李华兵
- 作品数：9 被引量：10H指数：2
- 供职机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 应变对Al_xGa_(1-x)N能带间隙弯曲系数和能带结构的影响被引量：2
- 2005年
- 在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能。从理论上分析了在赝形应变下AlGaN的能带结构和弯曲系数,并通过对AlxGa1-xN能带间隙的理论结果和实验结果分析比较,得出的能带间隙的弯曲系数与已有文献报道的实验结果相吻合。
- 黄琨范广涵谭春华李述体吴文光李华兵雷勇
- 关键词：ALXGA1-XN晶格常数
- GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP多量子阱结构的光荧光特性分析
- 2003年
- 利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ=647 8nm和λ=861 6nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰.理论计算和实测结果基本一致.
- 陈练辉范广涵陈贵楚吴文光李华兵
- 关键词：多量子阱光荧光谱
- 量子级联激光器的电路模型分析被引量：2
- 2005年
- 通过分析量子级联激光器(QCL)中的电子在量子阱输运的单极行为,得到它的速率方程,以此为基础建立起它的等效电路模型,利用PSPICE进行电路模拟,得到了它的频率响应特性,并对可能影响它的调制特性的一些因素进行了分析。
- 吴文光范广涵陈贵楚李华兵陈练辉
- 关键词：激光技术量子级联激光器电路模型频率响应
- Ⅲ-Ⅴ族混合晶体的长波长光学声子被引量：1
- 2005年
- 在修正的随机元素等位移-MREI模型的基础上建立了一个新模型,计算了AB1-xCx型Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系。模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数,同时,运用离子晶体结合的重叠排斥能,估算出两个近邻力常数随组分x呈负幂指数变化,而非常规的线性变化。最后比较了AsAl1-xGax、GaP1-xAsx和SbAl1-xGax三种混晶的理论结果和实验数据,两者符合较好。
- 李华兵范广涵陈练辉吴文光熊予莹刘颂豪
- 关键词：光电子学光学声子
- 多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合被引量：1
- 2004年
- 应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析。应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果。对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量。涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测。并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量。
- 王浩Joachim F.Woitok廖常俊范广涵刘颂豪郑树文李述体郭志友孙慧卿陈贵楚陈炼辉吴文光李华兵
- 关键词：MOCVD半导体发光材料摇摆曲线晶格晶体质量
- LP-MOCVD制备AlGaInP HB-LED的外延片检测与分析
- 本论文旨在通过对AlGaInP HB-LED外延片进行实验研究,以达到改善HB-LED结构设计和提高材料生长质量的目的.本论文的主要工作如下:(1)利用EMCORE公司生产的GS/3200单温区涡轮LP-MOCVD制备A...
- 李华兵
- 关键词：X射线衍射
- 文献传递
- 一个实用的生产用Ⅲ-V族化合物半导体材料Turbo-DiscMOCVD生长模型(英文)被引量：1
- 2004年
- 在MOCVD质量控制生长模式下 ,通过分析Ⅲ -V族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程 ,建立了一个实用的生长模型。此模型是基于分子动力学、化学反应热力学理论分析之上的。针对Turbo -Disc反应体系 ,分析了Turbo -Disc的传热以及质量传送模式后 ,建立了Turbo -Disc的生长模型。在此模型中建立了输入反应室的参数 (IPs)和边界层的生长参数的关系。在对组分匹配的GaInP/GaAs三组分生长体系进行分析时 ,发现此模型是非常有效的 ,理论计算的结果与实验得到的结果非常吻合。应用此模型在实际生产中可以迅速地得到匹配的多组分外延层。
- 王浩廖常俊范广涵刘颂豪郑树文李述体郭志友孙慧卿陈贵楚陈炼辉吴文光李华兵
- 关键词：半导体材料生长动力学GAINP
- AlGaInP/GaAs外延层的倒易空间图分析被引量：1
- 2005年
- 介绍了倒易点二维图的概念,分析了AlGaInP/GaAs外延层的倒易点二维图,阐明其倒易点二维图的展宽方向和原因,获得了应变及晶面弯曲等方面的信息,为优化AlGaInP四元系发光二极管的外延工艺提供了更丰富的信息.
- 李华兵范广涵王浩吴文光陈贵楚陈练辉
- 关键词：外延层发光二极管
- 基于对数关系的多量子阱VCSELs阈值特性研究被引量：1
- 2005年
- 采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(腔长和端面反射率)之间的依赖关系。为改善VCSELs阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。
- 吴文光范广涵李华兵陈贵楚陈练辉雷勇黄坤
- 关键词：垂直腔面发射半导体激光器阈值电流密度腔长端面反射率
