张晓菊
- 作品数：15 被引量：21H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于量子微扰的AlGaN/GaN异质结波函数半解析求解被引量：5
- 2003年
- 基于量子力学微扰理论的分析 ,得到AlGaN GaN异质结波函数的半解析模型 .给出了模型的理论分析和计算结果 .对于相同问题 ,给出了与差分算法的对照结果 .与传统的差分方法相比 ,半解析方法具有收敛性强、大规模问题计算效率高的特点 ,更适合作为AlGaN GaN异质结量子阱的求解算法 .
- 李培咸郝跃范隆张进城张金凤张晓菊
- 关键词：薛定谔方程量子力学差分算法
- 槽栅MOSFET's的阈值电压解析模型被引量：2
- 2004年
- 给出了槽栅 MOSFET的阈值电压解析模型 ,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律 .分析和对比结果显示 ,该模型较好地表征了小尺寸槽栅器件的阈值电压特性 。
- 张晓菊任红霞冯倩郝跃
- 关键词：槽栅MOSFET阈值电压解析模型
- 0.1μm槽栅CMOS器件及相关特性
- 2005年
- 通过实验成功得到了0 1μm槽栅结构CMOS器件,验证了理论结果的正确性,表明这是一种优良的小尺寸器件结构.该槽栅器件具有阈值电压漂移较小及较好抑制短沟道效应的特点,并分析了目前器件驱动电流较小的原因及解决办法.
- 张晓菊马晓华任红霞郝跃孙宝刚
- 关键词：CMOS超深亚微米
- 槽栅MOSFET's器件特性及其工艺技术研究
- 该文从器件特性、工艺技术以及理论分析三方面对槽栅器件进行了分析研究.首先对槽栅器件的性能进行了仿真,并与平面器件进行了比较,指出其性能上的改进主要源于凹槽结构所带来的拐角效应,因而较好地抑制了小尺寸效应,但同时也导致了漏...
- 张晓菊
- 关键词：阈值电压解析模型刻蚀工艺
- 文献传递
- 槽栅结构对小尺寸MOS器件特性的影响
- 2003年
- 基于流体动力学能量传输模型,研究了深亚微米槽栅结构MOSFET对小尺寸效应的影响,并与相应平面器件的特性进行了比较。研究结果表明,由于栅介质拐角效应的存在,槽栅结构在深亚微米区域能够很好地抑制小尺寸带来的短沟道效应、漏感应势垒降低等效应,且很好地降低了亚阈特性的退化,器件具有较好的输出特性和转移特性。
- 张晓菊任红霞马晓华郝跃
- 关键词：MOSFET小尺寸效应MOS器件
- SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究被引量：9
- 2004年
- 利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN :Mg薄膜特性进行研究发现 :除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外 ,大部分Mg原子以间隙原子状态 (Mgi)存在 ,并且在缺陷或者位错处大量聚集引起薄膜张力应力减小 ,薄膜在降温过程中由于应力不均匀会在部分区域内出现大量的裂纹 ;Mg的掺杂会加剧GaN无序化程度 ,致使薄膜质量变差 ;而室温下的PL谱测量表明蓝带发光由DAP(深施主—浅受主 )复合引起 ,其中D为MgGaVN ,A为MgGa.
- 冯倩郝跃张晓菊刘玉龙
- 关键词：碳化硅衬底扫描电子显微镜拉曼散射光谱光致发光谱化合物半导体
- 施主型界面态引起深亚微米槽栅PMOS特性的退化被引量：2
- 2004年
- 基于流体动力学能量输运模型 ,对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面 PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究 ,并与受主型界面态的影响进行了对比 .研究结果表明同样浓度的界面态在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件 ,且 N型施主界面态密度对器件特性的影响远大于 P型界面态 ,N型施主界面态引起器件特性的退化趋势与 P型受主界面态相似 ,而 P型施主界面态则与 N型受主界面态相似 .沟道杂质浓度不同 。
- 任红霞张晓菊郝跃
- 关键词：槽栅PMOSFET
- 基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究被引量：3
- 2005年
- 采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2GHz的结果.
- 刘道广郝跃徐世六李开成刘玉奎刘嵘侃张静胡辉勇李培咸张晓菊徐学良
- 关键词：自对准最高振荡频率
- 基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件
- 2005年
- 采用干 /湿法腐蚀相结合技术 ,利用氢氧化钾 (KOH)溶液和六氟化硫 (SF6)对Si及SiGe材料进行腐蚀 ,研究自对准Si/SiGeHBT台面器件 ,获得了fT=4 0GHz ,fmax=12 7
- 刘道广郝跃徐世六李开成李培咸张晓菊张金凤郑雪峰张静刘嵘侃刘伦才
- 关键词：自对准SIGE材料
- npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析
- 2006年
- 基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.
- 龚欣马琳张晓菊张金凤杨燕郝跃
- 关键词：GAN物理模型异质结双极晶体管
