蒲红斌
- 作品数：118 被引量：54H指数：4
- 供职机构：西安理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金陕西省重大科技创新专项计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 一种具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管
- 本发明具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管，包括SiC衬底，在SiC衬底之上依次制作有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层，其中第四外延层杂质浓度在垂直方向存在由上至下降低的分布趋势，第五外延层分为...
- 蒲红斌安丽琪王曦胡丹丹刘青王雅芳
- 文献传递
- 一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法
- 本发明公开了一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法，包括：使用半导体参数分析仪对漏极和栅极施加电压，测量器件的饱和漏电流，并计算耗散功率；利用红外热像仪测试器件的工作结温T；利用有限元软件建立器件电热耦合模型，根据工...
- 李姚郑子轩蒲红斌
- 文献传递
- 一种具有NiO/SiC异质发射结的SiC光触发晶闸管
- 本发明公开了一种NiO/SiC异质发射结结构。本发明还公开了一种含NiO/SiC异质发射结的SiC光触发晶闸管，包括衬底，在衬底上表面制作有n‑SiC缓冲层，在n‑SiC缓冲层上表面制作有p‑SiC缓冲层，在p‑SiC缓...
- 蒲红斌王曦刘青胡丹丹安丽琪王雅芳李佳琪杜利祥唐新宇
- 文献传递
- 一种SiC沟槽型台阶状结势垒肖特基二极管
- 本发明公开了一种SiC沟槽型台阶状结势垒肖特基二极管，包括SiC衬底；在SiC衬底上制作有第一外延层，即缓冲层；在第一外延层上制作有第二外延层，即漂移区；在第二外延层上端表面设置有多个沟槽结构，包围沟槽且延伸至沟道区的p...
- 蒲红斌王曦杜利祥封先锋臧源
- 具有栅保护功能的SiC MOSFET及制备方法
- 本发明公开了一种具有栅保护功能的SiC MOSFET，通过设置p阱区上表面的n+结区、设置位于p阱区上表面边缘的n+结区与位于p阱区上表面中心的n+结区分别经正面欧姆接触金属连接至源电极金属与栅电极金属，通过凸台状n+缓...
- 王曦纪轩蒲红斌张玉茜王朝阳熊娟
- 6H-SiC单晶锭边缘的多晶环控制被引量：3
- 2010年
- 6H-SiC晶体生长过程中单晶锭边缘形成的多晶环影响单晶体的品质。本研究制定了以改进坩埚系统结构为主、调整线圈与坩埚相对位置为辅的多晶环厚度控制方案,利用自制设备进行了6H-SiC晶体生长验证实验,实验结果显示所生长6H-SiC单晶体不但周边和表面光滑,未有多晶出现,还实现了显著的扩径生长。
- 封先锋陈治明蒲红斌
- 关键词：6H-SIC
- 集成测温单元的SiC顶集电区紫外光电晶体管及制造方法
- 本发明公开了一种集成测温单元的SiC顶集电区紫外光电晶体管，包括n型4H‑SiC衬底，n型4H‑SiC衬底的表面向上制作有n<Sup>+</Sup>发射区，n<Sup>+</Sup>发射区表面中间位置向上制作有p型基区，...
- 王曦熊娟蒲红斌杨莺纪轩陈嘉翔
- 一种双层基区SiC NPN集成晶体管及其制作方法
- 本发明公开了一种双层基区SiC NPN集成晶体管，包括衬底，衬底的上端表面依次设置有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层；第五外延层和第四外延层组成凸台三；第三外延层和第二外延层组成凸台二；第一外延...
- 蒲红斌唐新宇王曦安丽琪刘青李佳琪杜利祥
- 文献传递
- 一种基于n长基区碳化硅晶闸管及其制作方法
- 本发明公开的一种基于n长基区碳化硅晶闸管，包括自下而上依次设置的阳极欧姆电极、碳化硅p<Sup>+</Sup>发射区外延层、碳化硅n<Sup>+</Sup>缓冲层、碳化硅n型长基区外延层、碳化硅p<Sup>‑</Sup>...
- 蒲红斌刘青王曦李佳琪
- 文献传递
- 1200 V 4H-SiC JBS二极管的研制被引量：1
- 2016年
- 通过理论分析与计算机仿真方法对1 200 V 4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管进行了设计与研究,实现了1 200 V/2 A,1 200 V/5 A及1 200 V/30 A三种等级管芯的研制。鉴于非均匀场限环(FLR)保护效率存在对工艺偏差敏感的问题,所设计各电流等级的管芯均采用均匀FLR作为终端结构。经测试,所研制管芯在反偏压为1 200 V时,漏电流均不大于3μA,且1 200 V/2 A,1 200 V/5 A及1 200 V/30 A三种等级管芯的通态电阻分别为790mΩ,360 mΩ及59.3 mΩ。
- 马骏王曦蒲红斌封先锋
- 关键词：二极管碳化硅
