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叶交托

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 11篇圆片
  • 9篇封装
  • 8篇圆片级
  • 6篇感器
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 5篇图像
  • 5篇图像传感器
  • 3篇凸点
  • 3篇晶圆
  • 3篇硅圆片
  • 3篇焊料
  • 3篇焊料凸点
  • 3篇封装成本
  • 2篇钝化层
  • 2篇粘接
  • 2篇粘接剂
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇树脂
  • 2篇翘曲

机构

  • 14篇中国科学院

作者

  • 14篇徐高卫
  • 14篇叶交托
  • 14篇罗乐
  • 10篇王双福
  • 6篇朱春生
  • 3篇李珩
  • 3篇陈骁
  • 2篇韩梅
  • 1篇汤佳杰
  • 1篇王天喜
  • 1篇宁文果

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 6篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种可见光器件圆片级封装结构和方法
本发明提供一种可见光圆片级封装结构和方法，所述方法至少包括步骤：提供透明封装基板，在所述透明封装基板表面键合硅晶圆，所述硅晶圆中制造有暴露所述透明封装基板的腔体；在所述腔体中四周的底部和侧壁表面、以及硅晶圆的背面制备互连...
王双福罗乐徐高卫叶交托韩梅
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一种增强焊球与UBM粘附性的方法及封装结构
本发明提供一种增强焊球与UBM粘附性的方法，其主要步骤为：首先对焊盘表面进行处理并溅射粘附层和种子层，之后电镀金属铜，电镀完成之后在铜UBM上制作凹坑，可通过腐蚀或激光打孔的方法来实现；最后制作焊球并回流。通过以上步骤，...
朱春生罗乐徐高卫王双福叶交托
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砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装方法及其结构
本发明提供一种砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装方法及其结构，该方法包括以下步骤：提供一预设若干焊盘(22)的基于砷化镓衬底材料的图像传感器晶圆(20)，与一透明载片(10)利用干膜(12)进行键合；直接在砷化镓图像传感...
王双福罗乐徐高卫叶交托
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一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构
本发明提供一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构，该封装方法包括：在一传感晶片的有源面形成第一钝化层；在第一钝化层上沉积至少1个金属煽出电极；将传感晶片的有源面与一透明基板键合；在传感晶片的背面沉积第二钝化层，并在第二...
叶交托罗乐徐高卫王双福
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纳米孪晶铜再布线的制备方法
本发明提供一种纳米孪晶铜再布线的制备方法，包括步骤：1）于基片上制备钝化层，并光刻出用于与芯片极板互联的窗口；2）于钝化层表面及所述互联窗口中形成种子层；3）于种子层表面形成纳米孪晶铜再布线的光刻胶图形，采用脉冲电镀法于...
李珩罗乐朱春生叶交托徐高卫
硅转接板结构及其圆片级制作方法
本发明提供一种硅转接板结构及其圆片级制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个...
叶交托陈骁朱春生徐高卫罗乐
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利用TSV技术实现GaAs图像传感器的圆片级封装方法
本发明涉及一种利用硅通孔(TSV)技术实现砷化镓(GaAs)图像传感器圆片级封装的方法。其特征在于其步骤包括：机械加工与湿法腐蚀配合使用加工出凹槽；在凹槽中制作一树脂绝缘层；然后用激光方法在树脂上制作通孔；槽内和通孔内电...
叶交托罗乐徐高卫王双福
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纳米孪晶铜再布线的制备方法
本发明提供一种纳米孪晶铜再布线的制备方法，包括步骤：1）于基片上制备钝化层，并光刻出用于与芯片极板互联的窗口；2）于钝化层表面及所述互联窗口中形成种子层；3）于种子层表面形成纳米孪晶铜再布线的光刻胶图形，采用脉冲电镀法于...
李珩罗乐朱春生叶交托徐高卫
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图像传感器圆片级封装方法及其结构
本发明涉及一种图像传感器圆片级封装方法及其结构。包括以下步骤：提供一包含若干芯片的图像传感器晶片(1)，与一透明基板(5)键合；之后对图像传感器晶片(1)进行背减薄；在图像传感器晶片背部、与所述焊盘电极(4)对应的位置打...
叶交托罗乐徐高卫王双福
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硅转接板结构及其圆片级制作方法
本发明提供一种硅转接板结构及其圆片级制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个...
叶交托陈骁朱春生徐高卫罗乐
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