孙丽媛
- 作品数：7 被引量：11H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信轻工技术与工程机械工程更多>>
- 银纳米材料修饰的纸基柔性基底SERS性能研究及其增强机理
- 随着表面增强拉曼光谱(SERS)在众多领域中的应用越来越广泛,而传统的SERS基底多为刚性,在面对不规则物体表面时,远不能满足随意弯曲、折叠等需求。另外,纳米材料作为影响SERS的主要因素之一,其形貌、尺寸以及与基底的结...
- 孙丽媛
- 关键词：SERS
- 多台阶器件结构深层表面光刻工艺优化被引量：2
- 2012年
- 针对多台阶器件结构深层表面光刻工艺中存在的问题,对不同台阶高度分别测量了台阶表面及台阶底部沉积的光刻胶厚度,并对台阶高度与光刻胶厚度的关系进行数值描述与分析.基于Beer定律对薄光刻胶光吸收系数的描述,分析了通过实验得到的不同曝光时间下光刻胶的光强透过率曲线,解释了随着曝光时间的增加光刻胶光强透过率发生变化的原因,同时认为光刻胶光吸收系数与光刻胶厚度密切相关.在此基础上,确定了台阶底部堆积光刻胶完全曝光所需时间.优化平面光刻工艺,在不同台阶高度的深台阶表面及底部同时制作出窄线条的高质量图形.
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- 关键词：光刻工艺
- 多台阶器件结构底层表面的光刻方法
- 多台阶器件结构底层表面的光刻方法，属于光刻技术领域。本发明采用SEM观察涂覆光刻胶样品的剖面，测量台阶底部的光刻胶厚度。使用光度分光计及数据拟合方法做出台阶底部光刻胶在不同曝光时间下的透过率曲线，找出光刻胶完全曝光所需时...
- 高志远孙丽媛邹德恕张露吴文荣
- 文献传递
- GaAs/AlGaAs双波段量子阱红外探测器关键工艺研究
- 作为第三代红外焦平面器件的突出代表，由响应两个不同波段的光电二极管在探测芯片纵向上叠加的红外双色探测器，具有高度集成、高可靠、超高速和小型化等特点，从对目标单一的探测功能扩展到对目标的认识，进而最终实现对目标快速识别。这...
- 孙丽媛
- 关键词：红外焦平面探测器ICP刻蚀
- 多台阶器件结构底层表面的光刻方法
- 多台阶器件结构底层表面的光刻方法，属于光刻技术领域。本发明采用SEM观察涂覆光刻胶样品的剖面，测量台阶底部的光刻胶厚度。使用光度分光计及数据拟合方法做出台阶底部光刻胶在不同曝光时间下的透过率曲线，找出光刻胶完全曝光所需时...
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- 文献传递
- 铟锡氧化物扩展层对LED抗静电及漏电性能的影响被引量：1
- 2013年
- 研究了以铟锡氧化物(ITO)薄膜作为电流扩展层及出光窗口层的红光LED的漏电增加和抗静电能力下降的问题。结果发现,器件漏电和抗静电能力造成危害的因素并非ITO本身,而是芯片切割过程中侧壁的机械损伤和划片之后ITO颗粒沾污导致的PN结短路。通过化学腐蚀工艺清保芯片切割处的ITO薄膜、切割过程中侧壁的机械损伤痕迹和ITO颗粒的沾污,不仅使带ITO扩展层的LED器件的光提取效率提高了10%以上,抗静电能力提高了1.6倍,而且器件的漏电未受任何影响。
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- 关键词：漏电
- GaAs材料ICP刻蚀中光刻胶厚度及刻蚀条件对侧壁倾斜度的影响被引量：7
- 2012年
- 使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在光刻过程中采用不同厚度的光刻胶,研究在同一刻蚀条件下不同光刻胶厚度对刻蚀图形侧壁倾斜度的影响,并研究了光刻胶厚度对侧壁倾角影响在不同大小图形刻蚀中的尺寸效应,提出了关于刻蚀机理的尺寸增益现象及可能发生的刻蚀离子的散射模型,解释了光刻胶厚度较大时小线宽图形侧壁倾角变化明显的现象。在研究光刻胶厚度对侧壁倾角影响的基础上,研究了不同ICP刻蚀选择比对GaAs样品刻蚀后侧壁倾角的变化的影响,并从GaAs干法刻蚀机理及刻蚀条件对ICP刻蚀过程中的化学、物理反应的影响来解释这一现象。
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- 关键词：ICP刻蚀光刻胶
