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倪如山

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文科技成果

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇吸杂
  • 1篇离子注入
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米孔
  • 1篇SOI
  • 1篇硅

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇倪如山
  • 1篇黄继颇
  • 1篇林成鲁
  • 1篇宋志棠
  • 1篇陈莉芝
  • 1篇多新中
  • 1篇张苗

年份

  • 1篇2000
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅中离子注入纳米孔层的形成及吸杂效应研究
张苗林成鲁宋志棠多新中黄继颇陈莉芝倪如山
开展了SOI 材料中纳米孔吸杂的研究，利用H+、He+ 注入将纳米孔引入到SOI 氧化埋层下面，对顶层硅中的金属杂质进行吸除。结果：发现了H+注入在不引起表层剥离情况下形成纳米孔层的剂量窗口，大剂量He+注入可在硅中产生...
关键词：
关键词：吸杂SOI纳米孔
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共1页<1>
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