张正璠
- 作品数：39 被引量：77H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：教育部重点实验室开放基金国防科技技术预先研究基金更多>>
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- 一种Σ-△A/D转换器抽取滤波器的设计被引量：1
- 2010年
- 设计了一种Σ-ΔA/D转换器中的数字抽取滤波器。该滤波器应用于音频范围,采用多级多采样率的结构,由梳状滤波器、补偿滤波器以及两个半带滤波器组成。滤波器系数用标准符号编码实现,减少了乘法单元的使用。采用Simulink模拟过采样128倍的4位调制器输出;用Verilog编写用于测试的滤波器代码。在Matlab中分析滤波器输出码流,得到的信噪比为101 dB,能够满足高端音频A/D转换器的要求。
- 吴倩瑜张正璠李儒章石立春
- 关键词：A/D转换器数字抽取滤波器
- 一种高速高线性采保电路的设计
- 2010年
- 本文设计了一种拓扑结构为开环,基于栅压自举开关技术的S/H电路。在Cadence Spectre环境下进行仿真,在1.6GSPS的采样速率下,当输入信号为775MHz,1Vpp的正弦波时,该采样/保持电路的SFDR达到55.63dB,THD为-53.93dB。
- 周杨张正璠李儒章
- 关键词：AD转换器采样保持电路
- 一种硅光电接收处理集成电路的技术研究被引量：2
- 2006年
- 介绍了一种在硅衬底上集成光电二极管探测器和双极接收放大处理电路的单芯片光电集成电路OEIC。从理论上阐述了光电器件实现的原理;为实现光电探测二极管与单片双极集成电路的兼容,设计了光电探测器的专用结构,并研制了光电探测器的专用模型。对接收处理电路进行了模拟仿真和优化设计。建立了与双极工艺兼容的制作光电二极管探测器的专用工艺;采用该工艺,对光电器件进行了版图设计、工艺制作和测试研究,给出了初步试验的方法和结果。
- 杨卫东张正璠李开成欧红旗黄文刚
- 关键词：光电二极管光电探测器双极集成电路
- 一种高速CMOS预放大锁存比较器被引量：1
- 2007年
- 介绍了一种适合于高速模数转换器(ADCs)的预放大-锁存(preamplifier-latch)CMOS比较器。此电路结构包括一个预放大器、锁存比较器和输出缓冲器。在预放大器和正反馈锁存比较器之间加入分离电路,以此来减少回扫(kickback)噪声对电路的影响。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,该比较器在时钟频率为500 MHz,采样频率为40 MHz的时候,可以达到30μV的精度,功耗大约为0.6 mW。
- 张奉江张红张正璠
- 关键词：模数转换器
- 增加集成电路器件集成密度的半导体制造方法
- 本发明涉及一种增加集成电路器件集成密度的半导体制造方法，针对集成电路采用PN结隔离和穿透扩散占用较大面积以及常规深槽隔离存在高台阶、高电场、高应力和不良钳位隐患的问题，本发明采用深槽扩散隔离和深槽穿透扩散结构，实现器件集...
- 谭开洲张静张正璠
- 文献传递
- 一种10位40 MHz两步式A/D转换器
- 2006年
- 提出了一种基于两步转换法(5+6)的高速高精度A/D转换器体系结构,其优点是可以大幅度降低芯片的功耗及面积。采用这种结构,设计了一个10位40 MHz的A/D转换器,并用0.6μm BiCMOS工艺实现。经过电路模拟仿真,在40 MHz转换速率,1 V输入信号(Vp-p),5 V电源电压时,信噪比(SNR)为63.3 dB,积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)均小于10位转换器的±0.5 LSB,电源电流为85.4 mA。样品测试结果:SNR为55 dB,INL和DNL小于10位转换器的±1.75 LSB。
- 周秀兰肖坤光张正璠
- 关键词：比较器
- 一种串行逐次逼近10位D/A转换器被引量：2
- 2006年
- 首先对几种形式的D/A转换器进行了比较,设计了一种电容型D/A转换器。这些电容在逐次逼近结构中构成二进制权阵列。这种结构的D/A转换器动态范围大、建立时间短,精度易于保证;且它的温度系数、电压系数、功耗及面积均优于电阻型D/A转换器。在Cadence SpectreS环境下进行仿真验证,该转换器信噪比为49 dB,积分非线性为±0.5 LSB。
- 张红李红宝陈海燕张管兴张正璠
- 关键词：比较器
- 双极归零信号发生电路
- 本发明公开了一种双极归零信号产生电路。它主要由两个与非门andNot1和andNot2、两个驱动电路drive1、drive2和四个开关SW1-SW4组成。本发明电路利用基于P阱的NMOS管和PMOS管构成的开关，切换接...
- 舒辉然李儒章张正璠张加斌
- 文献传递
- 一种高电源抑制比的NMOS基准电压源
- 本发明公开了一种高电源抑制比的NMOS基准电压源，它含有：一个NMOS预基准源电路，其输出为基准源电路供电，包括四个耗尽型NMOS管和四个增强型NMOS管；一个基准源电路，包括四个耗尽型NMOS管和四个增强型NMOS管。...
- 胡永贵张正璠朱冬梅许云余金锋王敬廖良
- 文献传递
- 有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制被引量：9
- 2005年
- 提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF 新结构高压LDMOS器件.该结构器件与常规 LDMOS相比,采用了相对较薄的外延层,使之与标准 CMOS工艺的兼容性得到了改善.基于二维器件仿真软件 MEDICI分析了 n埋层的浓度、长度和 p-降场层的杂质浓度分布对器件耐压的影响,并进行了器件和工艺的优化设计.在国内工艺生产线成功地研制出1200V高压LDMOS,并已用于1200V功率集成电路中.
- 方健张正璠雷宇乔明李肇基张波
- 关键词：高压LDMOS击穿电压
