杨治美
- 作品数：34 被引量：35H指数：3
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生一般工业技术更多>>
- 辐照诱生单晶硅复介电常数的新奇现象
- 李芸苏平杨治美马瑶龚敏
- 一种浮空p柱的槽栅超结IGBT
- 本发明提供了一种超结IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）器件，其耐压层中的第二导电类型的半导体区浮空并且其槽型栅极结构的底部被重掺杂的第二导电类型的半导体区包...
- 马瑶黄铭敏杨治美
- 文献传递
- 3C-SiC薄膜反向外延生长工艺的研究被引量：2
- 2015年
- 本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以甲烷CH4作为反应碳气体源,氢气H2作为稀释气体,将两者混合后,在n型Si(111)衬底上反向外延生长n型3C-SiC薄膜。采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(RAM)及扫描电子显微镜(SEM)对生长的3C-SiC薄膜进行测试和分析。对比在相同的反应温度下,不同的热处理方式对生长的3C-SiC薄膜质量的影响,进一步探讨SiC薄膜反向外延生长工艺的改进方法。结果表明,较慢的降温速率能够生长出质量较高的3C-SiC薄膜。
- 罗杰斯王磊杨治美龚敏
- 关键词：硅衬底
- LPCVD Si基转换生长3C-SiC薄膜的光学性质初探
- 在理论上,纯度较高、未经掺杂的间接带隙的3C-SiC半导体材料,在室温条件下是很难观察到荧光现象,但Si基上生长3C-SiC晶体薄膜一般需要较高的生长温度,在SiC-Si界面晶格失配和热膨胀系数的差异会形成大量的结构缺陷...
- 杨治美张云森廖熙杨翰飞晋勇孙小松龚敏
- 深能级瞬态谱仪样品台系统的改进
- 2021年
- 深能级瞬态谱仪能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态,经过全面的数据分析,可以确定杂质和缺陷的类型、含量、陷阱密度、随深度的分布、陷阱上载流子的激活能以及陷阱中心对自由载流子的俘获截面信息等。在使用过程中存在温度控制不理想、样品架不稳定两大问题。通过对深能级瞬态谱仪样品台系统的相关部分进行改进和改造,解决了上述问题,提高了实验的准确度,提高了实验效率,拓宽了测试样品的种类。
- 李芸马瑶杨治美赖力黄铭敏
- 关键词：实验仪器
- 自组装制备硅纳米线阵列及其光致发光特性研究被引量：5
- 2009年
- 用微电化学催化腐蚀法制备了硅纳米线阵列,通过扫描电镜(SEM)观察了样品的表面形貌。用荧光光谱仪测量了有序硅纳米线阵列的光致发光特性,发现当激发波长增加时,有序硅纳米线阵列的光致发光峰位单调红移,发光强度也单调增强。对比多孔硅的发光机理和现有实验条件,对有序硅纳米线阵列可能的发光机理进行了讨论。
- 李智伟陈浩宋华冰余洲杨治美高艳丽张云森刘俊刚龚敏孙小松
- 关键词：多孔硅光致发光光谱扫描电镜发光机理
- 一种含有高阻p-top区的逆导型超结IGBT
- 本发明提供了一种逆导型超结IGBT（Reverse Conducting Superjunction Insulated Gate Bipolar Transistor，逆导型超结绝缘栅双极型晶体管）器件，其超结耐压层中...
- 马瑶黄铭敏杨治美
- 无催化剂纳米ZnO的制备及其研究
- 纳米科学和技术是当前科学研究的热点之一，纳米材料的制备与性能表征是纳米科学和技术研究的重要领域之一。准一维纳米材料是研究电子传输行为、光学特性和力学性能等物理性质的尺寸和维度效应的理想系统。_方面是由于其结构的特殊性而表...
- 杨治美
- 关键词：纳米材料氧化锌介观物理光电子材料
- 文献传递
- Si基3C-SiC反向外延的选择生长和残余应力研究被引量：2
- 2011年
- 采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO_2作为掩蔽层,进行3C-SiC的反向外延的选择性生长.TEM,AFM和XRD结果显示3 C-SiC沿(111)面成功实现了较高质量的外延选择生长,其界面清晰,掩蔽良好.生长出的3C-SiC薄膜为织构晶体,单晶性良好.残余应力测试表明3C-SiC薄膜晶格发生压应变,选择性生长区域的残余应力显著降低.据此结果建立了残余应力的形成机制.
- 杨翰飞杨治美廖熙龚敏孙小松
- 关键词：掩蔽层残余应力
- 6H-SiC材料与器件辐照效应的研究进展被引量：3
- 2009年
- 介绍了6H-SiC材料和器件辐照效应研究的目的和方法,并对国内外最近几年的研究情况进行了介绍、分析和总结。指出目前的研究主要集中于辐射效应方面,但在抗辐射加固技术方面研究不足,国内应根据现有条件注重辐射效应机理方面的研究。
- 牟维兵龚敏杨治美
