扈焕章
- 作品数：7 被引量：21H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- TiSi_2 Polycide LDD MOS工艺研究被引量：1
- 1994年
- 本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重要因素，经优化后可控制Ｗ为０．３０～０．３２μｍ；在Ａｌ与Ｓｉ之间引入一层ＴｉＮ／Ｔｉ复合层作为Ａｌ－Ｓｉ间的扩散势垒层，获得了良好的热稳定性．上述工艺技术已成功地应用于０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＥ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，其平均缴延迟为３１０Ｐｓ（０．２９ｍＷ／级），工作电压５伏．
- 徐秋霞龚义元张建欣扈焕章汪锁发李卫宁
- 关键词：MOS场效应
- 自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究被引量：2
- 1994年
- 本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．
- 徐秋霞龚义元张建欣汪锁发翦进海潮和扈焕章
- 关键词：自对准MOS器件
- 0.8微米CMOS集成电路芯片制造技术
- 仇玉林吴德馨海潮和刘志政陈焕章徐秋霞扈焕章周小茵朱亚江
- 该项目包括0.8微米CMOS集成电路芯片制造技术与专用集成电路(ASIC)设计技术两个方面，二者均属半导体技术范畴。其主要内容为：1.包括器件参数，器件结构设计与研制的0.8微米CMOS器件技术；2.0.8微米光刻蚀，栅...
- 关键词：
- 关键词：CMOS集成电路芯片制造
- CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器
- 本文对一种CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1K×4的并行结构体系.为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(ATD)、两级字线Doub...
- 海潮和刘新宇韩郑生刘洪民孙海峰周小茵陈焕章扈焕章
- 关键词：随机存储器
- 文献传递
- 全耗尽CMOS/SOI工艺被引量：16
- 2003年
- 对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、2 0 0 0门门海阵列等 ) ,其中 ,n MOS:Vt=0 .7V,Vds=4 .5～ 5 .2 V,μeff=4 6 5 cm2 / (V· s) ,p MOS:Vt=- 0 .8V ,Vds=- 5～ - 6 .3V,μeff=2 6 4 cm2 / (V· s) .当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 4 5
- 刘新宇孙海峰刘洪民陈焕章扈焕章海潮和和致经吴德馨
- 关键词：全耗尽SOI工艺双栅
- 用于提高硅集成电感品质因数的局部介质增厚方法
- 一种用于提高硅集成电感品质因数的局部介质增厚方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：淀积二氧化硅/氮化硅/二氧化硅三层复合介质；步骤2：光刻胶保护螺旋电感区域，暴露螺旋电感平面以外的区域；步骤3：湿法腐蚀顶层二氧化硅，干...
- 李俊峰杨荣李力南扈焕章蒋浩杰白国斌钱鹤
- 文献传递
- 部分耗尽CMOS/SOI工艺被引量：5
- 2001年
- 对部分耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套部分耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :PBL (Poly- Buffered L OCOS)隔离、沟道工程和双层布线等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、 5 0 0 0门门海阵列和 6 4K CMOS/ SOI静态存储器 ) .其中 ,NMOS:Vt=1.2 V ,BVds=7.5— 9V ,μeff=42 5 cm2 / (V· s) ,PMOS:Vt=- 0 . 9V,BVds=14— 16 V,μeff=2 40 cm2 /(V· s) ,当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 10 6 ps,SOI 6 4K CMOS静态存储器数据读取时间为 40
- 刘新宇孙海峰陈焕章扈焕章海潮和刘忠立和致经吴德馨
- 关键词：PBL双层布线集成电路
