龚谦
- 作品数：11 被引量：38H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- InAs量子点的原子力显微镜测试结果分析被引量：10
- 1999年
- 我们利用分子束外延（ Ｍ Ｂ Ｅ）技术在 Ｇａ Ａｓ（００１）衬底上生长 １８ 个原子层的 Ｉｎ Ａｓ，形成了纳米尺寸的 Ｉｎ Ａｓ 量子点．对 Ｉｎ Ａｓ 量子点进行原子力显微镜（ Ａ Ｆ Ｍ ）测量，得到了量子点的高度和横向尺寸的统计分布以及量子点的测量形貌特征．
- 龚谦梁基本徐波丁鼎王占国裘晓辉商广义白春礼
- 关键词：砷化铟MBE技术
- MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究被引量：2
- 1997年
- 利用ＭＢＥ方法在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长了多层竖直自对准ＩｎＡｓ量子点结构．透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布．同单层量子点相比，多层量子点的光荧光谱线发生红移．这表明由于量子点中载流子波函数的扩展和交迭，柱中量子点之间有耦合现象发生．
- 朱东海范缇文梁基本徐波朱战萍龚谦江潮李含轩周伟王占国
- 关键词：量子点分子束外延自组织生长砷化铟
- 量子点激光器及其应用研究被引量：5
- 2000年
- 报道了用分于束外延生长出自组装垂直耦合InAs/GaAs大功率量子点激光器(QDLaser)材料和器件。对腔长为 80 0 μm ,室温下和 77K下连续激射阈值电流密度分别为 2 18A/cm2 和 4 9A/cm2 ,波长为 96 0nm ,最大输出功率大于lW。首次报道在0 54W工作下 ,寿命超过 30 0 0小时 ,功率仅下降 0 4 9db ,并制备出实用化的大功率量子点激光器激光耦合模块 ,室温连续激射功率超过
- 梁基本徐波龚谦韩勤周伟姜卫红刘会云王占国
- 关键词：激光器量子点分子束外延
- 大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器被引量：7
- 2000年
- 利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :室温连续输出功率大于 3.5W,室温阈值电流密度 2 1 8A/cm2 ,0 .61 W室温连续工作寿命超过
- 王占国刘峰奇梁基本徐波丁鼎龚谦韩勤
- 关键词：量子点激光器砷化镓分子束外延
- 高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性被引量：1
- 1997年
- 本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％．
- 朱东海王占国梁基本徐波朱战萍张隽龚谦金才政丛立方胡雄伟韩勤方祖捷刘斌屠玉珍
- 关键词：单量子阱激光器
- GaAs(311)A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性被引量：8
- 1999年
- 报道了 Ｇａ Ａｓ （３１１） Ａ 衬底上的自组装 Ｉｎ Ａｓ 量子点的结构和光学特性．原子力显微镜结果表明（３１１） Ａ Ｇａ Ａｓ 衬底上的 Ｉｎ Ａｓ 量子点呈箭头状，箭头方向沿［２３３］ 方向．实验发现，量子点的光致发光（ Ｐ Ｌ） 强度、峰位、半高宽都与测量温度密切相关．随着温度的升高，量子点的发光强度减小，峰位快速红移，半高宽单调下降．可以认为这是由于载流子先被热激活到浸润层势垒后再被俘获到能量较低的量子点中进行复合造成的，这一模型圆满解释了我们的实验结果．
- 姜卫红许怀哲龚谦徐波王吉政周伟梁基本王占国
- 关键词：砷化镓衬底砷化铟光学特性
- 大功率量子点激光器的研制
- 梁基本徐波龚谦韩勤
- 关键词：激光器
- In(Ga)As量子点材料的分子束外延生长、性质及激光器的研究
- 龚谦
- 关键词：半导体材料分子束激光器超晶格
- 808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制被引量：5
- 1997年
- 通过对影响GaAs／AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究，制备了性能优良的808umGaAs／AlGaAs大功率激光器材料．应用此材料制作的激光器的结果表明，器件室温连续输出功率1W时，激射波长仍可保持在808nm附近，器件的室温连续输出功率已达2．3W．
- 朱东海梁基本徐波朱战萍张隽龚谦李胜英王占国
- 关键词：半导体激光器砷化镓ALGAAS激射波长
- 红光InAlAs量子点的结构和光学性质被引量：1
- 1999年
- 利用ＭＢＥ方法在（００１）衬底上成功地生长了密度大、尺寸小、发红光的ＩｎＡｌＡｓ／Ａｌ－ＧａＡｓ 量子点结构． 通过原子力显微镜观测表明， ＩｎＡｌＡｓ量子点的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大； 发现Ａｌ原子的表面迁移率决定ＩｎＡｌＡｓ 量子点的形貌． 光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围， 并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要是受量子点的横向尺寸影响．
- 周伟梁基本徐波龚谦李含轩刘峰奇姜卫红江潮许怀哲丁鼎张金福王占国
- 关键词：光荧光
