程电阻型存储器测试方法
本发明属于存储器技术领域，涉及一种一次可编程电阻型存储器测试方法。本发明利用一次可编程电阻型存储器的存储介质具有多次擦写容限的能力，在测试过程中进行擦除操作验证、存储功能验证和可靠性作测试。利用该测试方法可以大大提高一次...
林殷茵尹明金钢吴雨欣张佶
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一种不挥发动态存储器
本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法。存储器包括数个存储单元，每个存储单元位于两条字线与一条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元和一个动态存储单元，其中相变存储单元由第...
林殷茵张佶薛晓勇吴雨欣廖启宏胡倍源徐乐
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一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法
本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的...
林殷茵金钢尹明张佶吴雨欣解玉凤
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抗功耗分析攻击的电阻随机存储器、读电路及其读操作方法
本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种抗功耗分析攻击的电阻随机存储器、读电路及其读操作方法。本发明提供的电阻随机存储器包括第一存储电阻、用于选通所述第一存储电阻的第一选通管、第二存储电阻、以及用于选通所述第二存储电阻...
林殷茵金钢张佶解玉凤
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一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器
本发明提供一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器(Resistance RandomAccess Memory，RRAM)的结构及实现方式，属于存储器技术领域。该电阻随机存储器包括存储阵列、行译码器、列译码器、列选通管、...
林殷茵吴雨欣张佶金钢
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一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充...
林殷茵吴雨欣张佶薛晓勇徐乐胡倍源廖启宏
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基于0.13m标准逻辑工艺的1Mb阻变存储器设计与实现被引量：4
2011年
采用了SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计并实现了一个1 Mb容量的基于1T1R结构的阻变存储器。描述了整个芯片的基本存储单元、存储器架构以及特殊的电路设计技术,包括优化的存储器架构、用于降低reset功耗的多电压字线驱动、使电阻分布更紧凑的斜坡脉冲写驱动以及可验证的读取参考系统。芯片实现了22F2的存储单元特征尺寸,小于30μA的reset电流和2个数量级的可擦写次数的提高。
金钢吴雨欣张佶黄晓辉吴金刚林殷茵
一种相变存储器单元及其操作方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种高可靠性、高密度相变存储器单元及其存储操作方法，由两个相变存储单元和两个选通三极管来构成一个存储单元。两个相变存储单元和两个选通三极管共用同一条字线，而与不同的位线相连。其优点在于：在...
林殷茵徐乐张佶金钢
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一种带读电压偏置NMOS晶体管的电阻转换存储器
本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种带读电压偏置NMOS晶体管的电阻转换存储器。本发明通过在读电路模块和位线之间增加用于偏置存储阵列的预定读操作电压的NMOS晶体管，消除电路在读电路模块中由于工艺波动性等因素带来的...
林殷茵吴雨欣张佶金钢陈怡
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高密度阻变存储器的设计
本文以阻变存储器的高密度解决方案为中心,针对阻变存储器易于与逻辑工艺兼容的特点对高密度阻变存储器阵列结构进行了探索性的研究。本文首先对阻变存储器关键外围电路模块进行了设计,包括用于读取存储电阻状态的灵敏放大器以及改写存储...
张佶
关键词：RRAM灵敏放大器
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