李代宗
- 作品数：16 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- UHV/CVD生长弛豫SiGe和SiGe/SiII型量子阱的研究
- 该论文包括利用国产UHV/CVD系统生长高质量应变SiGe、应变SiGe/Si、弛豫SiGe虚衬 底以及SiGe/SiII型量子阱的研究工作.主要内容是:1.UHV/CVD系统经150小时连续烘烤后 ,离子泵维持真空达3...
- 李代宗
- 关键词：SIGE
- 弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱
- 2001年
- 采用 UHV / CVD系统 ,在 Si衬底上生长了具有渐变 Si1 - x Gex 缓冲层结构的弛豫 Si0 .76 Ge0 .2 4虚衬底和 5个周期的 Si0 .76 Ge0 .2 4/ Si多量子阱 .在渐变 Si1 - x Gex 缓冲层生长过程中引入原位退火 ,消除了残余应力 ,抑制了后续生长的 Si Ge中的位错成核 .透射电子显微照片显示 ,位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内 ,而 Si Ge上层和 Si Ge/Si量子阱是无位错的 .在样品的 PL 谱中 ,观察到跃迁能量为 0 .96 1e V的 型量子阱的无声子参与 (NP)发光峰 .由于 型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置 ,较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯曲严重 .NP峰随激发功率增加向高能方向移动 ,在一定激发条件下 ,电子跃迁或隧穿至弛豫 Si Ge层弯曲的导带底后与处于同一位置的空穴复合发光 ,所以
- 李代宗黄昌俊于卓成步文余金中王启明
- 关键词：硅衬底
- 国产UHV/CVD系统及其生长SiGe/Si特性研究
- 余金中于卓成步文李代宗王启明谢琪雷震霖赵科新
- 关键词：UHV/CVDSIGE/SI
- Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善
- 2000年
- 利用超高真空化学气相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统在 ６５０℃生长出表面光亮的 ＧｅＳｉ单晶 在１２００Ｌ／ｍｉｎ分子泵与前级机械系间串接 ４５０Ｌ／ｍｉｎ分子泵，改善了生长环境串接分子泵后生长的 样品的Ｘ射线双晶衍射分析表明，外延层衍射峰半宽仅为 １９８ａｒｃｓｅｃ， 且出现了 Ｐｅｎｄｅｌｌｏｓｕｎｇ干涉条 纹，说明外延层结晶质量很好。
- 李代宗于卓雷震霖成步文余金中王启明
- 关键词：晶体生长
- 激光增进的半导体异质结外延生长
- 1999年
- 文章阐述了光辅助外延生长的基本原理，光辐射增强生长速率主要有：光分解、光催化和光的热分解三种机制；介绍其在半导体材料外延生长中的具体应用，包括降低温度、掺杂控制、原子层外延和选择性外延；分析了实验中光的作用以及对材料晶体质量和光电特性的影响，为生长高质量材料提供实验基础。
- 李代宗余金中王启明
- 关键词：半导体薄膜化学汽相淀积脉冲激光淀积光催化光分解
- UHV/CVD生长SIGe/SIⅠ型Ⅱ型量子阱和量子点<'1>
- 余金中成步文李代宗黄昌俊王启明
- 关键词：量子点合金量子结构
- 文献传递
- 组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征被引量：3
- 2000年
- 采用阶跃式 Ge H4 流量增加和温度降低的方法 ,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的 Si Ge缓冲层 ,并在其上生长出了驰豫的 Si0 .6 8Ge0 .32 外延层 .俄歇电子能谱证实缓冲层 Ge组份呈线性渐变 .Raman散射谱得出上表层应变驰豫度为 32 % ,与 X射线双晶衍射结果符合得很好 .腐蚀的样品观察到沿两个〈1 1 0〉方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约为 5× 1 0 7/cm2 .
- 李代宗成步文黄昌俊王红杰于卓张春晖余金中王启明
- 关键词：SIGE缓冲层
- UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学被引量：1
- 2000年
- 利用 Si H4 和 Ge H4 作为源气体 ,对 UHV/CVD生长 Si1- x Gex/Si外延层的表面反应机理进行了研究 ,通过 TPD、RHEED等实验观察了 Si( 1 0 0 )表面 Si H4 的饱和吸附、热脱附过程 ,得出 Si H4 的分解应该是每个 Si H4 分子的 4个 H原子全部都吸附到了 Si表面 ,Si H4 的吸附率正比于表面空位的 4次方 ,并分析了 Ge H4 的表面吸附机制 .在此基础上建立了 UHV/CVD生长Si1- x Gex/Si的表面反应动力学模型 ,利用模型对实验结果进行了模拟 。
- 于卓李代宗成步文黄昌俊雷震霖余金中王启明梁骏吾
- 关键词：UHV/CVD硅锗化硅
- Si_(1-x-y)Ge_xC_y材料的外延生长方法
- 2000年
- 本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自的特点。
- 于卓成步文李代宗余金中王启明梁骏吾
- 关键词：半导体材料锗
- 用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料被引量：3
- 2000年
- 分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系 .指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量 ,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应 ,影响以后的再结晶过程 .采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷 ,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区 .在此基础上优化得出了固相外延方法制备 Si1- x- y Gex Cy/Si材料的最佳条件 .
- 于卓李代宗成步文黄昌俊雷震霖余金中王启明梁骏吾
- 关键词：固相外延三元系半导体材料
