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SOI基SiOx柱光子晶体的研究: 人类科技的进步很大程度上是基于新材料的发现与应用，光子晶体作为新型的人工材料，由于其具有光子禁带和光子局域的特性，使光子晶体制作的光学器件拥有传统光学器件无法比拟的优势。绝缘体上的硅(SOI)是突破目前体硅材料极限最主要...; 马桂杰; 关键词：光子晶体晶体结构晶体光学; 文献传递

铒离子注入绝缘体上Si的射程分布研究被引量：1: 2014年; 利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布和横向离散规律等是很重要的.用200—500 keV能量的铒(Er)离子注入SOI(silicon-on-insulator,绝缘体上的硅)样品中,利用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了剂量为2×1015cm-2的Er离子注入SOI的平均投影射程Rp和射程离散△Rp,把测出的实验值和SRIM软件得到的理论计算值进行了比较,发现平均投影射程Rp的实验值跟理论计算值符合较好,射程离散△Rp的实验值和理论计算值差别大一些.; 秦希峰马桂杰时术华王凤翔付刚赵金花; 关键词：离子注入

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马桂杰