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刘云峰

作品数：12 被引量：60H指数：5
供职机构：东南大学薄膜研究所更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇TA
  • 3篇IGBT
  • 2篇湿敏
  • 2篇湿敏元件
  • 2篇晶体管
  • 2篇溅射
  • 2篇过流
  • 2篇过流保护
  • 2篇反应溅射
  • 2篇MOS型
  • 2篇O
  • 1篇电力
  • 1篇电力电子
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电路
  • 1篇电源
  • 1篇亚微米
  • 1篇氧化铝薄膜
  • 1篇氧化钽
  • 1篇异常放电

机构

  • 12篇东南大学

作者

  • 12篇刘云峰
  • 7篇陈国平
  • 2篇张浩康
  • 2篇茅昕辉
  • 1篇庄大明
  • 1篇黄蕙芬

传媒

  • 4篇电子器件
  • 1篇电子学报
  • 1篇电气自动化
  • 1篇真空
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇真空电子技术

年份

  • 1篇2000
  • 4篇1999
  • 5篇1998
  • 2篇1996
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ta_2O_5薄膜MOS型湿敏元件的机理研究被引量：1
1998年
使用直流磁控反应溅射的工艺方法制备了Ta2O5薄膜MOS型湿敏元件，提出了元件的结构模型，并对其感湿机理进行了讨论．
刘云峰陈国平张浩康
关键词：MOS湿敏元件氧化钽
脉冲溅射电源的设计及其应用被引量：4
1998年
设计研制了脉冲溅射电源并用此电源制备了Ａｌ２Ｏ３薄膜。实验表明采用脉冲电源可以抑制溅射靶面的异常放电。
刘云峰陈国平
关键词：电源
交流磁控溅射技术及其应用被引量：5
1998年
本文阐述了交流溅射技术的原理、特点及其应用。
刘云峰茅昕辉张浩康陈国平
IGBT驱动集成电路的保护特性研究
1999年
本文阐述了IGBT驱动集成电路的过流保护原理,着重讨论了IGBT保护电路的设计思路。
刘云峰陈国平
关键词：IGBT驱动集成电路过流保护双极性晶体管
使用薄膜湿敏元件的湿度控制器的设计被引量：2
1998年
介绍了一种以Ｔａ２Ｏ５薄膜ＭＯＳ型湿敏元件为核心的湿度控制电路。该电路性能稳定，易于调节，应用广泛。
刘云峰陈国平
关键词：应力分布优化设计湿敏元件
用于有源矩阵液晶显示的Ta-Ta2O5-TaMIM薄膜二极管被引量：3
1999年
本文介绍了一种用于有源矩阵液晶显示、具有对称结构的ＭＩＭ薄膜二极管，其中Ｔａ２Ｏ５膜采用溅射／阳极氧化两步法制成。实验结果表明，用此法制备的氧化钽膜作绝缘层的ＭＩＭ二极管，具有良好的开关特性。
黄蕙芬庄大明张浩康刘云峰
关键词：有源矩阵MIM薄膜二极管
ZnS薄膜的结构研究被引量：7
1996年
本文报导了对不同方法沉积的ＺｎＳ薄膜进行Ｘ射线衍射结构分析和透射光谱测试的结果，给出了不同条件下ＺｎＳ薄膜的晶态结构和它与各种成膜工艺之间的关系。
刘云峰陈国平
关键词：X射线衍射透射光谱硫化锌
Ta<,2>O<,5>薄膜MOS型湿度传感器的研制
刘云峰
铝靶脉冲反应溅射沉积氧化铝薄膜中的迟滞回线的研究被引量：20
2000年
采用脉冲磁控反应溅射工艺进行氧化铝薄膜的沉积实验 ,对该工艺过程中溅射电压和沉积速率与氧流量的“迟滞回线”现象进行了研究。通过给出靶面刻蚀区氧化层厚度与氧分压之间的关系 ,解释了薄膜沉积速率变化的原因。
茅昕辉刘云峰张浩康陈国平
关键词：迟滞回线反应溅射氧化铝薄膜
IGBT的过流保护策略被引量：14
1999年
本文研究了ＩＧＢＴ的过流保护策略，给出了一种新的过流保护设计思路。
刘云峰陈国平
关键词：IGBT过流保护绝缘栅双极晶体管
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共2页<12>
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