您的位置： 专家智库 > >

杨培生

作品数：5 被引量：11H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇波导
  • 3篇全内反射
  • 3篇光波
  • 3篇光波导开关
  • 3篇波导开关
  • 1篇单量子阱
  • 1篇单量子阱激光...
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子注入
  • 1篇外延层
  • 1篇离子注入
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇开关
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇集成光学
  • 1篇交叉型
  • 1篇光电
  • 1篇光电集成
  • 1篇光开关

机构

  • 5篇中国科学院
  • 1篇名古屋工业大...

作者

  • 5篇杨培生
  • 5篇庄婉如
  • 4篇石志文
  • 3篇孙富荣
  • 3篇高俊华
  • 2篇邹正中
  • 1篇康寿万
  • 1篇董玉和

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇光子学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1989
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
InGaAsP的折射率色散及其波导的单膜尺寸
1995年
理论分析了红外光波导开关中波导层Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ_ｙＰ_（１－ｙ）的折射率色散，对波长为１．３μｍ的激光，当ｙ＝０．４０，ｘ＝０．１８时，波导层的折射率为３．３８；当ｙ＝０．００，ｘ＝１．００时，其折射率为３．２１。数值计算得到矩形加载波导的单膜尺寸范围，为光波导开关的设计与制作提供了参考数据。
董玉和康寿万杨培生庄婉如
关键词：波导理论开关
硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器被引量：1
1989年
采用MOCVD方法在硅衬底上生长了带应力超晶格的GaAlAs/GaAs单量子阱外延片,并用质子轰击隔离法制成10微米条形单量子阱激光器.在室温下加脉冲电流(重复频率26KHz,脉宽1μs)观察到受激发射.最低阈电流92mA、激射波长849.2nm,外微分量子效率11％.
庄婉如石志文杨培生梅野正義神保孝志曾我哲夫
关键词：激光器光电集成硅
氧离子注入隔离的全内反射型光波导开关
1996年
研制了一种全内反射型ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ光波导开关。采用氧离子注入形成的高阻特性来作为载流予注入区的隔离。由此获得陡峭的反射面，改善了光开关的性能．在入射光波长为１．３ｕｍ，注入电流为３２ｍＡＴ得到光开关反射端消光比为１８ｄＢ，无注入时的关态串话为－１９ｄＢ．
庄婉如杨培生孙富荣石志文段继宁邹正中高俊华
关键词：光开关离子注入集成光学
载流子注入全内反射型GaAs/GaAlAs光波导开关被引量：10
1993年
研制出利用载流子注入能带填充效应制成的全内反射型(CI-TIR)GaAs/GaAlAs光波导开关。开关工作波长为0.87μm,工作电流70mA,消光比14dB,串话-13dB。该开关具有尺寸小,与偏振无关,无阻塞,易集成的优点。
庄婉如林雯华杨培生李任石志文赵一兵孙富荣高俊华刘涛
关键词：光波导开关载流子注入
一种全内反射半导体光波导开关
本实用新型公开了一种交叉型全内反射半导体光波导开关中的PIN结的结构，它在由半导体基底支撑的光波导I层上外延生长型号与基底材料相反的异型外延层，形成全部外延的PIN结的结构，并在异型外延层与光波导I层周边设置高电阻率的限...
庄婉如杨培生石志文孙富荣高俊华段继宁邹正中
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0