史衍丽
- 作品数：78 被引量：224H指数：6
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程经济管理更多>>
- 垂直结的碲镉汞短波光伏探测器列阵
- 采用环孔工艺的方法制备了N-on-P垂直结的碲镉汞短波光伏探测器列阵,测量表明:液氮温度下器件峰值波长2.2微米,器件零偏阻抗109欧,黑体探测率4.4×1010cmHz1/2W-1.采用LBIC对4×4碲镉汞光伏二极管...
- 蔡毅史衍丽姚英杨铁峰庄继胜陈建材马庆华
- 关键词：碲镉汞短波红外光伏探测器
- 文献传递
- HgCdTe阳极氧化膜及界面XPS分析
- 1997年
- 通过电子能谱仪对经阳极氧化表面钝化工艺处理后的ＨｇＣｄＴｅ表面所生成的氧化膜及界面进行深度分析研究。结果表明，该氧化膜中有Ｔｅ和Ｃｄ的单质成分存在，氧化膜中的氧化物形式为ＴｅＯ２、ＣｄＴｅ２Ｏ５和ＨｇＴｅ２Ｏ５；在界面中，随着剖析深度的增加Ｔｅ２Ｏ２－５向ＴｅＯ２－３过渡。
- 杨晓云崔永杰史衍丽
- 关键词：XPS汞碲阳极氧化膜
- 射频磁控溅射氧化钒薄膜的结构与性能研究(英文)被引量：2
- 2012年
- 以非制冷微测辐射热计型红外探测器应用为需求背景,采用射频磁控溅射技术在300℃低温条件下制备了氧化钒薄膜。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、能量色散谱(EDS)及X射线光电子能谱(XPS)技术表征了薄膜的结晶状态、微观结构与化学组成。采用四探针技术研究了薄膜的电学性能。结果表明该薄膜主要为非晶态的二氧化钒(VO2),并具有光滑的表面形貌。这种非晶VO2薄膜在22～100℃温度范围内不存在半导体-金属相变。100 nm厚的非晶VO2薄膜室温下的面电阻为600 kΩ/□,同时表现出-2.1%/℃的较高电阻温度系数(TCR),这表明该薄膜有希望用于非制冷微测辐射热计型红外探测器。
- 刘黎明莫镜辉史衍丽曾华荣杨培志
- 关键词：氧化钒薄膜非晶结构电学性能微测辐射热计
- 基于改进型LOG算子的图像增强方法在InGaAs宽光谱红外器件中的应用被引量：4
- 2016年
- 传统的LOG(高斯-拉普拉斯)算子,由于高斯函数关于中心对称,故它具有各向同性的特点,不能对不同方向的边缘进行有效地检测。基于此,建立并推导了一种改进型的LOG算子,引入了尺度参量和角度参量,改进后的LOG算子是各向异性的,能对不同方向的边缘更有效地检测,从而能更好地增强图像中目标细节。将这种改进后的LOG算子用在InGaAs宽光谱红外器件上,对其所成图像进行图像增强,经过在MATLAB里对于同一幅图像进行比较试验,结果表明相比于传统的高斯-拉普拉斯算子,改进型LOG算子检测到的图像边缘更多,同时对噪声的抑制效果更好,图像细节增强效果更好。
- 葛朋李龙潘治云史衍丽
- 关键词：图像增强高斯函数
- 一种采用复合膜进行InGaAs器件表面钝化的方法
- 本发明提供了一种采用复合膜进行InGaAs器件表面钝化的方法，该方法在InGaAs器件的表面覆盖一层硫原子层，在该硫原子层上覆盖一层氮化硅或氧化硅介质膜。该原子层通过阳极硫化方法形成。本发明在电化学反应过程中，硫原子与器...
- 史衍丽朱琴李德香杨振
- 文献传递
- 非晶态碲化汞薄膜的稳定态光电导特性研究
- 利用射频磁控溅射方法在宝石衬底上制备了非晶态碲化汞（HgTe）薄膜材料,以He-Ne激光器（hv=1.96eV,λ=632.8nm）作为激励光源,在80-300K温度范围内,研究了非晶态HgTe薄膜的暗电导σd、稳态光电...
- 余连杰史衍丽邓功荣杨丽丽李雄军何文瑾
- 文献传递
- 传输矩阵法和图解法计算二类超晶格能带结构被引量：1
- 2012年
- 采用传输矩阵法和图解法对InAs/GaSb二型超晶格的能带结构参数进行了理论计算,确定量子阱宽、垒宽、垒高、响应波长等参数。针对不同的结构,采用传输矩阵法和图解法得到不同的响应波长,与实际波长相比较,分析了两种算法的优劣之处。结果表明:采用传输矩阵法计算得到的子能带位置进而推算得到的响应波长与实际波长更吻合,而图解法由于本身的局限性,对超晶格结构中能带的计算会带来一定的偏差。
- 苗霈邓军史衍丽魏晓航罗绍军
- 关键词：传输矩阵法图解法
- 超晶格雪崩光电二极管的结构优化及性能研究
- 2016年
- 基于碰撞离化理论研究了异质材料超晶格结构对载流子离化率的作用,设计得到In_（0.53）Ga_（0.47）As/In_（0.52）Al_（0.48）As超晶格结构的雪崩光电二极管。通过分析不同结构参数对器件性能的影响,得到了低隧道电流、高倍增因子的超晶格结构雪崩层,根据电场分布方程模拟了器件二维电场分布对电荷层厚度及掺杂的依赖关系,并优化了吸收层的结构参数。对优化得到的器件结构进行仿真并实际制作了探测器件,进行光电特性测试,与同结构普通雪崩光电二极管相比,超晶格雪崩光电二极管具有更强的光电流响应,在12.5～20 V的雪崩倍增区,超晶格雪崩光电二极管在具备高倍增因子的同时具有较低的暗电流,提高了器件的信噪比。
- 杜玉杰邓军夏伟牟桐史衍丽
- 关键词：信噪比
- HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(下)被引量：1
- 2007年
- 介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTe MIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤．研究表明,自身阳极硫化+单层ZnS对HgCdTe的表面钝化已经达到光伏焦平面器件表面钝化的各项要求．
- 何波史衍丽徐静
- 关键词：HGCDTEMIS器件表面钝化
- 热释电非制冷红外焦平面探测器热绝缘结构被引量：4
- 2011年
- 热释电非制冷红外探测器由于具有可靠性高、成本低、无需制冷等优点,使其得到了广泛应用。在热释电探测器中,热绝缘结构具有红外热转换、机械支撑和热隔离等作用。良好的热绝缘结构是减小探测器热导率和改善其性能的关键。采用半导体光刻技术和牺牲层技术,在硅基底上制备了由牺牲层和Si3N4薄膜组成的微桥结构,该方法使探测器的微桥结构的制备与半导体工艺相兼容,并通过优化工艺参数,提高了微桥结构的机械强度,减小了热导,解决了制备热绝缘结构的关键技术,制备了像元中心距为50μm、填充因子为40%～60%、耐受温度≥500℃的320×240微桥列阵,该结构为制备高性能非制冷焦平面探测器奠定了基础。
- 何雯瑾太云见李玉英袁俊史衍丽
- 关键词：非制冷探测器热释电
