吴文光
- 作品数：12 被引量：19H指数：2
- 供职机构：中国计量学院光学与电子科技学院更多>>
- 发文基金：国家科技攻关计划中国计量学院校立基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 微电子学导论实验教学改革与实践被引量：1
- 2009年
- 对于非微电子领域的电子信息科学与技术专业,《微电子学导论》是一门重要的专业必修课程。在中国计量学院重点课程建设实践中,对实验教学进行了改革,以激发学生的学习兴趣为目标,设计了实验教学内容,并在演示实验中引入了视频、动画等多媒体技术,改革了传统的实验考核模式,综合实验预习、实验过程和利用教学网站情况,将考核贯穿于整个实验中,并且将实验考核作为最终理论成绩的一部分,充分调动了学生的积极性,取得了良好的教学效果。
- 肖丙刚王秀敏吴文光
- 关键词：微电子学实验教学改革
- Ⅲ-Ⅴ族混合晶体的长波长光学声子被引量：1
- 2005年
- 在修正的随机元素等位移-MREI模型的基础上建立了一个新模型,计算了AB1-xCx型Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系。模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数,同时,运用离子晶体结合的重叠排斥能,估算出两个近邻力常数随组分x呈负幂指数变化,而非常规的线性变化。最后比较了AsAl1-xGax、GaP1-xAsx和SbAl1-xGax三种混晶的理论结果和实验数据,两者符合较好。
- 李华兵范广涵陈练辉吴文光熊予莹刘颂豪
- 关键词：光电子学光学声子
- 微电子专业集成电路设计实践课程的建设与研究被引量：4
- 2009年
- 通过对中国计量学院微电子专业集成电路设计实践教学定位的分析和研究,目的在于培养满足IC设计公司要求的毕业生。论文首先阐述了集成电路设计在微电子专业中的地位,分析了集成电路设计实践教学的定位,然后介绍了我校集成电路设计实践课程的建设。
- 吴文光肖丙刚董艳艳叶有祥
- 关键词：微电子集成电路多项目晶圆
- 多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合被引量：1
- 2004年
- 应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析。应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果。对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量。涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测。并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量。
- 王浩Joachim F.Woitok廖常俊范广涵刘颂豪郑树文李述体郭志友孙慧卿陈贵楚陈炼辉吴文光李华兵
- 关键词：MOCVD半导体发光材料摇摆曲线晶格晶体质量
- 应变对Al_xGa_(1-x)N能带间隙弯曲系数和能带结构的影响被引量：2
- 2005年
- 在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能。从理论上分析了在赝形应变下AlGaN的能带结构和弯曲系数,并通过对AlxGa1-xN能带间隙的理论结果和实验结果分析比较,得出的能带间隙的弯曲系数与已有文献报道的实验结果相吻合。
- 黄琨范广涵谭春华李述体吴文光李华兵雷勇
- 关键词：ALXGA1-XN晶格常数
- 量子阱垂直腔面发射半导体激光器的优化与电路模型分析
- 本论文采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程.讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(腔长和端面反射率)之间的依赖关系.为改善V...
- 吴文光
- 关键词：半导体激光器电路模型垂直腔面发射半导体激光器
- 文献传递
- GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP多量子阱结构的光荧光特性分析
- 2003年
- 利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ=647 8nm和λ=861 6nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰.理论计算和实测结果基本一致.
- 陈练辉范广涵陈贵楚吴文光李华兵
- 关键词：多量子阱光荧光谱
- 量子级联激光器的电路模型分析被引量：2
- 2005年
- 通过分析量子级联激光器(QCL)中的电子在量子阱输运的单极行为,得到它的速率方程,以此为基础建立起它的等效电路模型,利用PSPICE进行电路模拟,得到了它的频率响应特性,并对可能影响它的调制特性的一些因素进行了分析。
- 吴文光范广涵陈贵楚李华兵陈练辉
- 关键词：激光技术量子级联激光器电路模型频率响应
- 多量子阱VCSEL速率方程的数值模拟分析被引量：5
- 2007年
- 采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数(腔长和端面反射率)之间的关系,为改善VCSEL阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。
- 吴文光范广涵沈为民金尚忠徐时清
- 关键词：垂直腔面发射半导体激光器多量子阱阈值电流密度
- AlGaInP/GaAs外延层的倒易空间图分析被引量：1
- 2005年
- 介绍了倒易点二维图的概念,分析了AlGaInP/GaAs外延层的倒易点二维图,阐明其倒易点二维图的展宽方向和原因,获得了应变及晶面弯曲等方面的信息,为优化AlGaInP四元系发光二极管的外延工艺提供了更丰富的信息.
- 李华兵范广涵王浩吴文光陈贵楚陈练辉
- 关键词：外延层发光二极管
