陈慧娟
- 作品数：6 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- X射线衍射技术对InSb材料的无损检测
- 运用X射线衍射技术,对InSb材料的结晶质量进行检测,是判定InSb材料质量的重要方法之一。采用2θ-ω对称扫描,对(111)、(333)、(044)不同衍射面进行了ω扫描,得到了InSb不同衍射面之间强度和半峰宽度的规...
- 王武杰赵岚陈慧娟何英杰傅月秋鲁正雄
- 关键词：X射线衍射技术无损探伤半导体材料
- 文献传递
- 高Al组分AlGaN肖特基二极管研制
- 2007年
- 制备了高Al组分AlxGa1-xN肖特基二极管(x≥0.4),并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化。计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度。退火后势垒高度由0.995 eV提高到1.1689eV,理想因子由1.699增大为1.934,器件的接触特性得到改善,在-5V时,暗电流密度减小为1.025×10-6 A/cm2。
- 赵鸿燕司俊杰丁嘉欣成彩晶张亮张向锋陈慧娟
- 关键词：势垒高度
- 生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响被引量：1
- 2008年
- 采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb（100）衬底上外延生长InAs（4ML）／GaSb（8ML）超晶格（SLs）。研究了生长温度（400～440℃）对超晶格晶体结构和表面形貌的影响。结果表明，420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小，其荧光光谱（PL）峰值波长在约2．54μm处，响应光谱50％截止波长在约2．4μm处。通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面，并发现生长温度强烈影响混合界面InAs／GaSb超晶格结构和表面形貌，而对InSb界面超晶格的影响较小。
- 郭杰孙维国陈慧娟彭震宇鲁正雄郝瑞亭周志强许应强牛智川
- 关键词：INAS/GASBXRD生长温度
- X射线衍射技术对InSb材料的无损检测被引量：1
- 2008年
- 采用2θ-ω对称扫描,对(111)、(333)、(044)不同衍射面进行了ω扫描,得到了InSb不同衍射面之间强度和半峰宽度的规律;对晶片上不同位置进行了同一衍射面的ω扫描,得到半峰宽度的mapping,此外,还对材料进行了倒易空间(RSM)扫描。测试结果表明InSb材料结晶质量完好,均匀性好,符合制造良好光电器件的标准。
- 王武杰赵岚陈慧娟何英杰傅月秋鲁正雄
- 关键词：INSBX射线衍射
- InAs/GaSb超晶格红外探测器台面湿法腐蚀研究被引量：7
- 2008年
- 研究了不同腐蚀体系对InAs/GaSb超晶格材料台面的刻蚀,并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系。该体系较适合InAs/GaSb超晶格材料的刻蚀,刻蚀速率稳定,下切效应小。进一步研究发现当HF达到一定浓度后不再影响刻蚀速度;在较低的酒石酸和双氧水浓度下,刻蚀速度是由氧化过程控制,且反应速度和双氧水的浓度成正比。腐蚀液配比为酒石酸(3.5g)∶H2O2(4mL)∶HF(1mL)∶H2O(400mL),刻蚀速度约为0.5μm/min。
- 陈慧娟郭杰丁嘉欣鲁正雄彭振宇孙维国
- 关键词：超晶格台面刻蚀
- 退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管光电性能的影响被引量：2
- 2007年
- 研究了不同条件下的退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管性能的影响。研究结果表明,合适的退火条件既能使AlGaN与电极之间形成良好的欧姆接触,同时又能显著降低AlGaNP-I-N二极管的反向漏电流,反偏压5V时,暗电流密度由2.0×10-1A/cm2降为5.7×10-5A/cm2,串阻由18.01kΩ减小到1.071kΩ,从而优化了AlGaN P-I-N二极管的I-V特性。分析认为这与退火改善接触电极特性,同时消除器件制备工艺中引入的损伤、降低缺陷态密度有关。
- 赵鸿燕司俊杰鲁正雄成彩晶丁嘉欣张亮陈慧娟
- 关键词：ALGAN退火欧姆接触
