您的位置: 专家智库 > >

柳毅

作品数:10 被引量:26H指数:3
供职机构:复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市博士后基金湖南省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇发光
  • 5篇多孔硅
  • 3篇电化学腐蚀
  • 3篇化学腐蚀
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学制备
  • 2篇微结构
  • 2篇纳米
  • 2篇化学制备
  • 2篇发光多孔硅
  • 1篇电化学反应
  • 1篇电流
  • 1篇电致发光
  • 1篇多孔硅微腔
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光光谱
  • 1篇直流
  • 1篇直流电
  • 1篇直流电流
  • 1篇色纯

机构

  • 10篇复旦大学
  • 2篇长沙电力学院
  • 1篇长沙理工大学
  • 1篇湖南大学
  • 1篇西南师范大学

作者

  • 10篇柳毅
  • 7篇侯晓远
  • 7篇丁训民
  • 5篇熊祖洪
  • 4篇刘小兵
  • 3篇柳玥
  • 3篇史向华
  • 3篇徐少辉
  • 2篇王行军
  • 1篇廖太长
  • 1篇金琦
  • 1篇詹义强
  • 1篇任鹏
  • 1篇柏利慧
  • 1篇王晓军
  • 1篇范洪雷
  • 1篇黄少华
  • 1篇王子君
  • 1篇陈张海
  • 1篇周子平

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇物理实验
  • 1篇Journa...
  • 1篇长沙电力学院...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 5篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2000
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
发光多孔硅材料的制备方法
一种采用脉冲电化学腐蚀制备发光多孔硅材料的方法。传统的多孔硅电化学制备方法是采用直流电流腐蚀的方法。在腐蚀过程中,电化学反应主要集中在多孔硅硅孔的底部,反应生成的化学产物容易沉积在硅孔中,阻止反应的进一步进行,导致直流腐...
侯晓远范洪雷柳毅熊祖洪丁训民
文献传递
电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔被引量:8
2002年
用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6
徐少辉熊祖洪顾岚岚柳毅丁训民侯晓远
关键词:多孔硅微腔光致发光
多孔硅的微结构对其Raman谱的影响被引量:1
2004年
 用场发射扫描电子显微镜研究了用直流化学腐蚀和脉冲电化学腐蚀方法制备的多孔硅(PS)的微结构,观察并测试了孔洞的垂直度、深度以及洞宽(直径),对PS的纵向微结构进行了二次电子图像和背散电子图像的分析。使用高灵敏的共焦显微Raman系统研究了纵向的Raman谱,同时分析了微结构对纵向Raman效应的影响。
刘小兵史向华柳毅柳玥王行军丁训民侯晓远
关键词:多孔硅RAMAN谱微结构
多孔硅薄膜纵向分辨Raman谱研究
2003年
采用高灵敏度的micro Raman系统研究了多孔硅(PS)在纵向的Raman效应,并研究了多孔硅尺寸对Raman谱的影响.实验中采用脉冲电化学腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备PS样品,纵向Raman光谱的结果表明,在纵向不同深度,用脉冲电化学腐蚀方法制备的PS,Raman光谱不存在频移,而用直流电化学腐蚀方法制备的PS在多孔层深度为70~90μm处的Raman光谱有向低波数方向约40cm-1的移动,它是由于常规电化学腐蚀方法制备的PS不同深度的尺寸分布对量子效率的影响引起的.
刘小兵史向华柳毅柳玥王行军丁训民侯晓远
关键词:发光机理
集成I/V变换器与除法器在光学实验中的应用
2000年
在光学实验的光强测量中,运用集成I/V变换器和除法器组成双光路测量装置,不但可以取代老式的检测显示仪表(如光电检流计),克服其缺点,实现数字化检测显示,便于与微机连接.而且可以消除由于光源光强不稳产生的测量误差,具有一定的实用价值.
金琦柳毅周子平
关键词:光学实验
发光多孔硅材料的制备方法
一种采用超声电化学腐蚀制备发光多孔硅材料的方法。传统的多孔硅电化学制备方法是采用加直流电流或脉冲电流的方法。直流电流腐蚀方法制备的多孔硅材料有表面硅孔分布不均匀,孔径比较大,界面不平整,腐蚀效率不高等缺点。脉冲电化学腐蚀...
侯晓远柳毅熊祖洪徐少辉柳玥刘小兵丁训民
文献传递
硅基纳米发光材料—多孔硅的制备工艺及多孔硅光子晶体的研究
该论文的主要工和集中于对硅片的腐蚀抛光特性研究,多孔硅制备的前端工作——制备工艺研究以及基于多孔硅基础上的多孔硅光子晶体的制备方法、形貌特性的初步研究.该论文的主要工作如下:一、对于硅基衬底的单面抛光特性研究.二、利用多...
柳毅
关键词:多孔硅光子晶体发光材料纳米材料
文献传递
声空化物理化学综合法制备发光多孔硅薄膜的微结构与发光特性被引量:10
2005年
声空化所引发的特殊的物理、化学环境为制备高效发光的多孔硅薄膜提供了一条重要的途径 .实验结果表明 ,声化学处理对于改善多孔硅的微结构 ,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术 .超声波加强阳极电化学腐蚀制备发光多孔硅薄膜 ,比目前通用的常规方法制备的样品显示出更优良的性质 .这种超声的化学效应源于声空化 ,即腐蚀液中气泡的形成、生长和急剧崩溃 ,在多孔硅的腐蚀过程中 ,孔中的氢气泡 ,由于超声波的作用增加了逸出比率和塌缩 ,有利于孔沿垂直方向的腐蚀 .
刘小兵史向华廖太长任鹏柳玥柳毅熊祖洪丁训民侯晓远
关键词:发光特性塌缩微结构声化学硅薄膜
电致发光色纯性增强的硅基有机微腔被引量:11
2003年
报道了硅基有机微腔的电致发光 (EL) .该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜(PS DBR)组成 .半透明金属膜由Ag( 2 0nm)构成 ,充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜 .有源多层膜由Al ( 1nm) LiF( 0 5nm) Alq3 Alq3:DCJTB NPB CuPc ITO SiO2 组成 ,其中的Al LiF为电子注入层 ,ITO为正电极 ,SiO2 为使正、负电极电隔离的介质层 .该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的 ;该PS DBR的反射谱的高反射区 (阻止带 )宽 160nm且其反射率可达 99% .此硅基有机多层膜的反射谱图中出现了标志此结构为微腔的共振腔膜 .被测样品EL谱的半高宽可由无微腔的 70nm窄化为有微腔时的 12nm ,且为单峰发射 ,非共振模得到有效抑制 ;与非微腔器件相比 ,该微腔在谐振波长处EL的强度增强了 4倍 ;对微腔器件的电流 -亮度 -电压特性以及影响器件寿命的因素也进行了讨论 .
熊祖洪史华忠樊永良张松涛詹义强何钧钟高余徐少辉柳毅王晓军王子君丁训民黄维侯晓远
关键词:电致发光电化学腐蚀
CdSe/ZnSe超薄层中两类量子岛(点)之间的激子转移和它们的光学性质研究
2005年
在变温条件下 ,对CdSe ZnSe超薄层中的两类量子岛 (点 )进行了荧光光谱研究 .在低温时 ,这两类岛之间的激子转移主要是通过隧穿过程 ,而随着温度的升高 ,局域激子的热跳跃逐渐取代隧穿过程成为激子转移的主导机理 .研究还发现 ,小岛是具有准零维光学性质且不同于大岛的纳米团簇 ,它们激子的光学特性之间存在一定的差异 。
王防震陈张海柳毅黄少华柏利慧沈学础
关键词:激子量子隧穿荧光光谱纳米团簇
共1页<1>
聚类工具0