您的位置： 专家智库 > >

张福厚

作品数：20 被引量：20H指数：3
供职机构：山东工业大学更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇中文期刊文章

领域

  • 17篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 12篇激光
  • 12篇激光器
  • 11篇半导体
  • 10篇半导体激光
  • 10篇半导体激光器
  • 8篇晶格
  • 8篇超晶格
  • 4篇量子阱半导体...
  • 3篇量子阱材料
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇GAAS/A...
  • 2篇异质结
  • 2篇偏振
  • 2篇偏振光
  • 2篇量子阱激光器
  • 2篇可见光
  • 2篇缓冲层
  • 2篇光波
  • 2篇波导

机构

  • 18篇山东工业大学
  • 4篇中国科学院
  • 2篇山东大学

作者

  • 20篇张福厚
  • 8篇宋珂
  • 4篇曾一平
  • 4篇邢建平
  • 3篇刘东红
  • 3篇高建华
  • 3篇于复生
  • 2篇陈江华
  • 2篇陈江华
  • 2篇张玉生
  • 1篇郝修田
  • 1篇戴瑛
  • 1篇李树强
  • 1篇李富佩
  • 1篇孟繁民
  • 1篇李月芬

传媒

  • 6篇山东工业大学...
  • 3篇山东电子
  • 3篇半导体光电
  • 2篇中国激光
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇科技通报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇光学学报
  • 1篇山东科学
  • 1篇电光系统

年份

  • 2篇2000
  • 2篇1998
  • 8篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 1篇1989
共 20 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
电脑、电视、电话信息查询系统的开发
1997年
本文简述了电脑、电视、电话信息查询技术的目前状况,并阐述了在WINDOWS环境下开发此系统的软件、硬件环境和具体实现方法,对该系统的应用领域和发展前景也作了讨论,并详细介绍了软件流程。
郝修田张福厚倪惠青
关键词：硬件信息查询多媒体技术
分子束外延 GaAs/AlGaAs 量子阱材料
1997年
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ．
张福厚陈江华宋珂
关键词：分子束外延超晶格半导体量子阱材料
具有超晶格缓冲层的量子阱激光器的研制被引量：1
1997年
在衬底表面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使阈值电流大幅度降低，光功率成倍增长。所研制出的量子阱激光器室温脉冲平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），波长为７７８ｎｍ，最低阈值电流为３０ｍＡ，阈值电流密度为４００～６００Ａ／ｃｍ２，谱线宽度为５ｎｍ。
张福厚宋珂邢建平郝修田曾一平
关键词：超晶格半导体激光器
780nm可见光量子阱半导体激光器
1996年
研制出的波长为７８０±２ｎｍ的可见光量子阱半导体激光器，室温平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），最低阈值电流为３０ｍＡ。
宋珂张福厚郝修田
关键词：超晶格半导体激光器阈值电流
具有超晶格缓冲层的780nm量子阱半导体激光器
1997年
在衬底面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使闵值电流大幅度降低，提高光功率。
宋珂张福厚
关键词：超晶格半导体激光器
移相器——光晶体管
1990年
本文首先阐述移相器的工作原理,然后讨论以移相器为基础构成的逻辑元件的原理。
张福厚高建华李富佩
关键词：移相器光晶体管
双异质结半导体激光器（DHL）的研制
1995年
采用液相外延（ＬＰＥ）技术成功地研制出室温脉冲激发的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ双异质结激光器．脉冲电压３０Ｖ，频率１０ｋＨｚ，脉冲宽度约１μｓ，脉冲功率约１０ｍＷ，波长８５６．７ｎｍ．较详细地介绍了器件制作的后工艺过程．
刘东红张福厚高建华戴瑛孟繁民张玉生
关键词：双异质结激光器液相外延生长半导体激光器
980nm应变单量子阱的理论设计被引量：8
2000年
研究了应变单量子阱势阱宽度的计算方法 ,为应变单量子阱的设计提供了理论依据 .对于确定的材料组份 ,根据应变理论及有限深势阱的处理方法 ,系统地计算了 980 nm应变单量子阱宽度 。
李树强陈江华于复生夏伟张福厚
关键词：应变层半导体激光器单量子阱
分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究
1997年
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料。采用ＧａＡｓ／Ａｌ－ＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ。
宋珂张福厚邢建平曾一平
关键词：分子束外延超晶格砷化镓
具有透明波导的量子阱半导体激光器及其光集成技术
1997年
本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。
张福厚宋珂
关键词：波导半导体激光器
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0