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鞠玉林

作品数：20 被引量：21H指数：2
供职机构：河北工业大学更多>>
发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 9篇中子
  • 8篇直拉硅
  • 8篇中子辐照
  • 8篇硅片
  • 6篇半导体
  • 4篇单晶
  • 4篇电镜
  • 4篇电镜观察
  • 4篇直拉硅单晶
  • 4篇退火
  • 4篇硅单晶
  • 4篇硅片加工
  • 3篇体缺陷
  • 3篇中子嬗变
  • 3篇中子嬗变掺杂
  • 3篇晶体
  • 3篇晶体缺陷
  • 3篇半导体器件
  • 2篇电路
  • 2篇电路工艺

机构

  • 14篇河北工业大学
  • 6篇河北工学院
  • 1篇华中师范大学

作者

  • 20篇鞠玉林
  • 10篇李养贤
  • 9篇任丙彦
  • 7篇徐岳生
  • 7篇张维连
  • 5篇梁秀红
  • 4篇崔德升
  • 2篇梁金生
  • 1篇丁晓夏
  • 1篇唐成春
  • 1篇姜卫红
  • 1篇祁守仁
  • 1篇甘仲惟
  • 1篇黄新堂
  • 1篇牛萍娟
  • 1篇刘彩池

传媒

  • 2篇河北工业大学...
  • 2篇电子显微学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇河北工业大学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇核技术
  • 1篇海洋技术
  • 1篇第六次全国电...

年份

  • 4篇2000
  • 2篇1998
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 3篇1994
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 4篇1990
  • 2篇1989
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
直拉硅片缺陷的控制与利用
徐岳生张维连任丙彦鞠玉林陈炳贤高秀清
该项目属半导体科学技术，是八十年代兴起的半导体“缺陷工程”的内容。在国内外兆位级集成电路生产工艺，须采用硅片吸除技术。在众多的吸除工艺中，内吸除最引人注意。常规的内吸除主要是对直拉硅片进行一步、二步或三步退火，实现直拉硅...
关键词：
关键词：中子辐照
硅半导体器件用硅片的缺陷控制方法
一种硅半导体器件用硅片的缺陷控制方法。该方法是将达到器件目标电阻率的硅单晶先用快中子流照射，然后进行硅片加工，合格的硅片直接送入硅器件制造的第一道热工序的扩散炉内，在高纯气氛的保护下，随炉升温到该工序要求的温度，进行第一...
徐岳生张维连任丙彦鞠玉林李养贤梁金生
中子辐照直拉硅中缺陷的电镜观察被引量：1
1994年
中子辐照直拉硅中缺陷的电镜观察李养贤，鞠玉林（河北工学院材料研究中心，天津３００１３０）随着大规模、超大规模集成电路的发展，对半导体硅材料提出了更严格的要求。因为硅片内的缺陷会严重影响器件的电参数和成品率，也是导致器件失效的主要原因。制备完美晶体、消...
李养贤鞠玉林
关键词：半导体材料晶体缺陷电子显微镜
砷化镓晶体缺陷显示的可靠性分析
1998年
为了提高砷化镓缺陷检测的可靠性，对熔融ＫＯＨ腐蚀法、ＡＢ腐蚀法和超声ＡＢ腐蚀法三种腐蚀方法进行了可靠性对比实验研究．发现超声ＡＢ腐蚀法操作简便，适用范围广，显示缺陷的可靠性和充分性都很高．同时具有分辨能力强，获得缺陷信息量多等特点，是一种值得推广的ＧａＡｓ晶体缺陷检测方法．作者提出了超声ＡＢ腐蚀检测ＧａＡｓ晶体缺陷的检测工艺条件．并提供了部分有代表性的照片．可作有关部门在今后修订国家标准时参考．
梁秀红姜卫红鞠玉林
关键词：晶体缺陷可靠性砷化镓晶体半导体
功率器件生产过程中对硅片电阻率下滑的补偿
2000年
用于制造功率器件的中子辐照区熔硅片 ,在经过 12 50℃、 4 0 h高温扩硼后 ,硅片体内电阻率下滑。本文通过实验表明了高温退火后硅片的冷却速率及硅片的厚度对电阻率的影响非常明显。并且介绍了将高温退火电阻率下降的硅片通过低温退火工艺对其进行电阻率补偿的方法。
梁秀红鞠玉林
关键词：电阻率功率器件硅片
硅半导体器件用硅片的缺陷控制工艺
一种硅半导体器件用硅片的缺陷控制工艺。该工艺是将达到器件目标电阻率的硅单晶先用快中子流照射，然后进行硅片加工，合格的硅片直接送入硅器件制造的第一道热工序，在高纯气氛的保护下，随炉升温到该工序要求的温度进行第一道热工序，该...
徐岳生张维连任丙彦鞠玉林李养贤梁金生
文献传递
中子辐照对硅片表面氧化层错的抑制作用被引量：2
1995年
对硅片表面氧化层错形成机理进行了探讨。并通过中子辐照在直拉硅中引入缺陷，利用辐照缺陷和硅中氧的相互作用，强烈抑制硅片表面氧化层错的产生。
李养贤鞠玉林刘彩池
关键词：中子辐照硅片
中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺
一种中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺，其工序是：将自然直拉硅单晶进行中子嬗变掺杂，清洗处理后，送入经过清洗处理的高温扩散炉内进行热退火。该工艺可与器件制造中的热工序结合，因此可以大大节省工时和能耗。经过此工艺处理的硅单晶可得...
徐岳生张维连任丙彦林秀俊鞠玉林吕淑求崔德升
CMOS器件用硅片的缺陷控制和利用工艺
一种半导体材料的处理方法，特别是CMOS器件用硅片缺陷控制和利用工艺，其工序是先将自然直拉硅单晶进行中子辐照，然后进行切、磨、抛等硅片加工，合格的硅抛光片清洗处理后，直接进行CMOS集成电路工艺制造的第一道热工序。该工艺...
徐岳生张维连任丙彦林秀俊鞠玉林吕淑求崔德升
文献传递
NTDCZSi中辐照缺陷的电镜观察
＜正＞ 利用硅中固有杂质与缺陷的相互作用来改善硅片质量以适应硅器件日趋严格的技术要求,逐步形成了目前的“缺陷工程”的内容,而将直拉硅（czsi）进行中子嬗变掺杂（NTD）不仅解决了掺杂的均匀性问题,且因大剂量中子辐照在c...
李养贤鞠玉林
文献传递
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共2页<12>
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