姜卫红
- 作品数：6 被引量：15H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaAs(311)A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性被引量：8
- 1999年
- 报道了 Ｇａ Ａｓ （３１１） Ａ 衬底上的自组装 Ｉｎ Ａｓ 量子点的结构和光学特性．原子力显微镜结果表明（３１１） Ａ Ｇａ Ａｓ 衬底上的 Ｉｎ Ａｓ 量子点呈箭头状，箭头方向沿［２３３］ 方向．实验发现，量子点的光致发光（ Ｐ Ｌ） 强度、峰位、半高宽都与测量温度密切相关．随着温度的升高，量子点的发光强度减小，峰位快速红移，半高宽单调下降．可以认为这是由于载流子先被热激活到浸润层势垒后再被俘获到能量较低的量子点中进行复合造成的，这一模型圆满解释了我们的实验结果．
- 姜卫红许怀哲龚谦徐波王吉政周伟梁基本王占国
- 关键词：砷化镓衬底砷化铟光学特性
- GaAs基应变自组装In<,x>Ga<,1-x>As量子点的生长、结构和光学性质的研究
- 应变自组装量子点材料的制备和性质的研究,是目前国际上最前沿的研究课题之一. 量子点结构材料,尤其是In(Ga)As/GaAs体系具有非常诱人的器件应用前景,并最有可能在 不同波长的量子点激光器应用方面首先取得突破,因此在...
- 姜卫红
- 关键词：光学性质
- 量子点激光器及其应用研究被引量：6
- 2000年
- 报道了用分于束外延生长出自组装垂直耦合InAs/GaAs大功率量子点激光器(QDLaser)材料和器件。对腔长为 80 0 μm ,室温下和 77K下连续激射阈值电流密度分别为 2 18A/cm2 和 4 9A/cm2 ,波长为 96 0nm ,最大输出功率大于lW。首次报道在0 54W工作下 ,寿命超过 30 0 0小时 ,功率仅下降 0 4 9db ,并制备出实用化的大功率量子点激光器激光耦合模块 ,室温连续激射功率超过
- 梁基本徐波龚谦韩勤周伟姜卫红刘会云王占国
- 关键词：激光器量子点分子束外延
- 砷化镓晶体缺陷显示的可靠性分析
- 1998年
- 为了提高砷化镓缺陷检测的可靠性，对熔融ＫＯＨ腐蚀法、ＡＢ腐蚀法和超声ＡＢ腐蚀法三种腐蚀方法进行了可靠性对比实验研究．发现超声ＡＢ腐蚀法操作简便，适用范围广，显示缺陷的可靠性和充分性都很高．同时具有分辨能力强，获得缺陷信息量多等特点，是一种值得推广的ＧａＡｓ晶体缺陷检测方法．作者提出了超声ＡＢ腐蚀检测ＧａＡｓ晶体缺陷的检测工艺条件．并提供了部分有代表性的照片．可作有关部门在今后修订国家标准时参考．
- 梁秀红姜卫红鞠玉林
- 关键词：晶体缺陷可靠性砷化镓晶体半导体
- 红光InAlAs量子点的结构和光学性质被引量：1
- 1999年
- 利用ＭＢＥ方法在（００１）衬底上成功地生长了密度大、尺寸小、发红光的ＩｎＡｌＡｓ／Ａｌ－ＧａＡｓ 量子点结构． 通过原子力显微镜观测表明， ＩｎＡｌＡｓ量子点的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大； 发现Ａｌ原子的表面迁移率决定ＩｎＡｌＡｓ 量子点的形貌． 光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围， 并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要是受量子点的横向尺寸影响．
- 周伟梁基本徐波龚谦李含轩刘峰奇姜卫红江潮许怀哲丁鼎张金福王占国
- 关键词：光荧光
- 应变自组装量子点材料和量子点激光器
- 研制出高质量的GaAs基In(Ga)As/GaAs、InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InGaAs/GaAs体系应变自组装量子点材料,发光波长覆盖从红光(约750nm)到近红外光(1.3μm)的范围。量子点...
- 徐波王占国梁基本韩勤龚谦刘会贇姜卫红魏永强丁鼎钱家骏刘峰奇张金福张秀兰张元常吴巨陈涌海杨锡权叶小玲
- 关键词：量子点量子点激光器INAS
- 文献传递
