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李春

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇离子注入
  • 2篇势垒
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇肖特基势垒二...
  • 2篇离子注入工艺
  • 2篇二极管
  • 2篇4H-SIC
  • 1篇氮化镓
  • 1篇导体
  • 1篇禁带
  • 1篇宽禁带
  • 1篇宽禁带半导体
  • 1篇半导体

机构

  • 3篇南京电子器件...

作者

  • 3篇李春
  • 3篇陈刚
  • 1篇李宇柱
  • 1篇周建军
  • 1篇李肖

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
B^+注入隔离在宽禁带半导体中的应用
2011年
利用B^+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过Monte Carlo软件TRIM模拟,优化离子注入能量和剂量。在SiC MESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流,表现了很好的隔离效果;通过测试表明离子注入隔离的器件相比台面隔离器件的击穿电压有一定程度提高。
李春陈刚李宇柱周建军李肖
关键词：离子注入宽禁带半导体氮化镓
离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用被引量：1
2008年
介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω.cm2;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要作用。
李春陈刚
关键词：离子注入欧姆接触肖特基势垒二极管
离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用
介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10Ω·cm;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二...
李春陈刚
关键词：离子注入欧姆接触肖特基势垒二极管
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