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于卓: 作品数：18 被引量：32H指数：3; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

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GS-MBE生长的GaP/Si的XPS研究: 1998年; 利用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）深度剖析方法对气体源分子束外延（ＧＳ－ＭＢＥ）生长的ＧａＰ／Ｓｉ异质结构进行了详细的分析．其结果表明：（１）外延层内Ｇａ、Ｐ光电子峰与ＧａＰ相相符，且组份分布均匀，为正化学比ＧａＰ．（２）在不同富ＰＨ３流量条件下生长的样品，其表面富Ｐ量稍有不同，而ＧａＰ外延层内的测试结果相同．界面也未见有Ｐ的富集．（３）ＸＰＳ剖析至ＧａＰ／Ｓｉ界面附近，随外延层界面向衬底过渡，Ｓｉ２ｐ光电子峰向高结合能方向移动，且其结合能高于原衬底ｐ型Ｓｉ，接近于ｎ型Ｓｉ．但Ｇａ、Ｐ光电子峰未发现有明显能移．（４）在ＸＰＳ检测限内，外延层内和界面都未见有Ｃ、Ｏ等沾污．这一研究表明：无污染的本底超高真空、相对过剩的富ＰＨ３生长环境、成功的Ｓｉ衬底清洗方法等措施保证了ＧＳ－ＭＢＥ生长出正化学比ＧａＰ／Ｓｉ外延异质结构．; 吴正龙余金中成步文成步文李晓文于卓; 关键词：异质结 XPS 分子束外延磷化镓

a-Si/SiO_2多量子阱材料制备及其晶化和发光被引量：5: 1997年; 本文研究用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积ＳｉＯ２和非晶硅（ａ－Ｓｉ）时淀积速率和薄膜折射率与淀积条件的关系．选择合适的淀积条件制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱结构材料．用激光扫描退火方法使其晶化，当ａ－Ｓｉ和ＳｉＯ２层厚度分别为４ｎｍ和６ｎｍ时，形成了颗粒大小为３．８ｎｍ的硅晶粒．晶化后的样品在１０Ｋ下可以观察到较强的光荧光发射，三个峰值波长分别为８１０、８２５和８４５ｎｍ．; 成步文余金中于卓王启明陈坤基黄信凡; 关键词：多量子阱晶化光致荧光非晶硅

Si_(1-y)C_y合金的固相外延生长及其特性: 1999年; 采用固相外延的方法在Ｓｉ（１００）衬底上生长了Ｃ组分为０．５ａｔ．％的Ｓｉ１－ｙＣｙ合金，并对合金的质量及特性进行了测试分析．采用多重离子注入的方法，并利用ＳｉＯ２做缓冲层，能够获得满意的Ｃ离子分布．小束流、长时间的注入方法能避免β－ＳｉＣ相的出现，最大限度地抑制动态退火效应．对Ｓｉ衬底进行非晶化预处理能显著提高代位Ｃ原子的比例．两步退火过程能有效地减少注入前沿的点缺陷。; 于卓余金中成步文雷震霖李代宗王启明梁骏吾; 关键词：离子注入固相外延晶体质量

UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料被引量：10: 2000年; 以 Si2 H6 和 Ge H4 作为源气体 ,用 UHV/CVD方法在 Si( 1 0 0 )衬底上生长了 Si1- x Gex 合金材料和 Si1- x Gex/Si多量子阱结构 .用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究 .结果表明样品的表面平整光滑 ,平均粗糙度为 1 .2 nm;整个外延片各处的晶体质量都比较好 ,各处生长速率平均偏差为 3.31 % ,合金组分 x值的平均偏差为 2 .0 1 % ;Si1- x Gex/Si多量子阱材料的 X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰 ,而且在卫星峰之间观察到了 Pendellosung条纹 ,表明晶格质量和界面质量都很好 ;Si1- xGex/Si多量子阱材料的; 成步文李代宗黄昌俊于卓张春晖王玉田余金中王启明; 关键词：锗化硅硅异质结 UHV/CVD

Si<,1-x>Ge<,x>/Si异质结材料UHV/CVD生长及其特征研究: Si<,1-x>Ge<,x>/Si的异质外延生长一直是硅基材料研究的重要内容.在UHV条件下采用气态源生长Si<,1-x>Ge<,x>/Si材料吸收了传统MBE和CVD的优点,因而成为近年来倍受青睐的新方法.该文集中于...; 于卓; 关键词：异质外延生长硅基材料

组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征被引量：3: 2000年; 采用阶跃式 Ge H4 流量增加和温度降低的方法 ,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的 Si Ge缓冲层 ,并在其上生长出了驰豫的 Si0 .6 8Ge0 .32 外延层 .俄歇电子能谱证实缓冲层 Ge组份呈线性渐变 .Raman散射谱得出上表层应变驰豫度为 32 % ,与 X射线双晶衍射结果符合得很好 .腐蚀的样品观察到沿两个〈1 1 0〉方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约为 5× 1 0 7/cm2 .; 李代宗成步文黄昌俊王红杰于卓张春晖余金中王启明; 关键词：SIGE 缓冲层

弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱: 2001年; 采用 UHV / CVD系统 ,在 Si衬底上生长了具有渐变 Si1 - x Gex 缓冲层结构的弛豫 Si0 .76 Ge0 .2 4虚衬底和 5个周期的 Si0 .76 Ge0 .2 4/ Si多量子阱 .在渐变 Si1 - x Gex 缓冲层生长过程中引入原位退火 ,消除了残余应力 ,抑制了后续生长的 Si Ge中的位错成核 .透射电子显微照片显示 ,位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内 ,而 Si Ge上层和 Si Ge/Si量子阱是无位错的 .在样品的 PL 谱中 ,观察到跃迁能量为 0 .96 1e V的型量子阱的无声子参与 (NP)发光峰 .由于型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置 ,较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯曲严重 .NP峰随激发功率增加向高能方向移动 ,在一定激发条件下 ,电子跃迁或隧穿至弛豫 Si Ge层弯曲的导带底后与处于同一位置的空穴复合发光 ,所以; 李代宗黄昌俊于卓成步文余金中王启明; 关键词：硅衬底

用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料被引量：3: 2000年; 分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系 .指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量 ,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应 ,影响以后的再结晶过程 .采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷 ,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区 .在此基础上优化得出了固相外延方法制备 Si1- x- y Gex Cy/Si材料的最佳条件 .; 于卓李代宗成步文黄昌俊雷震霖余金中王启明梁骏吾; 关键词：固相外延三元系半导体材料

应变层Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金研究被引量：3: 1997年; 本文综述了Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ合金的研究进展，包括合金的应变补偿效应、微观结构。; 于卓余金中成步文王启明梁骏吾; 关键词：合金半导体材料