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殷华湘: 作品数：715 被引量：17H指数：2; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>

合作作者

张青竹中国科学院微电子研究所
秦长亮中国科学院微电子研究所
赵超清华大学
朱慧珑清华大学
李俊峰清华大学

作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域

文献类型

689篇专利
21篇期刊文章
2篇会议论文
2篇科技成果
1篇学位论文

领域

152篇电子电信
17篇自动化与计算...
5篇理学
2篇核科学技术
2篇文化科学
1篇矿业工程
1篇金属学及工艺
1篇机械工程
1篇电气工程
1篇交通运输工程
1篇一般工业技术

主题

322篇半导体
244篇半导体器件
189篇沟道
166篇栅极
157篇刻蚀
117篇晶体管
115篇衬底
96篇纳米
94篇鳍片
84篇侧墙
82篇介质层
73篇迁移率
70篇金属栅
67篇纳米线
64篇堆叠
59篇叠层
57篇掺杂
56篇场效应
51篇场效应晶体管
49篇阻挡层

机构

714篇中国科学院微...
11篇中国科学院大...
5篇贵州大学
2篇北京有色金属...
1篇北方工业大学
1篇清华大学
1篇河北工业大学
1篇中国科学院
1篇中国科学院微...
1篇有研科技集团...

作者

715篇殷华湘
155篇张青竹
133篇秦长亮
131篇赵超
130篇朱慧珑
115篇李俊峰
111篇陈大鹏
103篇徐秋霞
81篇王文武
79篇王桂磊
69篇马小龙
67篇许高博
58篇李俊杰
48篇李永亮
43篇罗军
42篇叶甜春
33篇洪培真
29篇杨涛
28篇曹磊
28篇尹海洲

传媒

5篇真空科学与技...
3篇Journa...
3篇微纳电子技术
2篇半导体光电
1篇半导体技术
1篇电子学报
1篇光子学报
1篇稀有金属
1篇传感技术学报
1篇微电子学
1篇电子元件与材...
1篇中国科技成果
1篇第十二届全国...
1篇第十二届全国...

年份

28篇2024
58篇2023
48篇2022
56篇2021
59篇2020
72篇2019
66篇2018
68篇2017
92篇2016
32篇2015
69篇2014
39篇2013
16篇2012
1篇2008
1篇2006
1篇2005
1篇2004
3篇2003
2篇2002
2篇2001

共 715 条记录，以下是 1-10

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排序方式：

一种绝缘体上半导体结构及其抗总剂量辐照加固方法: 本发明涉及一种绝缘体上半导体结构及其抗总剂量辐照加固方法。一种绝缘体上半导体结构，由下至上包括：半导体衬底，第一绝缘层，电子捕获层，第二绝缘层，所述电子捕获层与所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的材料不同，半导体层，其中，所...; 颜刚平许高博毕津顺习凯李博殷华湘王文武; 文献传递

垂直纳米线晶体管与其制作方法: 本申请提供了一种垂直纳米线晶体管与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供包括衬底与位于衬底上的多个间隔的纳米线的基底，各纳米线包括子纳米线，各子纳米线包括第一端部、中间部和第二端部；步骤S2，形成栅介质层与栅极；步骤...; 殷华湘张青竹张兆浩许高博; 文献传递

一种半导体器件及其制造方法: 本申请提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，设置于衬底一侧的源极、漏极、栅极和沟道结构，沟道结构包括多个纳米片形成的叠层，栅极环绕纳米片。沟道结构和源极以及漏极之间分别具有隔离结构，这样就可以利用隔离结构...; 张青竹桑冠荞殷华湘李庆坤田国良秦旭磊

半导体器件及其制造方法: 一种半导体器件，包括：多个鳍片结构，在衬底上沿第一方向延伸；栅极堆叠结构，在衬底上沿第二方向延伸，跨越多个鳍片结构，其中栅极堆叠结构包括栅极导电层和栅极绝缘层，栅极导电层由掺杂的多晶半导体构成；沟道区，多个鳍片结构中位于...; 殷华湘张永奎赵治国陆智勇朱慧珑; 文献传递

半导体器件制造方法: 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙；以栅极侧墙和假栅极堆叠结构为掩模，刻蚀鳍片，形成源漏区沟槽；执...; 殷华湘秦长亮马小龙王桂磊朱慧珑; 文献传递

多栅器件的形成方法: 一种多栅器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行刻蚀以形成凸出的鳍部；对所述鳍部底部的半导体衬底进行刻蚀，在所述鳍部和半导体衬底之间形成空隙；形成介质层，覆盖所述半导体衬底和鳍部，并填充所述空隙；对所述...; 殷华湘徐秋霞陈大鹏; 文献传递

S/D Extension区超浅结的制备和大晶粒硅栅抑制硼穿透的工艺研究: 殷华湘; 关键词：固体电路超浅结氧化层

半导体器件: 本发明提供了一种半导体X线探测器及其制造方法，将PIN接触层过孔之于像素单元的侧边，可以减少铟柱(包括UBM粘附层)封装工艺对PIN二极管器件电学特性的影响，避免金属钉刺现象，减少漏电流；同时，侧边接触结构可以降低PIN...; 殷华湘贾云丛袁烽陈大鹏; 文献传递

半导体器件及其制造方法: 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的多个栅极堆叠结构、每个栅极堆叠结构两侧的多个栅极侧墙结构、每个栅极侧墙结构两侧衬底中的多个源漏区，多个栅极堆叠结构包括多个第一栅极堆叠结构和多个第二栅极堆叠结构，其特征在于：...; 殷华湘闫江陈大鹏; 文献传递

半导体器件及其制造方法: 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成多个鳍片，其中鳍片沿第一方向延伸并且具有类菱形截面；在每个鳍片上形成栅极堆叠结构，栅极堆叠结构横跨多个鳍片并且沿第二方向延伸；其中，每个鳍片中位于栅极堆叠结构下方的部...; 马小龙殷华湘许淼朱慧珑; 文献传递

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