张廷庆
- 作品数：32 被引量：54H指数：4
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- BF2^＋注入硅栅PMOSFETγ辐照效应被引量：2
- 1995年
- 本文系统地研究了ＢＦ２＾＋注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ２＾＋注入抗γ辐照加固的机理。结果表明，ＢＦ２＾＋注入是一种抗γ辐照加固的新方法。
- 张廷庆刘家璐张正选赵元富
- 关键词：离子注入Γ辐照
- BF_2^+注入多晶硅栅的SIMS分析被引量：1
- 1994年
- 文本采用SIMS技术,分析了BF_2^+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO_2中的迁移特性。结果表明,80keV,2×10^(15)和5×10^(15)cm^(-2) BF_2^+注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO_a中。F在多晶硅和SiO_2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。
- 刘家璐张廷庆张正选赵元富
- 关键词：三氟化硼硅栅SIMS
- 电荷耦合器件电荷传输效率的模拟与分析
- 2000年
- 在自由电荷传输模型的基础上得到了电荷耦合器件电荷传输效率的表达式 ,编制了电荷耦合器件电荷传输效率优化设计软件 .通过对模拟结果的分析 ,提出了提高电荷耦合器件电荷传输效率的具体意见 .
- 赵志强张廷庆刘家璐
- 关键词：电荷耦合器件
- InSb红外探测器衬底应力的模拟与分析被引量：3
- 2001年
- 根据线性弹性理论集中力的假定 ,计算了矩形膜淀积在InSb衬底上的三维应力分布 ;讨论了钝化膜对InSb衬底应力的影响 ;提出了提高InSb平面二极管可靠性的措施 .
- 刘家璐李煜刘传洋刘泽宋李梅张廷庆
- 关键词：钝化膜锑化铟可靠性红外探测器
- 铍注入锑化铟快速热退火的研究被引量：2
- 1994年
- 借助ＳＩＭＳ、ＡＥＳ、ＲＢＳ和ＴＥＭ对Ｂｅ注入ＩｎＳｂ的快速热退火特性进行了深入的研究．Ｂｅ注入能量为１００ｋｅＶ，注人剂量为５×１０１４ｃｍ－２．快速热退火温度范围为３００—５００℃，退火时间为３０—６０秒．结果表明，快速退火后，Ｂｅ注入分布剖面的内侧不存在再分布，但峰值浓度有不同程度的降低，表面存在Ｂｅ的外扩散．３５０℃退火，Ｂｅ注入ＩｎＳｂ的晶体损伤基本消除，ＩｎＳｂ表层不存在化学配比的偏离．退火温度超过３５０℃，ＩｎＳｂ表层发生热分解，产生Ｓｂ的耗尽，形成由Ｉｎ、Ｓｂ及其氧化物组成的复杂结构．退火温度为４００℃，在距ＩｎＳｂ表面２７００—５９００之间观察到一条由小位错环组成的缺陷带．
- 张廷庆刘家璐
- 关键词：锑化铟离子注入铍退火
- BF_2^+注入多晶硅栅常规热退火氟迁移特性的二次离子质谱分析
- 1997年
- 借助二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术，深入地、系统地分析了８０ｋｅＶ，２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在常规热退火条件下，Ｆ在多晶硅栅中的分布及迁移特性．Ｆ在多晶硅栅中的迁移，不但存在着扩散机制，而且还存在着发射和吸收机制。
- 刘家璐张廷庆李建军赵元富
- 关键词：多晶硅栅离子注入SIMS迁移性
- 金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应被引量：13
- 2000年
- 研究了金属 氧化物 半导体 (MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应 .采用加固的CC40 0 7进行辐照实验 ,在不同温度、不同偏压 ,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比较 ,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢 .高温下辐照的器件 ,界面态建立的时间缩短 .根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨 .
- 王剑屏徐娜军张廷庆汤华莲刘家璐刘传洋姚育娟彭宏论何宝平张正选
- 关键词：Γ辐照温度效应
- 氟在多晶硅栅中迁移特性的分析与模拟
- 1998年
- 在深入分析氟在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了氟在多晶硅栅中的迁移方程．采用有限差分法，模拟了氟在多晶硅栅中的分布，模拟结果与实验符合得很好．给出了氟在多晶硅中的发射系数ｅ约为６×１０－２／ｓ，氟在晶粒间界的扩散系数Ｄｂ＝９×１０－１２ｅｘｐ（－０．８９５／ｋＴ）和氟在Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面的吸收系数Ｓ１与温度的变化关系．
- 张廷庆李建军刘家璐赵元富
- 关键词：多晶硅栅氟MOS器件硅
- 深槽隔离及其在双极型电路中的应用被引量：2
- 1990年
- 本文简要回顾了双极型集成电路隔离技术的发展,着重分析讨论了八十年代发展起来的深槽隔离技术及其在双极型集成电路中的应用。
- 张廷庆刘家璐
- 关键词：双极型集成电路隔离术
- BF_2^+注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析
- 1998年
- 本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的迁移特性进行了深入的分析和讨论．Ｆ在多晶硅栅中的迁移，不但存在着Ｆ的扩散，而且还存在着Ｆ的发射和吸收，据此成功地解释了实验结果．
- 张廷庆刘家璐李建军李建军
- 关键词：多晶硅单晶硅
