海潮和
- 作品数：135 被引量：128H指数：7
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- LPCVD原位掺杂多晶硅研究
- 利用LPCVD(低压化学气相淀积)进行了五组原位掺杂多晶硅实验,结合膜的生成原理对实验结果进行了分析,并重点对LPCVD原位掺杂多晶硅生长速率慢的原因进行了详细阐述,提出了一种利用本征多晶硅衬层提高原位掺杂多晶硅淀积速率...
- 赵发展海潮和
- 关键词：低压化学气相淀积多晶硅原位掺杂生长速率
- 文献传递
- 100V高压CMOS工艺关键技术的研究(英文)被引量：1
- 2006年
- 提出了一种新的双栅氧(dual gate oxide,DGO)工艺,有效提高了薄栅氧器件与厚栅氧器件的工艺兼容性,同时提高了高低压器件性能的稳定性.在中国科学院微电子研究所0.8μm n阱标准CMOS工艺基础上设计出高低压兼容的100V高压工艺流程,并流片成功.实验结果表明,高压n管和高压p管的关态击穿电压分别为168和-158V,可以在100V高压下安全工作.
- 宋李梅李桦杜寰夏洋韩郑生海潮和
- 关键词：兼容性
- PDSOI nMOSFETs关态击穿特性(英文)
- 2007年
- 分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件.对这些器件的关态击穿特性进行了研究.当背栅沟道注入剂量从1·0×1013增加到1·3×1013cm-2,浮体n型沟道器件关态击穿电压由5·2升高到6·7V,而H型栅体接触n型沟道器件关态击穿电压从11·9降低到9V.通过测量寄生双极晶体管静态增益和漏体pn结击穿电压,对部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件的击穿特性进行了定性解释和分析.
- 毕津顺海潮和
- 关键词：击穿
- CMOS/SOI电路的抗ESD实验
- 随着SOI技术的快速发展,ESD保护逐渐成为SOI电路广泛应用的一个主要障碍.为了解决这个问题,本文采用了栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了抗ESD实验,分析了影响保护电路抗ESD性能的因素.
- 汤仙明韩郑生海潮和周小茵赵立新
- 关键词：栅控二极管SOI技术保护电路硅材料
- 文献传递
- SOI动态阈值MOS研究进展被引量：7
- 2005年
- 随着器件尺寸的不断缩小,传统MOS器件遇到工作电压和阈值电压难以等比例缩小的难题,以至于降低电路性能,而工作在低压低功耗领域的SOIDTMOS可以有效地解决这个问题。本文介绍了四种类型的SOIDTMOS器件,其中着重论述了栅体直接连接DTMOS、双栅DTMOS和栅体肖特基接触DTMOS的工作原理和性能,具体分析了优化器件性能的五种方案,探讨了SOIDTMOS存在的优势和不足。最后指出,具有出色性能的SOIDTMOS必将在未来的移动通讯和SOC等低压低功耗电路中占有一席之地。
- 毕津顺海潮和韩郑生
- 关键词：SOI低压低功耗DTMOS超大规模集成电路
- PDSOI静态随机存储器的总剂量辐照加固被引量：4
- 2007年
- 对PDSOI CMOS器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提出了折中的方法.采用此种方法研制了抗总剂量辐照PDSOI SRAM,进行总剂量为2×105rad(Si)的辐照后SRAM的各项功能测试均通过,静态电流的变化满足设计要求,取数时间:辐照前为26.3ns;辐照后仅为26.7ns.
- 郭天雷韩郑生海潮和周小茵李多力赵立新
- 关键词：总剂量辐照静态随机存储器
- 0.18/0.1微米CMOS集成电路关键技术研究
- 钱鹤徐秋霞刘明朱亚江海潮和陈宝钦韩郑生
- 该项目研究成果由两个九·五国家重点科技攻关专题组成：一个为97-762-01-01“0.35微米集成电路关键技术”；另一个为97-762-01-03“0.1微米级CMOS器件结构及性能研究”。此两专题依据合同规定并超出合...
- 关键词：
- 关键词：CMOS器件环形振荡器双层布线
- 部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性(英文)被引量：1
- 2005年
- 分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管.在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿特性.通过使用二维工艺器件模拟,并测量漏体结的击穿特性,详细讨论和分析了所制成器件击穿特性的差异和击穿机制.在此基础上,提出了一个提高PD SOI体接触nMOS击穿特性的方法.
- 吴峻峰钟兴华李多力康晓辉邵红旭杨建军海潮和韩郑生
- 关键词：击穿硅化物
- 用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法
- 一种用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法，包括如下步骤：在硅片上，多晶栅刻蚀成形后进行无掩膜的漂移区注入；用正硅酸乙酯热分解法淀积一薄层二氧化硅；以光刻胶保护漂移区，回刻二氧化硅，在栅极靠近源测形成二氧化硅侧墙...
- 杨荣李俊峰海潮和徐秋霞韩郑生柴淑敏赵玉印周锁京钱鹤
- 文献传递
- 动态阈值nMOS温度特性研究
- 采用相同的工艺，在绝缘体上硅衬底上制备了动态阈值nMOS和H型栅体引出nMOS。测试结果显示，从298K到398K，H型栅体引出nMOS阈值电压改变40％，亚阈值斜率改变48.3％，而动态阈值nMOS阈值电压仅改变33％...
- 毕津顺海潮和
- 关键词：金属-氧化物-半导体器件温度特性
