孔晓明 作品数:4 被引量:6 H指数:1 供职机构: 东南大学能源与环境学院射频与光电集成电路研究所 更多>> 发文基金: 江苏省自然科学基金 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟 被引量:1 2006年 采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作.对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试,测试结果表明射频nMOS管的特征频率fT达到了93GHz,fmax超过了90GHz.采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟.在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果. 池毓宋 黄风义 吴忠洁 张少勇 孔晓明 王志功关键词:CMOS 射频 小信号模型 基于802.11b协议的无线局域网射频接收机系统及其芯片设计 快速发展的无线通信市场对射频接收机的需求量是非常巨大的。低功率,低成本的射频接收机越来越受到市场的青睐。成功设计一个符合所有性能指标的接收机,不仅需要高性能的制造工艺的支持,还需要在系统设计方面的突破,包括系统设计方法和... 孔晓明关键词:无线局域网 射频接收机 CMOS工艺 低噪声放大器 文献传递 低功耗2.4GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计 被引量:3 2006年 我们利用0.18μm CM O S工艺设计了低噪声放大器。所有电感采用片上螺旋电感,全集成在单个芯片上,并实现片内50Ω匹配。本次电路设计分析采用ADS仿真软件,电源电压1V,工作电流8mA,增益为15.4dB,噪声系数2.7dB,线性度指标IIP 3为-0.6dB。结论是CM O S工艺在工艺和模型方面的改进,使得CM O S RF电路设计更为精确,可集成度更高。 孔晓明 黄风义 王志功 张少勇关键词:CMOS射频集成电路 低噪声放大器 噪声系数 砷化镓HBT的VBIC模型研究 被引量:1 2005年 利用国际先进的 2μmInGaP/GaAsHBT工艺加工生产线进行了晶体管芯片的加工,并在器件测试的基础上开展了模型参数的提取.所研究的模型主要是针对异质结双极晶体管器件HBT特别是砷化镓异质结双极晶体管器件,在对常用的几种器件模型,如EM模型、GP模型和VBIC模型的特点做比较的基础上,详细介绍了一种基于IC-CAP系统的准确提取VBIC模型的方法.利用提取的VBIC模型对所制备器件进行了模拟仿真,仿真结果与测试结果相比较二者可以很好吻合至 20GHz. 黄风义 孔晓明 蒋俊洁 姜楠