李桂锋
- 作品数：20 被引量：18H指数：2
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 一种以氧化物半导体为沟道层的混合结构薄膜晶体管
- 本发明属于薄膜晶体管技术领域，涉及一种以氧化物半导体为沟道层的混合结构薄膜晶体管结构。本发明以氧化物半导体薄膜为沟道层，以有机介质薄膜为栅介质层，以透明导电氧化物薄膜为栅电极、源电极和漏电极，构成混合型薄膜晶体管结构。本...
- 张群李桂锋冯佳涵周俊
- 文献传递
- 一种p型透明导电硫化物薄膜的制备方法
- 本发明是一种采用新型渠道火花烧蚀法(Channel Spark Ablation，CSA)制备p型掺锌硫化铜铝(CuAlS<Sub>2</Sub>:Zn)透明导电硫化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺锌硫化铜铝...
- 王颖华张群李桂锋
- 文献传递
- 有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管被引量：1
- 2010年
- 利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8V,迁移率为25.4cm2.V-1.s-1,开关比为106。
- 李桂锋冯佳涵周俊张群
- 关键词：薄膜晶体管
- 有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管
- 李桂锋周俊冯佳涵杨铭黄延伟张群
- 薄膜晶体管的制备方法
- 本发明属薄膜晶体管技术领域，涉及薄膜晶体管的制备方法，包括步骤：采用铟锌合金或铟锌氧化物为靶材，在室温条件下用磁控溅射技术在基板上生长具有透明非晶结构的铟锌氧化物半导体薄膜，形成薄膜晶体管的沟道层；采用热蒸发法在沟道层上...
- 李桂锋张群周俊
- 文献传递
- 室温制备P型透明导电CuO:Ni薄膜的研究被引量：2
- 2009年
- 在自主研发的一系列p型导电Cu1-xNixO靶材基础上,选择具有最佳电导率的Cu0.95Ni0.05O靶材,采用脉冲等离子体沉积技术在室温条件下普通玻璃衬底上制备了Cu0.95Ni0.05O透明导电薄膜。Seebeck系数测试表明所有薄膜均为p型导电。通过x射线衍射和扫描电子显微镜分别研究了薄膜的晶格结构和表面形貌,证实了所制备薄膜均为非晶结构。研究了氧气压强、脉冲电压和脉冲电流等成膜条件对薄膜电学性能和光学性能的影响。在氧气压强为3.0Pa,脉冲电压为-18kV,脉冲电流为4.5mA条件下,获得了电导率最大值7.1S·cm-1,可见光区域的平均透射率为65%,光学禁带宽度为4.3eV的光电性能相对优良的p型透明导电薄膜。
- 施展杨铭李桂锋王颖华张群
- 关键词：透明导电氧化物P型半导体
- 渠道火花烧蚀法制备p型透明氧化物半导体薄膜
- 渠道火花烧蚀法(Channel Spark Ablation,CSA)是利用脉冲电子束轰击烧蚀靶材以制备薄膜的方法。它与熟知的脉冲激光束沉积法(Pulsed Laser Deposition,PLD)类似,所不同的是CS...
- 李喜峰王颖华李桂锋张群黄丽章壮健
- 文献传递
- 有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管
- 本实验利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜，薄膜表面平整;采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层，室温成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试...
- 李桂锋冯佳涵周俊张群
- 关键词：薄膜晶体管磁控溅射玻璃基板
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- 近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法
- 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>:M(M＝W，Mo)。本发明以普通玻璃为基板，利...
- 张群李桂锋杨铭
- 文献传递
- 薄膜晶体管的制备方法
- 本发明属薄膜晶体管技术领域，涉及薄膜晶体管的制备方法，包括步骤：采用铟锌合金或铟锌氧化物为靶材，在室温条件下用磁控溅射技术在基板上生长具有透明非晶结构的铟锌氧化物半导体薄膜，形成薄膜晶体管的沟道层；采用热蒸发法在沟道层上...
- 李桂锋张群周俊
- 文献传递
