张文静
- 作品数：17 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信生物学石油与天然气工程天文地球更多>>
- 煤层气田产出水的水文地球化学特征-以沁水盆地南部为例
- 杨梅琚宜文佟莉房立志张文静侯泉林
- 一种具有挡光环结构的冷光阑
- 本发明公开了一种具有挡光环结构的冷光阑。其特点是在冷光阑的内壁合理的增加两个挡光环，同时挡光环的表面还涂覆一层性能良好的“黑色”涂层，从而能有效的减少杂散光。该设计能很好的提高系统的信噪比，增加对比度，改善整个系统的探测...
- 张燕贺香荣王小坤曾志江李淘张文静范广宇
- 文献传递
- 一种具有挡光环结构的冷光阑
- 本发明公开了一种具有挡光环结构的冷光阑。其特点是在冷光阑的内壁合理的增加两个挡光环，同时挡光环的表面还涂覆一层性能良好的“黑色”涂层，从而能有效的减少杂散光。该设计能很好的提高系统的信噪比，增加对比度，改善整个系统的探测...
- 张燕贺香荣王小坤曾志江李淘张文静范广宇
- 文献传递
- 微卫星DNA及ISSR技术在原生动物中的应用研究
- 首次把微卫星DNA以及相关的ISSR(inter simple sequence repeat)技术引入自由生活原生动物分子生物学领域。 一、对原生动物微卫星引物特异性和适用性进行了研究，采用寄生种类克氏锥虫的8个...
- 张文静
- 关键词：原生动物微卫星DNA
- 文献传递
- 一种具有内增益的紫外探测器及制备方法
- 本发明公开了一种具有内增益的紫外探测器及其制备方法。它通过多次表面处理、双次钝化而减小大反偏电压下的暗电流，提高器件的大反偏电压下性能。利用这种方法得到的探测器具有稳定的内增益，可以达到被探测信号在探测器内部被放大的目的...
- 王玲许金通袁永刚包西昌张文静李超张燕李向阳
- 文献传递
- 平面型GaN p-n结探测器的制备与性能
- 2011年
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了p-GaN单晶薄膜.高温(>1100℃)处理及未处理样品的双晶摇摆曲线测试表明高于1150℃会使材料的晶体质量明显变差,这为平面型紫外探测器制备中的部分注入激活条件提供了选择依据.通过TRIM软件优化了注入条件,在选择性注入改型材料上成功制备了平面GaN p-n结型光电探测器.测试结果表明:室温下的零偏压暗电流密度为4.7 nA/cm2,而-5 V偏压下的暗电流密度则达到了67μA/cm2.室温下的峰值响应率0.065 A/W出现在368 nm处.在低温下器件的峰值响应明显降低,80 K时,360 nm处的峰值响应率仅为0.039 A/W.禁带宽度、串联电阻、内建电场等是引起探测器响应率随温度降低的原因.
- 包西昌张文静刘诗嘉李超李向阳
- 关键词：GAN离子注入电流特性
- 我国煤层气与页岩气富集特征与开采技术的共性与差异性
- 煤层气和页岩气是重要的非常规资源。目前我国的煤层气产业已实现商业化生产,但页岩气还处于试验阶段。在一些能源盆地中,会同时存在煤层气和页岩气源岩,它们可能相邻或处于较近或较远层位。尽管煤层气和页岩气在气体的来源与赋存层位等...
- 琚宜文颜志丰李朝锋房立志张文静
- 关键词：煤层气页岩气储层改造
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- 半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统
- 本发明公开了一种半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统，它用于对半导体薄膜材料透过率均匀性的检测。测试系统由光源、单色仪、光学系统、二维步进扫描装置、信号接收装置、数据处理设备和计算机组成。系统利用紫外波段半导体外延材料...
- 苏志国许金通张文静胡其欣袁永刚李向阳刘骥
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- 背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器及制备方法
- 本发明公开了一种背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器，其特征在于，包括：一衬底；一AlN缓冲层；Si掺杂的n型Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x</Sub>N(0＜x≤0.8)层；一有源层，为本征或弱n...
- 包西昌张文静许金通王玲李超储开慧王妮丽张燕李向阳
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- 日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性
- 2010年
- 对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究。室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA/cm2,278 nm的峰值响应率为0.042 A/W。电容频率特性表明:器件电容随着频率的增大先迅速后缓慢地降低,但在频率高于100 kHz后又加速下降。通过器件低频下的电容计算可得,其耗尽层宽度为160 nm,低于设计的本征层厚度,说明器件的本征层没有完全耗尽。因此,未耗尽本征层的高电阻是引起100 kHz附近电容又快速下降的重要原因,由不同频率下1/C2-V曲线的变化关系及其斜率计算的杂质浓度等结果进一步证实了这一结论。
- 包西昌李超张文静王玲李向阳
- 关键词：ALGAN电容特性
