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龚敏

作品数：186 被引量：333H指数：7
供职机构：四川大学更多>>
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相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

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领域

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  • 9篇功耗
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机构

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作者

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传媒

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年份

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  • 15篇2006
  • 4篇2005
  • 5篇2004
共 186 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
6H-SiC热氧化层高温漏电及红外光谱表征研究被引量：2
2010年
对6H-SiC衬底上热氧化生长的SiO2层进行了不同温度退火后的高温漏电流研究。根据SiO2层红外反射特征光谱的变化,研究了SiO2结构变化对高温I-V特性影响的机理。研究认为,可以通过低温高温两步退火工艺改善6H-SiC衬底上热氧化生长SiO2层的质量。
曹群牟维兵杨翰飞杨治美龚敏
关键词：SIC
基于FPGA的二维图像空域滤波电路设计被引量：1
2019年
基于傅里叶变换轮廓术的三维面型重建过程,需要从形变条纹图像中提取出模度图与幅角图,现有的软件处理方式不能满足实时成像的要求。采用现场可编程门阵列(FPGA)并行计算的特点设计二维空域滤波电路,对原始图像进行二维卷积以代替频域滤波。这一方式有效地提取了所需频率,同时减少对硬件资源的占用。基于Altera CycloneⅣ EP4CE115F29C7N FPGA器件的测试结果表明,50 MHz的时钟频率下完成零频与基频分量的提取,得到模度图与幅角图仅需16.8 ms。
林志滨高博龚敏
关键词：空域滤波FPGA三维重建
标准单元可制造性分级
2008年
随着制造工艺尺寸的缩小,可制造性不只是工厂需要关注的问题,更是设计者需要考虑的重点,从而提高良率和版图面积的利用率。为了使设计者更好地理解和控制可制造性,对标准单元的可制造性分级显得尤为重要。用加权重的方法对标准单元进行可制造性分级,该方法不但包含可制造性规则对版图的约束,还创新性地把工艺参数变化对其造成的影响考虑了进去。用一套简化的可制造性规则和版图来演示此种分级方法的实现,并用模拟结果验证了它的有效性。该分级方法具有统一性和标准性,可以被广泛采用。
张子文龚敏陈岚
关键词：可制造性光刻模拟
集电极偏置电流对硅npn晶体管γ辐照效应的影响被引量：2
2007年
对硅npn双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流条件下γ辐照的总剂量效应进行了研究.结果表明,npn晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加;尤其是实验中发现:在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电流的增加,晶体管的辐照损伤程度却在减轻.空间电荷模型的观点并不能很好地解释辐照损伤与辐照集电极偏置电流的关系.文章对空间电荷模型进行了修正,认为除氧化物俘获电荷和界面俘获电荷外,还会在外基区Si-SiO2界面附近形成电中性的电偶极子.利用修正后的理论可以很好地解释所有的实验结果.
程兴华王健安龚敏石瑞英蒲林刘伦才郭丰杨晨
关键词：总剂量效应电偶极子
利用红外反射光谱法研究6H-SiC表面的SiO_2特性被引量：6
2003年
通过干氧氧化的方法,在6H SiC表面生长一层SiO2层,接着置于N2气氛中经过不同的温度退火,使用红外显微仪分别测量退火前后的红外反射谱,通过观测表面氧化层SiO2的红外反射谱图中特征反射峰位(1090cm-1附近)的变化,以判断退火前后表面氧化层密度的变化情况,进一步推断氧化层的结构变化与杂质类型.
刘洪军王鸥邬瑞彬龚敏
关键词：6H-SICSIO2红外反射退火
一种产生正负倍压的电荷泵的优化设计被引量：1
2006年
通过对传统的电荷泵进行结构改进和参数优化,得到了一种高效率、低功耗的电荷泵,并阐述了电荷泵的工作原理,分析了影响功耗和效率的因素。该电荷泵通过检测输出电压来控制泵压,大大降低了功耗;同时,再对开关管进行参数优化,进一步减小了功耗。最后,将该优化后的电荷泵应用到RS-232C串口通信电路中。通过仿真,对其性能进行了验证,并与传统电荷泵进行了比较。
尚晓丹王继安张佳王娜李威龚敏
关键词：电荷泵RS-232C
一种用于采保电路的宽带高增益放大器的设计
2007年
分析了跨导运算放大器的电路结构,采用两级放大电路,考虑到全差分结构中要使用共模反馈,用共源共基和共源共栅电路来实现电路的设计。同时对部分性能指标进行了优化,其中包括增益非线性引入的误差和不完全建立误差。设计了一种宽带高增益跨导放大器,利用0.35μm Bi CMOS工艺条件下,Spectre仿真得到运算放大器的开环增益大于60 dB,单位增益带宽可达2.1 GHz,输出摆幅能达到1.5 V。
庞世甫王继安张冰李汇李崴龚敏
关键词：运算放大器共源共栅共模反馈
自组装制备硅纳米线阵列及其光致发光特性研究被引量：5
2009年
用微电化学催化腐蚀法制备了硅纳米线阵列,通过扫描电镜(SEM)观察了样品的表面形貌。用荧光光谱仪测量了有序硅纳米线阵列的光致发光特性,发现当激发波长增加时,有序硅纳米线阵列的光致发光峰位单调红移,发光强度也单调增强。对比多孔硅的发光机理和现有实验条件,对有序硅纳米线阵列可能的发光机理进行了讨论。
李智伟陈浩宋华冰余洲杨治美高艳丽张云森刘俊刚龚敏孙小松
关键词：多孔硅光致发光光谱扫描电镜发光机理
多能氦离子注入对W金属微结构的影响被引量：2
2017年
利用SEM和慢正电子束分析(SPBA)方法研究了不同注量的多能氦离子注入和注氦后不同温度退火的多晶W中He相关缺陷的演化机制。结果表明,W材料中由多能氦离子注入引入的空位型缺陷数目随着He+注量的升高而增大;220℃退火引起注氦W样品中的间隙W原子与空位的复合,降低了材料中的空位型缺陷数目;450℃和650℃退火的注氦W材料中形成了He泡,He泡尺寸与退火温度有关,650℃退火的样品中观测到直径达600 nm的大尺寸He泡和孔洞结构。
王康邓爱红龚敏卢晓波张元元刘翔
关键词：WHE正电子湮没
K波段高功率放大器MMIC设计被引量：1
2018年
基于GaAs p HEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了一款K波段GaAs功率放大器电路。根据阻抗匹配电路、三级级联放大结构来实现输出功率为2 W的K波段GaAs功率放大器。采用ADS软件对电路原理图进行了电学参数优化、版图绘制和电磁场仿真。采用0.25μm栅长GaAs p HEMT工艺完成电路的设计,放大器输出输入端口均匹配到50Ω。ADS仿真表明,功率放大器工作在21~24.5 GHz时,该放大器的输出功率大于33 d Bm,功率附加效率大于25%,功率增益大于19 d B,电路尺寸为2.5 mm×3.2 mm。
陆雨茜陈华康高博龚敏
关键词：砷化镓K波段单片微波集成电路功率放大器高功率
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