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杨晓云
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1
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供职机构:
昆明物理研究所
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史衍丽
昆明物理研究所
崔永杰
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杨晓云
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1997
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HgCdTe阳极氧化膜及界面XPS分析
1997年
通过电子能谱仪对经阳极氧化表面钝化工艺处理后的HgCdTe表面所生成的氧化膜及界面进行深度分析研究。结果表明,该氧化膜中有Te和Cd的单质成分存在,氧化膜中的氧化物形式为TeO2、CdTe2O5和HgTe2O5;在界面中,随着剖析深度的增加Te2O2-5向TeO2-3过渡。
杨晓云
崔永杰
史衍丽
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汞
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阳极氧化膜
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