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张少勇

作品数：6 被引量：8H指数：2
供职机构：东南大学能源与环境学院射频与光电集成电路研究所更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇电路
  • 2篇射频
  • 2篇缩放
  • 2篇集成电路
  • 2篇CMOS
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电路设计
  • 1篇英文
  • 1篇噪声系数
  • 1篇射频集成
  • 1篇射频集成电路
  • 1篇数字集成电路
  • 1篇品质因子
  • 1篇全集成
  • 1篇小信号
  • 1篇小信号模型

机构

  • 6篇东南大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇爱斯泰克(上...

作者

  • 6篇张少勇
  • 5篇黄风义
  • 3篇吴忠洁
  • 3篇池毓宋
  • 2篇孔晓明
  • 2篇王志功
  • 1篇吴文刚
  • 1篇李轶
  • 1篇郝一龙
  • 1篇李志宏
  • 1篇韩翔

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇电气电子教学...
  • 1篇微电子学

年份

  • 4篇2006
  • 2篇2005
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟被引量：1
2006年
采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作.对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试,测试结果表明射频nMOS管的特征频率fT达到了93GHz,fmax超过了90GHz.采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟.在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.
池毓宋黄风义吴忠洁张少勇孔晓明王志功
关键词：CMOS射频小信号模型
硅双极型晶体管的可缩放MEXTRAM模型及参数提取被引量：1
2005年
文章在分析Mextram模型缩放性的基础上,介绍了可缩放Mextram模型的参数提取方法。结合不同几何尺寸的硅双极型晶体管的测试数据,进行了参数提取。得到的可缩放Mextram模型的仿真结果与测试数据吻合得很好。
池毓宋黄风义张少勇吴忠洁
MOSFET模型及MUX/DEMUX电路设计
大规模集成电路是现代信息技术的基础，它的设计和生产水平己成为一个国家科技水平和工业能力的集中体现。器件模型则是联系集成电路设计和生产的纽带。随着CMOS工艺的发展，MOS器件尺寸不断缩小，集成电路设计对器件模型的要求也越...
张少勇
关键词：复接器分接器MOSFET模型高速数字集成电路电路设计
文献传递
表面镀铜悬浮厚单晶硅螺线MEMS电感(英文)
2006年
报道了一种由悬浮在玻璃衬底上的表面镀铜平面单晶硅螺线构成的新型MEMS电感,可消除衬底损耗及减小电阻损耗.采用一种硅玻璃键合深刻蚀成型释放工艺并结合无电镀技术制作该电感,形成厚约40μm的硅螺线,在硅螺线表面镀有高保形厚铜镀层,在铜镀层表面镀有起钝化保护作用的薄镍镀层.该电感的自谐振频率超过15GHz,在11.3GHz下,品质因子达到约40,电感值超过5nH.基于该电感的简化等效电路模型,采用一种特征函数法进行了参数提取,模拟结果与测量结果符合得很好.
吴文刚李轶黄风义韩翔张少勇李志宏郝一龙
关键词：品质因子射频
基于区域化的CMOS模型参数提取方法被引量：2
2005年
根据CMOS的可缩放特性,提出了一种基于区域化(Binning)的模型参数提取方法。本方法首先按器件的尺寸划分区间,然后计算参数的缩放系数,最后根据缩放公式确定同一区间内不同尺寸器件的参数值。而传统的CMOS参数提取方法是在一定的区间内提取一个典型的参数值,用它代表整个区间内器件的参数值。与传统方法相比,本方法提高了模型参数的精度。针对一组0.35μmCMOS器件,利用本方法获得的缩放系数计算了区间内几个单管的模型参数,所得到的结果与针对每个单管提取参数的结果吻合得很好,平均误差小于6%。
张少勇黄风义池毓宋吴忠洁姜楠
关键词：CMOS模型参数可缩放性
低功耗2.4GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计被引量：3
2006年
我们利用0.18μm CM O S工艺设计了低噪声放大器。所有电感采用片上螺旋电感,全集成在单个芯片上,并实现片内50Ω匹配。本次电路设计分析采用ADS仿真软件,电源电压1V,工作电流8mA,增益为15.4dB,噪声系数2.7dB,线性度指标IIP 3为-0.6dB。结论是CM O S工艺在工艺和模型方面的改进,使得CM O S RF电路设计更为精确,可集成度更高。
孔晓明黄风义王志功张少勇
关键词：CMOS射频集成电路低噪声放大器噪声系数
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