张鹏举
- 作品数：17 被引量：19H指数：2
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 一种用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法
- 本发明提供的用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法，其特正在于采取A.衬底清洗，B.甩胶，C.生长材料，D.剥离的技术步骤，获得用于透射电镜实验的非晶态薄膜样品，生长薄膜材料的衬底，可采用载玻片、硅片、石英片或者宝石片...
- 孔金丞赵俊孔令德张鹏举王光华李雄军杨丽丽姬荣斌
- 文献传递
- 非晶态碲镉汞薄膜研究
- 在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(α-HgCdTe，α-MCT)薄膜的低温生长，获得了射频磁控溅射生长α-MCT薄膜的“生长窗口”。利用X射线衍射(XRD)技术对所生长的薄膜进行分析研究，α-MCT薄膜的...
- 孔金丞张鹏举孔令德赵俊李雄军杨丽丽姬荣斌
- 关键词：射频磁控溅射红外透射谱光学带隙真空退火
- 一种用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法
- 本发明提供的用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法，其特正在于采取A.衬底清洗，B.甩胶，C.生长材料，D.剥离的技术步骤，获得用于透射电镜实验的非晶态薄膜样品，生长薄膜材料的衬底，可采用载玻片、硅片、石英片或者宝石片...
- 孔金丞赵俊孔令德张鹏举王光华李雄军杨丽丽姬荣斌
- 一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法
- 一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法，其特征在于采用晶态碲化镉(CdTe)、碲化汞(HgTe)做原材料，通过A.确定靶材组分，B.质量计算，C.研磨，D.称量，E.混合，F.冷轧的工艺步骤，实现生长碲镉汞薄膜的靶材制备，该靶...
- 孔金丞孔令德赵俊王光华张鹏举姬荣斌
- 文献传递
- 一种新的生长碲锌镉晶体技术
- 本发明属于一种生长晶体的工艺方法，主要用于碲锌镉晶锭的晶体生长。其主要技术方案是：按照选定的优势引晶晶向，制备出一定规格范围的籽晶块或棒，将籽晶装入石英管底腔中，石英管上部装入碲锌镉合金晶锭，进行生长碲锌镉晶体。本发明使...
- 姬荣斌赵增林万锐敏岳全龄张鹏举吴刚胡赞东黄晖王晓薇张小文计瑞松宋炳文蔡春江
- 文献传递
- 非晶态碲镉汞的暗电导率和吸收边(英文)被引量：2
- 2012年
- 研究了非晶态碲镉汞(x=0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.88～0.91eV之间,与通过光学方法获得的结果相符。在80～240K的温度区间非晶态碲镉汞(x=0.2)的暗电导率从1×10—8Ω—1.cm—1缓慢增大到5×10-8Ω—1.cm—1,温度大于240K时,其电导率剧烈增大到1×10—5Ω—1.cm—1,说明在240K附近非晶态碲镉汞材料的导电机制发生了变化,这对非晶态碲镉汞材料的应用研究具有重要意义。还研究了退火过程对非晶态碲镉汞薄膜电导率的影响,结果表明140℃退火后非晶态碲镉汞薄膜发生了部分晶化。
- 孔金丞张鹏举杨佩原李雄军孔令德杨丽丽赵俊王光华姬荣斌
- 关键词：电导率吸收边
- CdZnTe衬底沉积相成分分析
- 2015年
- 采用扫描电子显微镜技术对Cd Zn Te单晶片中的沉积相进行成分分析研究,结果表明通过红外显微系统观察到的Cd Zn Te晶片中常见的"放射状"沉积相和"链状"沉积相Cd含量富集,确认为Cd沉积相;另外,扫描电镜能谱仪对沉积相颗粒分析表明,Cd Zn Te晶体中的杂质元素易在Cd沉积相中富集。
- 张鹏举孔金丞胡赞东赵俊赵增林万锐敏王羽王京云姬荣斌
- 关键词：CDZNTE扫描电子显微镜
- 一种新的生长碲锌镉晶体技术
- 本发明属于一种生长晶体的工艺方法，主要用于碲锌镉晶锭的晶体生长。其主要技术方案是：按照选定的优势引晶晶向，制备出一定规格范围的籽晶块或棒，将籽晶装入石英管底腔中，石英管上部装入碲锌镉合金晶锭，进行生长碲锌镉晶体。本发明使...
- 姬荣斌赵增林万锐敏岳全龄张鹏举吴刚胡赞东黄晖王晓薇张小文计瑞松宋炳文蔡春江
- 文献传递
- 非晶态碲镉汞薄膜的射频磁控溅射生长及其晶化过程研究被引量：9
- 2007年
- 在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe或a-MCT)薄膜的低温生长,获得了射频磁控溅射生长a-HgCdTe薄膜的"生长窗口"。利用X射线衍射(XRD)技术对所生长的薄膜进行分析研究,a-HgCdTe薄膜的XRD衍射为典型的非晶衍射波包。椭圆偏振光谱研究结果表明,a-HgCdTe薄膜与晶态HgCdTe薄膜的折射率和消光系数均表现出明显的差异,椭圆偏振光谱技术可以作为一种非晶态半导体的结构判定手段。在90℃～215℃范围内对非晶态碲镉汞薄膜进行了真空退火处理研究其晶化过程,其晶化温度在130℃～140℃之间。
- 孔金丞孔令德赵俊张鹏举李志李雄军王善力姬荣斌
- 关键词：射频磁控溅射晶化
- 非晶态碲镉汞的光学性质(英文)被引量：1
- 2012年
- 采用椭圆偏振光谱技术研究了射频磁控溅射生长非晶态碲镉汞(amorphous Hg1-xCdxTe,amorphous MCT,a-MCT)薄膜的光学性质,发现非晶态碲镉汞薄膜的介电函数谱特征与晶态碲镉汞材料的明显不同,表现出与其他非晶态半导体材料类似的"波包"结构特征。基于修正的FB模型在1.0～4.0eV的能量范围内对实验结果进行了拟合分析,得到了不同组分非晶态碲镉汞薄膜的光学带隙随组分关系。通过与单晶碲镉汞光学带隙随组分变化关系的对比研究,结果表明碲镉汞的结构从晶态向非晶态转变过程中,材料的光学待续发生了明显的"蓝移"。
- 孔金丞赵俊孔令德李雄军王光华杨丽丽张鹏举姬荣斌
- 关键词：椭圆偏振光谱光学性质
