付兴昌
- 作品数：130 被引量：41H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- L波段GaN HEMT器件的研制被引量：3
- 2014年
- 基于标准工艺自主研制了L波段0．5μm栅长的GaNHEMT器件。该器件采用了利用MOCVD技术在3英寸（1英寸=2．54cm）SiC衬底上生长的A1GaN／GaN异质结外延材料，通过欧姆接触工艺的改进将欧姆接触电阻值控制在了0．4Ω·mm以内，采用场板技术提高了器件击穿电压，采用高选择比的刻蚀工艺得到了一定倾角的通孔，提高了器件的散热能力及增益。结果表明，采用该技术研制的两胞内匹配GaNHEMT器件在工作频率1．5～1．6GHz下，实现了输出功率大于66W、功率增益大于15．2dB、功率附加效率大于62．2％。
- 闫锐银军崔玉兴张力江付兴昌高学邦吴洪江蔡树军杨克武
- 关键词：GAN内匹配L波段功率
- 一种MOM电容及其制作方法
- 本发明公开了一种MOM电容及其制作方法，属于电容的结构及其制作方法技术领域。主要包括以下几个步骤：一、氧化硅片；二、形成正面金属电极；三、在正面金属电极上粘贴蓝宝石基片；四、对硅片的背面进行光刻处理；五、腐蚀光刻掩膜以外...
- 商庆杰潘宏菽张力江付兴昌
- 高热导率纳米银胶在大功率器件上的应用被引量：3
- 2018年
- 对高热导率纳米银胶进行了性能分析,并与Au80Sn20焊料进行了对比;将其应用于一大功率器件,通过对粘结芯片进行剪切力测试,验证了纳米银胶具有可靠的连接强度;调整粘结样品的键合参数,并对键合丝进行拉力测试,结果在正常范围内;对器件进行热阻测试,与Au80Sn20焊料烧结对比,温度分布基本一致;进一步进行各项电性能测试,器件各参数正常。各项结果表明,此纳米银胶可替代Au80Sn20焊料烧结,应用于大功率器件上。
- 洪求龙付兴昌冀乃一柳溪溪
- 关键词：纳米银胶功率器件导电胶热阻焊料
- 一种氧化镓场效应晶体管及制备方法
- 本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管及制备方法。所述氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在所述衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在所述n型氧化镓沟道层两端的源电极和漏电极、以及设置在所述源电极和漏电...
- 吕元杰王元刚马春雷刘宏宇付兴昌宋旭波郭红雨冯志红
- 一种斜栅型氧化镓场效应晶体管及制备方法
- 本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种斜栅型氧化镓场效应晶体管及制备方法。所述斜栅型氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在所述衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在所述n型氧化镓沟道层两端的源电极和漏电极、以及设置在所述...
- 吕元杰刘宏宇徐森峰付兴昌王元刚宋旭波郭红雨冯志红
- 氧化镓肖特基二极管及其制备方法
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，该氧化镓肖特基二极管由下至上包括阴极金属，高掺杂氧化镓衬底，低掺杂氧化镓外延层，阳极金属、围绕阳极金属的钝化介质层，以及，覆盖于阳极金属之上的场板金属...
- 吕元杰王元刚周幸叶刘宏宇宋旭波梁士雄徐森锋付兴昌冯志红
- 文献传递
- SPC参数控制限和规范限的定义
- 2015年
- 介绍了定义SPC控制限和规范限的一套方法。在多品种小批量的化合物半导体前道工艺线推行SPC的过程中,针对不同参数的性质不同,分别总结出了三种不同的定义方法,从而对前道工艺流程的全部参数实行了SPC监控,并在实际的控制中证明该方法是有效的。该方法解决了困扰SPC使用者如何定义控制限和规范限的难题,尤其对于刚开始推行SPC的生产线有借鉴意义。
- 李保第李彦伟孙天玲闫锐崔玉兴付兴昌
- 关键词：SPC目标值CPK
- 一种垂直结构的氮化镓太赫兹二极管及制备方法
- 本发明提供了一种垂直结构的氮化镓太赫兹二极管及制备方法，包括：在一衬底上外延N+掺杂层；在所述N+掺杂层的第一表面上生长牺牲层；对所述牺牲层上除第一预设区域和第二预设区域外的其他区域进行刻蚀；在所述N+掺杂层的第一表面上...
- 吕元杰王元刚马春雷梁士雄付兴昌宋旭波敦少博冯志红
- 文献传递
- 基于金刚石衬底的GaN场效应晶体管的制备方法
- 本发明提供了一种基于金刚石衬底的GaN场效应晶体管的制备方法，属于半导体制造技术领域，包括：SiC衬底正面制备GaN异质结层；减薄SiC衬底；刻蚀SiC衬底；生长金刚石层；去除牺牲层及其上的金刚石层；GaN异质结层的正面...
- 王元刚敦少博吕元杰付兴昌梁士雄宋旭波郭红雨冯志红
- 高性能SiC整流二极管研究被引量：2
- 2010年
- 在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性p型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au复合金属制备肖特基接触,衬底溅射Ti W/Au并合金做欧姆接触,采用场板和JTE技术减小高压电场集边效应。该器件具有良好的正向整流特性和较高的反向击穿电压。反向击穿电压可以达到1300V,开启电压约为0.7V,理想因子为1.15,肖特基势垒高度为0.93eV,正向电压3.0V时,电流密度可以达到700A/cm2。
- 杨霏商庆杰李亚丽闫锐默江辉潘宏菽李佳刘波冯志红付兴昌何庆国蔡树军杨克武
- 关键词：击穿电压肖特基接触欧姆接触场板
