杜声玖
- 作品数:5 被引量:7H指数:2
- 供职机构:重庆大学物理学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学电气工程电子电信一般工业技术更多>>
- 测试环境对碳纳米管场发射性能的影响被引量:2
- 2010年
- 采用CVD法在Ni丝上直接沉积碳纳米管,并应用二极管结构对其场发射性能进行测试,测试结果表明:(1)碳管表面态对其场发射稳定性影响明显,运用密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA)对碳管表面吸附水分子前后电子能带结构和态密度作比较,发现吸附水分子后碳管功函数降低,费米能级处电子态密度增大,有利于增大碳管场发射电流;(2)高真空是获得碳管场发射稳定性一个必要条件;(3)荧光粉对碳管场发射电流也有一定贡献,但大的场发射电流情形下可忽略其影响。
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- 关键词:碳纳米管场发射密度泛函理论
- 一种类石墨材料的场发射性能
- 2011年
- 采用(CVD)法制备了一种类石墨材料,用场发射扫描电镜(FESEM)和Raman光谱对其形貌和结构进行分析,发现表面形貌为花瓣片状结构,边缘具有突出尖端。采用二极结构对其场发射性能进行测试。结果表明当外加电场1.7 V/μm时获得了μA级的发射电流;当电场为4 V/μm时,电流密度达到1.85 mA/cm2;开启电场为2.5 V/μm,最高工作电压为8×103 V到104 V。
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- 关键词:场发射
- 表面态对碳纳米管场发射的影响
- 2011年
- 采用CVD法在Ni丝上直接沉积碳纳米管,并应用二极管结构测试表面态(突出尖端和吸附)对碳纳米管场发射的影响。测试表明,突出尖端主要影响碳纳米管场发射的开启电场以及场发射电流稳定性;吸附作用的影响表现在改变碳纳米管能带结构进而改变其场发射性能。
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- 关键词:碳纳米管场发射密度泛函理论
- B原子吸附石墨烯的结构和性质被引量:4
- 2012年
- 采用第一性原理计算讨论了不同覆盖度下,存在空位缺陷和Si掺杂时,石墨烯吸附B原子的稳定外形、电子结构和磁性。计算表明,B原子吸附石墨烯的稳定吸附位为桥位,吸附后表现为铁磁性;空位缺陷石墨烯造成了悬空键,结构不稳定,剩余磁矩为零;B的吸附占据了C的空位,体系的能量大为降低,但引入空穴,磁矩不为零;石墨烯掺杂Si原子吸附B的吸附能远大于完整石墨烯的情况,说明Si掺杂能促进B原子的吸附,同时衬底与B原子作用强烈,体系显示出磁性,而且近似呈半金属性。
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- 关键词:石墨烯第一性原理
- 石墨烯吸附结构和性质的第一性原理研究
- 石墨烯一经制备出来就受到了广泛关注,这归结于石墨烯的二维平面晶体结构具有良好的力学、电学等性质和广阔的应用前景。石墨烯有很大的比表面积,因而吸附性能好。石墨烯是零带隙的半导体,没有磁性,而用其它原子吸附、掺杂,可以引入磁...
- 杜声玖
- 关键词:石墨烯第一性原理费米能级
- 文献传递