杨继辉
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：华盛顿大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会科研基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- “材料基因组”方法加速热电材料性能优化被引量：1
- 2015年
- 通过材料计算、数据库技术的整合与协同,可以快速甄别决定材料性能的基本关键因素,将这种方法用于材料的性能优化和新材料的设计,可以实现科学化"系统寻优"的材料基因组方法,显著加快热电材料的设计与性能优化。以填充方钴矿材料和类金刚石结构化合物为例,从电子和声子优化的不同角度,采用材料基因组方法从成百上千种可能性中快速筛选和制备出高性能热电材料,展示了材料基因组方法可显著加速热电材料研究的能力。
- 史迅杨炯陈立东杨继辉张文清
- 关键词：热电材料
- CoSb_3基方钴矿化合物的Ga,In掺杂及相关复杂缺陷的研究被引量：3
- 2015年
- 通过第一性原理与热力学结合的方法,研究了Ga,In等掺杂的Co Sb3基方钴矿化合物中的复杂缺陷问题。详细计算了Ga,In在Co Sb3中填充,Co,Sb位置替换以及填充-替换同时共存等缺陷的形成能。研究结果表明,缺陷形成能与费米能级、化学势等相关。Ga,In等在方钴矿中不是单纯的填充,而是填充和Sb位置替换同时共存的复杂缺陷。Ga掺杂以填充-替换比例2∶1的缺陷为主,而In掺杂,根据不同的条件可形成填充,替换,以及不同比例的填充替换复合缺陷,其中尤其以4∶2和2∶1最多。根据巨正则系宗,研究了Ga,In掺杂系统的载流子浓度和各缺陷的浓度。发现Ga,In掺杂的方钴矿由于填充和替换电荷的自补偿效应,其载流子浓度较低,尤其是Ga填充,具有类似本征半导体的低载流子浓度,且得到实验证实。In掺杂系统由于填充替换的比例偏离2∶1,填充位置的In比Ga的稍高一些,因此具有比Ga掺杂更高的载流子浓度。
- 席丽丽邱雨婷史讯杨炯陈立东杨继辉张文清
- 关键词：方钴矿第一性原理热电材料
