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宋珂

作品数：9 被引量：6H指数：2
供职机构：山东工业大学电力工程学院电子工程系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 8篇半导体
  • 7篇晶格
  • 7篇超晶格
  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 6篇半导体激光
  • 6篇半导体激光器
  • 3篇量子阱半导体...
  • 3篇量子阱材料
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇GAAS/A...
  • 2篇可见光
  • 1篇导体
  • 1篇低压
  • 1篇异质结
  • 1篇砷化镓
  • 1篇齐纳二极管
  • 1篇阈值电流
  • 1篇量子阱激光器

机构

  • 8篇山东工业大学
  • 3篇中国科学院
  • 1篇山东大学

作者

  • 9篇宋珂
  • 8篇张福厚
  • 4篇邢建平
  • 3篇曾一平
  • 1篇高成勇
  • 1篇陈江华
  • 1篇吴德喜

传媒

  • 3篇山东工业大学...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇科技通报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国激光
  • 1篇山东科学
  • 1篇电光系统

年份

  • 6篇1997
  • 3篇1996
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
分子束外延 GaAs/AlGaAs 量子阱材料
1997年
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ．
张福厚陈江华宋珂
关键词：分子束外延超晶格半导体量子阱材料
具有超晶格缓冲层的量子阱激光器的研制被引量：1
1997年
在衬底表面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使阈值电流大幅度降低，光功率成倍增长。所研制出的量子阱激光器室温脉冲平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），波长为７７８ｎｍ，最低阈值电流为３０ｍＡ，阈值电流密度为４００～６００Ａ／ｃｍ２，谱线宽度为５ｎｍ。
张福厚宋珂邢建平郝修田曾一平
关键词：超晶格半导体激光器
780nm可见光量子阱半导体激光器
1996年
研制出的波长为７８０±２ｎｍ的可见光量子阱半导体激光器，室温平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），最低阈值电流为３０ｍＡ。
宋珂张福厚郝修田
关键词：超晶格半导体激光器阈值电流
具有超晶格缓冲层的780nm量子阱半导体激光器
1997年
在衬底面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使闵值电流大幅度降低，提高光功率。
宋珂张福厚
关键词：超晶格半导体激光器
分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究
1997年
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料。采用ＧａＡｓ／Ａｌ－ＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ。
宋珂张福厚邢建平曾一平
关键词：分子束外延超晶格砷化镓
采用有效质量法对Al_yGa_（1－y）As／Al_xGa_（1－x）As单量被引量：3
1996年
介绍了研制的单量子阱半导体激光器（ＳＱＷＨＬ）的基本结构及能带图．为了理论分析的方便，采用有效质量方法进行了理论分析和计算．其中，将超晶格的一些基本观点进行了约化，以期望更方便地应用于单量子阱结构的研究．结果表明，理论值（波长７７５ｎｍ）和实验值相吻合．说明将超晶格基本观点进行了约化后，有效质量方法对单量子阱结构的理论分析和计算是十分有效的方法．
张福厚宋珂郝修田邢建平
关键词：异质结半导体激光器
低压齐纳二极管的研制被引量：2
1996年
本文论证了面结型低压齐纳二极管的击穿机理为隧道击穿．提出了一种新型的面结型低压齐纳二极管的结构，以及相应于此种结构的工艺流程．论述了衬底材料的选择等问题．实验结果表明，此种结构是成功的．做出了符合用户要求的低压齐纳二极管．
宋珂吴德喜高成勇
关键词：半导体二极管二极管齐纳二极管低压
分子束外延具有GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层的量子阱材料
1997年
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了具有ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层的单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ．
宋珂张福厚邢建平曾一平
关键词：分子束外延缓冲层超晶格半导体激光器
可见光量子阱半导体激光器的研制
1997年
研制出的波长为７７８ｎｍ的可见光量子阱半导体激光器，室温脉冲激射平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），最低阈值电流为３０ｍＡ。
宋珂张福厚郝修田
关键词：超晶格半导体激光器
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