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乔怡敏

作品数：42 被引量：57H指数：4
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 8篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 27篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 30篇分子束
  • 30篇分子束外延
  • 15篇碲镉汞
  • 11篇焦平面
  • 10篇红外
  • 8篇探测器
  • 8篇红外焦平面
  • 8篇HG
  • 7篇焦平面探测器
  • 7篇HGCDTE
  • 7篇HGCDTE...
  • 5篇红外焦平面探...
  • 5篇CDTE
  • 5篇衬底
  • 4篇砷化镓
  • 4篇退火
  • 4篇复合衬底
  • 4篇MBE
  • 4篇掺杂
  • 3篇位错

机构

  • 41篇中国科学院
  • 2篇中国科学院研...
  • 1篇吉林大学
  • 1篇上海交通大学

作者

  • 42篇乔怡敏
  • 34篇于梅芳
  • 31篇何力
  • 27篇巫艳
  • 22篇陈路
  • 16篇吴俊
  • 13篇杨建荣
  • 7篇郭世平
  • 7篇陆卫
  • 7篇刘兴权
  • 7篇王善力
  • 7篇魏青竹
  • 7篇王元樟
  • 6篇方维政
  • 6篇陈效双
  • 6篇陈新强
  • 6篇沈学础
  • 5篇袁诗鑫
  • 4篇傅祥良
  • 4篇史国良

传媒

  • 11篇红外与毫米波...
  • 3篇Journa...
  • 3篇激光与红外
  • 2篇量子电子学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇第六届全国分...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇物理学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇光电子技术
  • 1篇第二届全国先...
  • 1篇第五届全国分...
  • 1篇二〇〇六年全...
  • 1篇首届全国先进...
  • 1篇2006年全...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 3篇2007
  • 5篇2006
  • 4篇2005
  • 6篇2002
  • 6篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1999
  • 6篇1998
  • 4篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1990
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
空穴导电碲镉汞外延材料处理工艺及装置
杨建荣陈新强方维政郭世平张小平于梅芳乔怡敏何力
一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法，包括碲镉汞分子束外延工艺、在碲镉汞分子束外延材料上生长一层CdTe覆盖层工艺和热处理工艺，其特征在于：带有CdTe覆盖层的碲镉汞样品直接在分子束外延的生长室中进行真空热处理，或者将...
关键词：
关键词：碲镉汞
用CdZnTe作为衬底的HgCdTe分子束外延研究
陈路巫艳于梅芳乔怡敏
关键词：CDZNTEHGCDTE分子束外延
束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷被引量：3
2007年
研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察,并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析。并设计了两个实验:其一,在CdTe/GaAs衬底上,低温下用Hg源照射20min,再在其上继续高温生长CdTe;其二,在CdTe/GaAs衬底上,一直用Hg源照射下高温生长CdTe。两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷,采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察,通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较,我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质。
傅祥良王伟强于梅芳乔怡敏魏青竹吴俊陈路巫艳何力
关键词：HGCDTE分子束外延
超薄层AlGaAs样品的光调制反射谱研究
1997年
用调制光谱的方法对分子束外延（ＭＢＥ）生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的一组超薄层本征型ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ层进行了原位的研究．对厚度在３５ｎｍ以下的一组样品观察到了若干个跃迁峰，而对厚度在１００ｎｍ的样品只观察到了一个跃迁峰．观察到的各峰随厚度的改变而变化．
刘兴权陆卫穆耀明乔怡敏乔怡敏万明芳陈效双严立平万明芳
关键词：铝镓砷MBE
As在HgCdTe分子束外延中的表面粘附系数被引量：8
2002年
报道了用二次离子质谱分析 (SIMS)方法对As在碲镉汞分子束外延中的掺入行为的研究结果 .发现As在CdTe、HgCdTe表面的粘附系数很低 ,并与Hg的介入密切相关 .对于单晶HgCdTe外延 ,在 170℃生长温度下As的粘附率相对于多晶室温淀积仅为 3× 10 -4,在此生长温度下 ,通过优化生长条件获得了表面形貌良好的外延材料 .通过控制As束源炉的温度可以很好地控制As在HgCdTe层中的原子浓度 .
吴俊巫艳陈路于梅芳乔怡敏何力
关键词：二次离子质谱分子束外延碲镉汞
HgCdTe分子束外延In原子的掺杂特性被引量：2
2002年
报道了用 MBE方法生长掺 In N型 Hg Cd Te材料的研究结果。发现 In作为 N型施主在 Hg Cd Te中的电学激活率接近 1 0 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6me V。确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在约 3× 1 0 1 5cm- 3水平。比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0°C温度下 In的扩散系数约为 1 0 - 1 4cm2 / sec,确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的
巫艳陈路于梅芳乔怡敏吴俊何力胡晓宁李言谨张勤耀丁瑞军
关键词：分子束外延碲镉汞红外焦平面
ZnCdTe衬底上HgCdTe分子束外延的位错密度被引量：1
2002年
报道了用 MBE的方法 ,在 Zn Cd Te衬底上制备 Hg Cd Te薄膜的位错密度研究结果。研究发现Hg Cd Te材料的位错密度与 Zn Cd Te衬底的表面晶体损伤、Hg Cd Te生长条件以及材料组分密切相关。通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在 Zn Cd Te衬底上生长的长波 Hg Cd Te材料 EPD平均值达到 4.2× 1 0 5cm- 2 ,标准差为 3 .5× 1 0 5cm- 2 ,接近 Zn Cd Te衬底的位错极限。可重复性良好 ,材料位错合格率为 73 .7%。可以满足高性能Hg Cd
于梅芳巫艳陈路乔怡敏杨建荣何力
关键词：分子束外延碲镉汞位错密度红外焦平面探测器
用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法
本发明公开了一种用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法，衬底包括：基片，在基片上依次置有缓冲层、数字合金层、过渡层。制备方法采用常规的分子束外延或原子外延方法及后处理技术。通过不同的生长工艺条件和特定的结构解决了...
何力陈路巫艳于梅芳王元樟吴俊乔怡敏
文献传递
热处理过程中Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe界面互扩散研究被引量：4
1999年
对ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀，并用椭偏光谱测量方法，获得了样品在４９０℃经０．５ｈ和２ｈ热处理后不同深度下的组份分布．根据实验结果对Ｚａｎｉｏ等人提出的扩散系数公式进行了修正，得到４９０℃热处理条件下的组份扩散系数ＤＨｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（４９０℃）＝４×１０－３×１０－３·ｘ．
巫艳杨建荣方维政王善力于梅芳乔怡敏陈新强何力
关键词：异质结互扩散汞镉碲
Si基CdTe复合衬底分子束外延研究被引量：1
2005年
文章引入晶格过渡的Si/ZnTe/CdTe作为复合外延基底材料,以阻挡Si/HgCdTe之间大晶格失配产生的高密度位错.通过对低温表面清洁化、面极性控制和孪晶抑制等的研究,解决了Si基CdTe分子束外延生长中诸多的技术难题.在国内首次采用分子束外延(MBE)的方法获得了大面积的Si基CdTe复合衬底材料,对应厚度为4～4.4μm Si/CdTe(211)样品双晶半峰宽的统计平均结果为83弧秒,与相同厚度的GaAs/CdTe(211)双晶平均水平相当.
陈路王元樟巫艳吴俊于梅芳乔怡敏何力
关键词：硅基碲镉汞复合衬底分子束外延
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