冯佳涵
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管
- 本实验利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜，薄膜表面平整;采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层，室温成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试...
- 李桂锋冯佳涵周俊张群
- 关键词：薄膜晶体管磁控溅射玻璃基板
- 文献传递
- PMMA介质层铟锌氧化物薄膜晶体管的制备与研究
- 本文低温制备了以铟锌氧化物/(IZO/)为沟道层、聚甲基丙烯酸甲酯/(PMMA/)为介质层的薄膜晶体管。由反应直流磁控溅射法沉积无机IZO沟道层,浸渍提拉法制备有机PMMA介质层,真空热蒸发沉积金属铝电极。整体工艺温度低...
- 冯佳涵
- 关键词：直流磁控溅射浸渍提拉法薄膜晶体管
- 文献传递
- 有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管被引量：1
- 2010年
- 利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8V,迁移率为25.4cm2.V-1.s-1,开关比为106。
- 李桂锋冯佳涵周俊张群
- 关键词：薄膜晶体管
- 一种以氧化物半导体为沟道层的混合结构薄膜晶体管
- 本发明属于薄膜晶体管技术领域，涉及一种以氧化物半导体为沟道层的混合结构薄膜晶体管结构。本发明以氧化物半导体薄膜为沟道层，以有机介质薄膜为栅介质层，以透明导电氧化物薄膜为栅电极、源电极和漏电极，构成混合型薄膜晶体管结构。本...
- 张群李桂锋冯佳涵周俊
- 文献传递
- PMMA介质层IZO-TFT的制备和研究
- 利用有机介质层制各项栅结构的氧化铟锌薄膜晶体管(IZO-TFT)。由直流反应磁控溅射法室温沉积IZO沟道层，浸渍提拉法制备聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)介质层，热蒸发法制备Al电极。所制备的IZO-TFT饱和迁移率为7.6...
- 冯佳涵张群
- 关键词：薄膜晶体管浸渍提拉法
- 文献传递
- 有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管
- 李桂锋周俊冯佳涵杨铭黄延伟张群
- 一种混合型氧化物薄膜晶体管及其制备方法
- 本发明属于薄膜晶体管器件领域，涉及一种以聚甲基丙烯酸甲酯有机介质层与铟锌氧化物无机沟道层构成的混合型薄膜晶体管及其制备方法。本发明以玻璃为基板，用铟锌合金或铟锌氧化物靶材，在室温条件下利用磁控溅射技术，制备铟锌氧化物半导...
- 冯佳涵张群
- 文献传递
- 近红外区高透射率In_2O_3:W透明导电氧化物薄膜的研究被引量：3
- 2008年
- 采用反应直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟(In2O3:W,IWO)透明导电氧化物薄膜。薄膜中掺杂的钨离子与被替代的铟离子之间存在高价态差。与相同电阻率的ITO(In2O3:Sn)相比,IWO薄膜具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点。研究了氧分压、溅射电流等参数对IWO薄膜电学和光学性能的影响。制备的多晶IWO薄膜最佳电阻率为3.1×10-4Ω.cm,最高载流子迁移率为58 cm2 V-1 s-1,可见光范围平均透射率大于90%,近红外区(700～2500 nm)平均透射率约为85%。
- 冯佳涵杨铭李桂锋张群
- 关键词：近红外
