张慧君
- 作品数：12 被引量：106H指数：6
- 供职机构：西北工业大学材料学院更多>>
- 发文基金：中国航空科学基金国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3-LiTaO_3无铅压电陶瓷的研究被引量：7
- 2006年
- 采用传统固相反应合成法制备（1-x）Na0．5K0．5NbO3-LiTaO3无铅压电陶瓷，研究了LiTaO3对Na0．5K0．5NbO3材料晶体结构和压电性能的影响。结果表明：随着LiTaO3含量的增加，材料逐渐由斜方相向四方相过渡。当x〈0．06时，材料为斜方相；当．x〉0．06时，材料为四方相：并发现有未知相结构的Ta2O5存在；材料在x=0．06处为准同型相界，该组分材料具有良好的压电性能：d33=134～151pC·N^-1，kp=30％～38％，Qm=153，Nd=318lHz·m。
- 张慧君赵鸣张昌松高峰田长生
- 关键词：无机非金属材料无铅压电陶瓷准同型相界压电性能
- 工艺参数对熔盐法制备Bi_4Ti_3O_(12)的影响被引量：2
- 2007年
- 为了获得片状粉体用于无铅压电陶瓷晶粒的定向生长,采用NaCl-KCl熔盐法制备了各向异性的片状Bi4Ti3O12粉体,研究了预烧温度和熔盐含量对粉体的显微组织结构和形貌各向异性的影响,计算了粉体径向尺寸与厚度尺寸的比值以表征粉体的各向异性.研究表明:随着预烧温度的升高,粉体尺寸不断增加,各向异性逐渐增大,最佳预烧温度为950℃;采用熔盐法可制备出纯Bi4Ti3O12相粉体,随熔盐含量增加,钛酸铋粉体尺寸及各向异性程度明显增大,并在烧结后的Bi4Ti3O12陶瓷中有织构产生.
- 高峰张昌松洪荣子张慧君田长生
- 关键词：熔盐法预烧温度织构
- Na<,0.5>K<,0.5>NbO<,3>-LiTaO<,3>无铅压电陶瓷的制备与电性能研究
- 铅基PZT材料在压电陶瓷领域一直占据着研究和应用的主导地位。但是铅毒性很高，随着人们对生存环境质量要求的提高，作为无铅材料的碱性铌酸盐目前备受压电材料研究领域关注。本文选取铌酸钾钠陶瓷体系，通过固相反应合成法制备了(1-...
- 张慧君
- 关键词：压电陶瓷电性能
- 文献传递
- 熔盐法制备Bi_4Ti_3O_(12)的研究被引量：15
- 2005年
- 采用NaCl-KCl熔盐法制备了各向异性的Bi4Ti3O12粉体和陶瓷,研究了熔盐含量对粉体尺寸、形貌以及陶瓷的显微组织结构和介电性能的影响。结果表明采用熔盐法可制备出纯Bi4Ti3O12相的粉体和陶瓷,随熔盐含量增加,钛酸铋粉体尺寸及各向异性的程度明显增大;烧结后的Bi4Ti3O12陶瓷晶粒呈片状,且随熔盐含量的增加,钛酸铋陶瓷产生织构;对陶瓷介电性能的研究表明随熔盐含量增加,钛酸铋陶瓷的绝缘电阻率和介电常数增大,介电损耗减小。
- 高峰张昌松张慧君田长生
- 关键词：钛酸铋熔盐法织构介电性能
- V／Sb预合成粉对ZnO-V_2O_5基压敏电阻材料的影响
- 2006年
- 基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在95℃合成了组织均匀、瓷体相对密度>98％、非线性系数>50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料。Sb以V2O5／Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结。随着预合成粉含量的增加,Sb3+离子对Zn22离子的取代量增加,材料内部VZn n等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性。
- 赵鸣王卫民张慧君高峰田长生
- 铌酸钠钾基无铅压电陶瓷的相结构与压电性能被引量：18
- 2006年
- 采用传统固相反应合成法制备了结构致密的(1-x)Na0.5K0.5NbO3-xLiTaO3(KNNT)无铅压电陶瓷,研究了LiTaO3对Na0.5K0.5NbO3材料晶体结构和压电性能的影响。结果表明,随着LiTaO3含量的增加,材料的钙钛矿结构由斜方相向四方相转变,KNNT材料的准同型相界位于0.04 mol
- 高峰张慧君刘向春王卫民田长生
- 关键词：无铅压电陶瓷晶体结构压电性能铁电相变
- 铁电陶瓷/铁氧体叠层共烧体的介电特性被引量：2
- 2005年
- 采用电介质物理学等效电路分析方法研究了Pb(Ni1/3Nb2/3)O3基铁电陶瓷与NiZnCu铁氧体叠层共烧体的介电频率响应,探讨了共烧体界面对介电性能的影响。结果表明,叠层共烧体的介电常数随频率的增加而减小,介电损耗随着频率的增加先增大后减小,有明显的损耗峰出现;界面扩散层对叠层共烧体电学响应有影响,叠层共烧体等效电路可视为介电材料层、铁氧体材料层和界面扩散层Cre-Rre等效电路的串联,并且界面扩散层会对叠层共烧体低频部分的介电响应起作用。
- 高峰刘向春王卫民张慧君田长生
- 关键词：铁电陶瓷铁氧体介电性能
- 合成工艺对ZnVSb基压敏陶瓷性能的影响被引量：2
- 2007年
- 研究了三种合成工艺对ZnVSb系压敏电阻烧结、显微结构和性能的影响。通过对陶瓷密度、显微结构及电学特性的检测、分析发现:化学计量比相同情况下,与V2O5+Sb2O3预热处理工艺相比,以SbVO4取代Sb2O3合成工艺及传统氧化物合成工艺逐步加剧了尖晶石相在材料中的形成和掺杂元素在晶界的偏聚;导致材料内部晶界势垒逐渐升高,材料的非线性系数及压敏电压逐渐上升。研究结果为ZVSb系压敏电阻材料的设计、制备提供了新的思路。
- 赵鸣王卫民高峰张慧君田长生
- 关键词：合成工艺
- NTC热敏电阻材料组成及制备工艺研究进展被引量：31
- 2005年
- 本文对含锰尖晶石系列热敏电阻材料的组成、制备工艺和性能给予了评述。提出了NTC多层片式化、老化特性等目前该领域中几点前沿性热点问题。
- 王卫民赵鸣张慧君高峰田长生
- 关键词：NTC尖晶石
- 钨掺杂PZN-PZT陶瓷的结构与压电性能的研究被引量：14
- 2005年
- 用二次合成法制备了掺杂WO3的PZN-PZT压电陶瓷,研究了WO3对PZN-PZT陶瓷晶胞结构与压电性能的影响,结果表明钨掺杂促进PZN-PZT陶瓷的烧结致密化,于1100℃下形成晶界清晰,结构致密的陶瓷。钨掺杂引起晶格畸变,随着钨含量的增加,晶格常数a和c减小,四方度降低;对压电性能的研究表明随着钨含量的增加,PZN-PZT陶瓷的矫顽场Ec、自发极化强度Ps、机电耦合系数Kp和压电常数d33减小,介电常数ε和机械品质因数Qm增大,绝缘电阻率ρ先增加后减小;PZN-PZT陶瓷在WO3掺杂量为1.0％(质量分数)时具有最佳综合性能。
- 高峰张昌松王卫民张慧君田长生
- 关键词：掺杂晶格常数压电性能电滞回线
