李青民
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
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- SiC衬底上SiCGe外延薄膜的岛状生长机理
- ＜正＞对热壁化学气相沉积法（HWCVD）在6H-SiC（0001）面上外延生长的 SiCGe 薄膜进行了结构分析。发现薄膜具有球形岛和三角型层状堆叠岛两种岛状结构,球形岛为金刚石型结构,而三角型层状堆叠岛则为闪锌矿型结构...
- 李连碧陈治明林涛蒲红斌李佳李青民
- 关键词：SICHWCVD
- 文献传递
- 6H-SiC上3C-SiC缓冲层及SiCGe薄膜的生长
- 在6H-SiC衬底上异质外延生长SiCGe薄膜,通过调节材料的禁带宽度从而实现材料对近红外和可见光的较强吸收,进而开发碳化硅在光电子技术领域的新应用,具有很高的实用价值。然而在材料的生长过程中,还存在很多问题。通过对材料...
- 李青民
- 关键词：禁带宽度碳化硅化学气相沉积
- 文献传递
- 6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究
- 2008年
- 采用低压热壁化学气相沉积法,在6H-SiC衬底(0001)面上生长了不同温度(1100—1250℃),不同GeH4流量比(6.3%—25%)的SiCGe薄膜样品,研究了SiCGe薄膜的表面形貌、生长特性以及样品中Ge组分含量的变化.扫描电镜测试结果表明,SiCGe薄膜在低温下倾向于岛状生长模式,随着生长温度提高,岛状生长逐渐过渡到层状生长模式,同时伴有岛形状和密度的变化.X射线光电子能谱测试得出SiCGe样品中的Ge含量约为0.15%—0.62%,在其他参数不变的情况下,样品的Ge含量随GeH4流量比的增大而升高,随生长温度的降低而升高.此外还定性分析了样品中的反相边界(APB)缺陷.
- 林涛陈治明李佳李连碧李青民蒲红斌
- 关键词：碳化硅化学气相沉积
- SiC衬底上SiCGe薄膜的岛状机理分析
- 2009年
- 对热壁化学气相沉积法(HWCVD)在6H-SiC(0001)面上外延生长的SiCGe薄膜结构进行了机理分析.SiCGe薄膜具有球形岛和三角形层状堆叠岛两种岛状结构,球形岛为金刚石型结构,而三角形层状堆叠岛则为闪锌矿型结构.认为球形岛是Ge富集后,高温析出形成的,而三角岛则是堆垛层错形成四面体的露头.生长温度的变化会引起球形岛和三角岛的相互转变,其原因主要有两方面:一方面,高温时,立方SiC相比SiCGe相更为稳定,随着温度的升高,SiCGe相逐渐向SiC相转变,替位式的Ge原子的数量会有所下降,从而使SiCGe外延层和SiC衬底间的晶格失配度减小,于是薄膜的生长模式由3D岛状变为2D生长,仅仅靠产生三角形堆垛层错释放失配应力;另一方面,生长温度越高,原子能量就越大,达到理想位置的原子比例越高,就会表现出材料本身的结构特征,而面心立方的{111}面上这种结构特征的体现就是三角形堆垛层错的产生.
- 李连碧陈治明李青民
- 关键词：SIC
- HWCVD法在6H-SiC上异质外延3C-SiC
- ＜正＞在 SiC 的200多种同质异构体中,唯有3C-SiC 具有闪锌矿结构,且迁移率最高,更适合于制造高温、大功率、高速器件。近年来,Si 衬底上外延3C-SiC 的研究比较多,但3C-SiC 与 Si 衬底之间存在很...
- 李青民陈治明林涛李连碧李佳
- 关键词：CVDTEMSAED
- 文献传递
- SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构
- 2007年
- 用热壁CVD法在6H-SiC衬底上生长了SiCGe三元合金,样品生长呈现出显著的岛状特征.利用SEM,TEM,EDS和PL等分析手段对薄膜进行了特性研究.发现样品包含两种特征相,由随机分布的球形岛和岛周围较平坦的背景区域组成.EDS结果表明两相组分不同:球形岛为高Ge区,组分比大于30%;背景区域Ge含量则低于1%.两种相的生长速率也不相同,在生长时间相同的情况下,背景区较薄,且满布三角形堆垛层错.样品的PL峰位于2.2和2.7eV处.分析认为,这两个峰分别来自球形岛和背景区域的带间辐射复合.
- 李连碧陈治明蒲红斌林涛李佳陈春兰李青民
- 关键词：SICLPCVD
- 6H-SiC衬底上异质外延3C-SiC薄膜的结构研究被引量：1
- 2008年
- 以SiH4和C3H8为反应源,在1250℃下,采用低压热壁化学气相淀积法在6H-SiC衬底上异质外延生长了3C-SiC薄膜.扫描电镜和原子力显微镜测试结果显示,样品表面光滑、无明显岛状结构物质.剖面透射电镜照片显示SiC外延层致密均匀、界面平整,厚度约为50nm.高分辨透射电镜结果显示,衬底与外延层分别为排列整齐的6H-SiC结构和3C-SiC结构,两者过渡平坦、界面处无其他晶型.选区电子衍射花样标定结果再次说明外延薄膜为闪锌矿结构的3C-SiC,计算的晶格常数为0·4362nm.
- 林涛李青民李连碧杨莺陈治明
- 关键词：碳化硅化学气相沉积透射电子显微镜
- HWCVD法在6H-SiC上异质外延p-SiCGe
- ＜正＞SiC 由于禁带较宽,对可见光和近红外光都不敏感,其光电子学应用因而受到极大限制。在 n-SiC 上异质外延生长 p-SiCGe 薄膜,通过调节 SiCGe 中各组分的比例来调节 SiCGe 材料的禁带宽度, 实现...
- 李佳陈治明林涛李连碧李青民
- 关键词：CVDSEM
- 文献传递
