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孙富荣

作品数：3 被引量：10H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇全内反射
  • 3篇光波
  • 3篇光波导开关
  • 3篇波导
  • 3篇波导开关
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子注入
  • 1篇外延层
  • 1篇离子注入
  • 1篇集成光学
  • 1篇交叉型
  • 1篇光开关
  • 1篇光学
  • 1篇废品
  • 1篇半导体
  • 1篇GAAS/G...

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇孙富荣
  • 3篇杨培生
  • 3篇石志文
  • 3篇高俊华
  • 3篇庄婉如
  • 2篇邹正中

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
载流子注入全内反射型GaAs/GaAlAs光波导开关被引量：10
1993年
研制出利用载流子注入能带填充效应制成的全内反射型(CI-TIR)GaAs/GaAlAs光波导开关。开关工作波长为0.87μm,工作电流70mA,消光比14dB,串话-13dB。该开关具有尺寸小,与偏振无关,无阻塞,易集成的优点。
庄婉如林雯华杨培生李任石志文赵一兵孙富荣高俊华刘涛
关键词：光波导开关载流子注入
氧离子注入隔离的全内反射型光波导开关
1996年
研制了一种全内反射型ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ光波导开关。采用氧离子注入形成的高阻特性来作为载流予注入区的隔离。由此获得陡峭的反射面，改善了光开关的性能．在入射光波长为１．３ｕｍ，注入电流为３２ｍＡＴ得到光开关反射端消光比为１８ｄＢ，无注入时的关态串话为－１９ｄＢ．
庄婉如杨培生孙富荣石志文段继宁邹正中高俊华
关键词：光开关离子注入集成光学
一种全内反射半导体光波导开关
本实用新型公开了一种交叉型全内反射半导体光波导开关中的PIN结的结构，它在由半导体基底支撑的光波导I层上外延生长型号与基底材料相反的异型外延层，形成全部外延的PIN结的结构，并在异型外延层与光波导I层周边设置高电阻率的限...
庄婉如杨培生石志文孙富荣高俊华段继宁邹正中
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