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陈伟中

作品数:4 被引量:2H指数:1
供职机构:重庆大学数理学院应用物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇场发射
  • 3篇纳米管
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇密度泛函
  • 2篇密度泛函理论
  • 2篇泛函
  • 2篇泛函理论
  • 1篇第一性原理
  • 1篇纳米线
  • 1篇发光
  • 1篇发光性
  • 1篇发光性能
  • 1篇分形
  • 1篇ZNO纳米
  • 1篇ZNO纳米线
  • 1篇表面态
  • 1篇测试环境
  • 1篇场发射特性
  • 1篇场发射性能

机构

  • 4篇重庆大学

作者

  • 4篇陈伟中
  • 3篇贺叶露
  • 2篇杜声玖
  • 2篇陈西浩
  • 2篇王蜀霞
  • 1篇王属霞

传媒

  • 2篇材料导报
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
测试环境对碳纳米管场发射性能的影响被引量:2
2010年
采用CVD法在Ni丝上直接沉积碳纳米管,并应用二极管结构对其场发射性能进行测试,测试结果表明:(1)碳管表面态对其场发射稳定性影响明显,运用密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA)对碳管表面吸附水分子前后电子能带结构和态密度作比较,发现吸附水分子后碳管功函数降低,费米能级处电子态密度增大,有利于增大碳管场发射电流;(2)高真空是获得碳管场发射稳定性一个必要条件;(3)荧光粉对碳管场发射电流也有一定贡献,但大的场发射电流情形下可忽略其影响。
陈伟中王蜀霞贺叶露陈西浩杜声玖
关键词:碳纳米管场发射密度泛函理论
表面态对碳纳米管场发射的影响
2011年
采用CVD法在Ni丝上直接沉积碳纳米管,并应用二极管结构测试表面态(突出尖端和吸附)对碳纳米管场发射的影响。测试表明,突出尖端主要影响碳纳米管场发射的开启电场以及场发射电流稳定性;吸附作用的影响表现在改变碳纳米管能带结构进而改变其场发射性能。
贺叶露王蜀霞陈伟中陈西浩杜声玖
关键词:碳纳米管场发射密度泛函理论
ZnO纳米线的制备及场发射特性的研究进展
2009年
从ZnO纳米线的生长机制出发,重点讨论了催化剂在制备过程中的作用,比较了采用VLS和VS不同机制生长ZnO纳米线的优缺点,并结合二者特点发现采用金属自催化将是制备高质量ZnO纳米线阵列的一种有效方法。分析了几种有利于提高其场发射性能的后处理方法,经过适当的后处理ZnO纳米线晶体的结构将更加完善,场发射开启场、阈值场将进一步降低,电流密度和场增强因子也将随之大大提高。
陈伟中王属霞贺叶露
关键词:ZNO纳米线催化剂场发射
分形石墨—碳纳米管场发射性能及其荧光灯发光性能的研究
场发射是各种真空微电子器件的基础,而碳材料特别是碳纳米管及其石墨具有优越的场发射性能,自1991年饭岛发现碳纳米管以来,因其独特的结构特征/(大的直径比,小的曲率半径,好的热稳定性,优良的机械强度/),在外加电压下呈现出...
陈伟中
关键词:场发射第一性原理
文献传递
共1页<1>
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