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巫艳

作品数：66 被引量：89H指数：6
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇期刊文章
  • 21篇会议论文
  • 7篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 40篇电子电信
  • 16篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 44篇分子束
  • 44篇分子束外延
  • 25篇碲镉汞
  • 17篇焦平面
  • 16篇红外
  • 14篇探测器
  • 13篇CDTE
  • 13篇HGCDTE
  • 13篇衬底
  • 12篇红外焦平面
  • 11篇HGCDTE...
  • 10篇焦平面探测器
  • 8篇HG
  • 7篇红外焦平面探...
  • 7篇HGCDTE...
  • 7篇MBE
  • 6篇退火
  • 6篇SI基
  • 5篇ZNSE
  • 4篇位错

机构

  • 64篇中国科学院
  • 4篇上海交通大学
  • 3篇中国科学院研...
  • 1篇上海师范大学

作者

  • 66篇巫艳
  • 59篇何力
  • 42篇于梅芳
  • 37篇陈路
  • 33篇吴俊
  • 27篇乔怡敏
  • 21篇杨建荣
  • 16篇王元樟
  • 15篇方维政
  • 11篇王善力
  • 11篇魏青竹
  • 9篇胡晓宁
  • 9篇姬荣斌
  • 9篇陈新强
  • 8篇王善忠
  • 8篇丁瑞军
  • 7篇傅祥良
  • 5篇李言谨
  • 5篇王伟强
  • 5篇叶振华

传媒

  • 17篇红外与毫米波...
  • 6篇激光与红外
  • 5篇第五届全国分...
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇量子电子学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇第二届全国先...
  • 2篇第六届全国分...
  • 2篇首届全国先进...
  • 1篇Journa...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇光电子技术
  • 1篇2003年全...
  • 1篇第三届全国先...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇二〇〇六年全...
  • 1篇2006年全...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2017
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 6篇2007
  • 9篇2006
  • 10篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
  • 5篇2002
  • 8篇2001
  • 3篇2000
  • 9篇1999
  • 5篇1998
  • 2篇1997
共 66 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
置于碲镉汞红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片
本发明公开了一种置于碲镉汞红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片，所述的探测器芯片由衬底、衬底上依次置有的缓冲层、响应红外目标辐射的光电二极管列阵组成。所述的微型滤光片是通过分子束外延原位生长在缓冲层和光电二极管列阵之间。...
叶振华何力胡晓宁周文洪吴俊巫艳丁瑞军
文献传递
HgCdTe分子束外延技术研究
何力巫艳杜美蓉
关键词：HGCDTE分子束外延技术
碲镉汞 p^+-on-n长波异质结探测器的研究被引量：9
2004年
报道了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件的研究结果.采用由分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p+onn异质结材料,通过湿法腐蚀、台面钝化、台面金属化、铟柱制备和互连等工艺,得到了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件.根据IV实验结果和暗电流理论,拟合计算和分析了各种暗电流机制对器件性能的影响,且获得了器件的响应光谱和探测率.
叶振华吴俊胡晓宁巫艳王建新李言谨何力
关键词：焦平面器件碲镉汞MBE暗电流湿法腐蚀长波
Hg在As激活退火中的作用被引量：2
2006年
对原位 As_4掺杂 MBE HgCdTe 材料退火前后的电学性质进行了研究。原生样品以及 N 型退火样品的测试结果显示,随着 As 掺杂进入 HgCdTe 的同时,样品中产生了额外的 Hg 空位,并且在样品中引进了一种 N 型深能级结构。不同 Hg 分压下的激活退火结果显示,高温汞压下退火可以获得 P 型 MBE HgCdTe 材料。但是,真空退火结果显示 As 很难被激活。说明在激活退火过程中 As 在各个格点之间转移时,外界的 Hg 起重要作用。
吴俊魏青竹巫艳陈路于梅芳乔怡敏何力
关键词：退火碲镉汞分子束外延
用CdZnTe作为衬底的HgCdTe分子束外延研究
陈路巫艳于梅芳乔怡敏
关键词：CDZNTEHGCDTE分子束外延
碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法
一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法,热处理在分子束外延的真空腔体中或真空的石英安瓿中完成,热处理样品所需的CdTe覆盖层通过外延后直接生长的方法制备,杜绝了外界对样品的任何沾污。用该工艺进行空穴导电型热处理的成功率达...
杨建荣王善力陈新强方维政巫艳于梅芳何力
文献传递
碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法
一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法，热处理在分子束外延的真空腔体中或真空的石英安瓿中完成，热处理样品所需的CdTe覆盖层通过外延后直接生长的方法制备，杜绝了外界对样品的任何沾污。用该工艺进行空穴导电型热处理的成功率达...
杨建荣王善力陈新强方维政巫艳于梅芳何力
文献传递
束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷被引量：3
2007年
研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察,并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析。并设计了两个实验:其一,在CdTe/GaAs衬底上,低温下用Hg源照射20min,再在其上继续高温生长CdTe;其二,在CdTe/GaAs衬底上,一直用Hg源照射下高温生长CdTe。两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷,采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察,通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较,我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质。
傅祥良王伟强于梅芳乔怡敏魏青竹吴俊陈路巫艳何力
关键词：HGCDTE分子束外延
p^+-ZnSe:N单晶薄膜的MBE生长与特性研究被引量：1
2000年
研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 ,将此氮源安装到国产 FW- 型分子束外延设备上 ,成功地生长了 p型 Zn Se:N优质单晶薄膜 .SIMS测量表明 ,薄膜中氮浓度高达～ 1.5× 10 2 0 cm- 3;PL 测量表明 ,氮在 Zn Se中形成了受主能级 ;C- V测量表明 ,净空穴浓度 [Na]- [Nd]≈ 5× 10 1 7cm- 3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求 (～ 4.0× 10 1 7cm- 3) .C- V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证 .
王善忠谢绳武庞乾骏姬荣斌巫艳何力
关键词：单晶薄膜硒化锌
Si基HgCdTe材料的电学特性研究被引量：2
2007年
文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现,晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低;Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料,但高补偿性并非材料的固有特性,通过P型退火可使材料变为低补偿材料,迁移率得到提高。采用分子束外延方法制备的3 in Si基HgCdTe材料电学性能与GaAs基HgCdTe材料相比,性能还有待提高。改进分子束外延生长工艺提高HgCdTe质量,从而进一步提高迁移率,是Si基外延研究的关键。
魏青竹吴俊巫艳陈路于梅芳王伟强傅祥良何力
关键词：SI基HGCDTE电学参数少子寿命分子束外延
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