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杨炯: 作品数：20 被引量：38H指数：3; 供职机构：上海大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>; 相关领域：一般工业技术理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

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“材料基因组”方法加速热电材料性能优化被引量：1: 2015年; 通过材料计算、数据库技术的整合与协同,可以快速甄别决定材料性能的基本关键因素,将这种方法用于材料的性能优化和新材料的设计,可以实现科学化"系统寻优"的材料基因组方法,显著加快热电材料的设计与性能优化。以填充方钴矿材料和类金刚石结构化合物为例,从电子和声子优化的不同角度,采用材料基因组方法从成百上千种可能性中快速筛选和制备出高性能热电材料,展示了材料基因组方法可显著加速热电材料研究的能力。; 史迅杨炯陈立东杨继辉张文清; 关键词：热电材料

Ga掺杂对Cu_3SbSe_4热电性能的影响被引量：4: 2017年; 采用熔融-淬火方法制备了Cu_(2.95)Ga_xSb_(1-x)Se_4(x=0,0.01,0.02和0.04)样品,系统地研究了Ga在Sb位掺杂对Cu_3SbSe_4热电性能的影响.研究结果表明,少量的Ga掺杂(x=0.01)可以有效提高空穴浓度,抑制本征激发,改善样品的电输运性能.掺Ga样品在625 K时功率因子达到最大值10μW/cm·K^2,比未掺Ga的Cu_(2.95)SbSe_4样品提高了约一倍.但是随着Ga掺杂浓度的进一步提高,缺陷对载流子的散射增强,同时载流子有效质量增大,导致载流子迁移率急剧下降.因此Ga含量增加反而使样品的电性能恶化.在热输运方面,Ga掺杂可以有效降低双极扩散对热导率的贡献,同时掺杂引入的点缺陷对高频声子有较强的散射作用,因此高温区的热导率明显降低.最终该体系在664 K时获得最大ZT值0.53,比未掺Ga的样品提高了近50%.; 陈萝娜刘叶烽张继业杨炯邢娟娟骆军张文清; 关键词：热电性能

填充方钴矿热电材料:从单填到多填被引量：18: 2011年; 以传统窄带半导体材料为主要对象的高性能热电材料研究近年来发展迅速并取得了明显进展.本文以含本征晶格孔洞的笼状结构CoSb3基方钴矿化合物的相关研究为主线,综述近年来热电材料的主要研究进展,并分析了杂质原子在孔洞中部分填充特性为基础的填充方钴矿化合物的结构调控、电-热输运性能协同调控、以及热电性能优化的内在物理机制及其实验实现.在本征孔洞结构的方钴矿化合物中引入部分填充的杂质原子,通过局域声子散射而显著降低晶格热导率,同时可以优化电输运性能.研究还发现这样一类特殊结构化合物的电热输运性能可以通过选择不同价态与不同局域振动频率的多种不同填充原子的组合填充而实现可以近乎独立地调控与优化,热电优值达到1.7@850K,实现了明显具有"声子玻璃-电子晶体"特征的一类高性能热电材料.研究工作一方面明显提高了填充方钴矿材料的热电性能,另一方面加深了相关物理机制的理解,对进一步的新热电材料体系的设计具有指导意义.; 席丽丽杨炯史迅张文清陈立东杨继辉; 关键词：热电材料方钴矿

一种柔性钙钛矿热电材料的第一性原理筛选方法: 本发明涉及新材料的设计与开发领域，公开了一种柔性钙钛矿热电材料的第一性原理筛选方法，该方法基于密度泛函理论的第一性原理计算，旨在提高发现新材料的效率；筛选方法包括以下步骤：(1)获取初始晶体结构；(2)利用第一性原理计算...; 杨炯曹艳席丽丽

一种基于电声重整化计算有限温度下CsPbI3带隙的方法: 本发明提出一种基于电声重整化计算有限温度下CsPbI3的带隙的方法，利用第一性原理计算，通过CsPbI3体积和温度的关系构建了不同温度下的CsPbI3晶体...; 奚晋扬郑亮亮杨炯; 文献传递

热电材料研究中的基础物理问题被引量：11: 2011年; 热电转换技术主要包括利用半导体材料的泽贝克(Seebeck)效应将热能直接转化成电能和利用佩尔捷(Peltier)效应直接将电能转化成热能.文章简单回顾了热电转换材料中的物理效应及相关研究进展,重点介绍了常规热电材料(即窄带半导体)中的一些基本物理问题,其中包括一个好的热电材料应该具有的特性,以及提高半导体材料的电导率和泽贝克系数,降低热导率的物理机制和方法.文章还介绍了近年来电子晶体-声子玻璃类材料以及低维热电材料等热点问题的研究进展.最后还简单讨论了非常规热电材料的研究现状与趋势.; 史迅席丽丽杨炯张文清陈立东; 关键词：热电材料物理问题热导率低维材料

大型电站综合自动化系统关键技术研发及应用: 黄建民许大庆贾廷纲毛幼维费敏锐刘成良杨炯李红词汤雪华方江龙付敬奇戴巧明李朝涛陈江洪王庆东; 600MW以上机组控制系统主要是ABB、Emerson、Siemens等国际著名控制公司的产品。DCS控制的汽轮机、发电机及锅炉等关键设备的性能指标极大影响系统的运行效率和盈利水平，因此，控制系统的发展只有与设备制造厂家...; 关键词：; 关键词：网络控制系统

Se,Te纳米线系统的结构稳定性研究被引量：3: 2007年; 采用第一性原理计算及经验方法研究了Se,Te纳米线的结构稳定性.Se与Te的晶体是由三角Se,Te原子链构成并且链间相互作用相对较弱.小直径的纳米线(<30)进行了第一性原理计算;同时对于大直径的纳米线,采用了一种只考虑了链间相互作用的经验方法.六边形截面的构型比其他各种结构都要稳定,虽然在原子链数目的限制下无法保证其为正六边形.该结论与被广泛接受的Se,Te纳米线的六边形稳定结构相一致.; 杨炯张文清; 关键词：第一性原理纳米线硒碲

一种高通量计算半哈斯勒材料不同温度电子结构的方法: 本发明公开一种高通量计算半哈斯勒材料不同温度电子结构的方法。计算主要基于MatHub‑3d数据库。数据库中共有274种半哈斯勒材料，首先对这274种材料进行结构优化，然后计算电子结构和声子谱，筛选得到109种声子谱没有虚...; 杨炯高梦含

CoSb_3基方钴矿化合物的Ga,In掺杂及相关复杂缺陷的研究被引量：3: 2015年; 通过第一性原理与热力学结合的方法,研究了Ga,In等掺杂的Co Sb3基方钴矿化合物中的复杂缺陷问题。详细计算了Ga,In在Co Sb3中填充,Co,Sb位置替换以及填充-替换同时共存等缺陷的形成能。研究结果表明,缺陷形成能与费米能级、化学势等相关。Ga,In等在方钴矿中不是单纯的填充,而是填充和Sb位置替换同时共存的复杂缺陷。Ga掺杂以填充-替换比例2∶1的缺陷为主,而In掺杂,根据不同的条件可形成填充,替换,以及不同比例的填充替换复合缺陷,其中尤其以4∶2和2∶1最多。根据巨正则系宗,研究了Ga,In掺杂系统的载流子浓度和各缺陷的浓度。发现Ga,In掺杂的方钴矿由于填充和替换电荷的自补偿效应,其载流子浓度较低,尤其是Ga填充,具有类似本征半导体的低载流子浓度,且得到实验证实。In掺杂系统由于填充替换的比例偏离2∶1,填充位置的In比Ga的稍高一些,因此具有比Ga掺杂更高的载流子浓度。; 席丽丽邱雨婷史讯杨炯陈立东杨继辉张文清; 关键词：方钴矿第一性原理热电材料