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朱慧珑

作品数：1,182 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 1,174篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 208篇电子电信
  • 40篇自动化与计算...
  • 4篇经济管理
  • 4篇文化科学
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 811篇半导体
  • 543篇半导体器件
  • 377篇沟道
  • 300篇堆叠
  • 300篇衬底
  • 242篇电子设备
  • 184篇导体
  • 171篇栅极
  • 165篇介质层
  • 154篇晶体管
  • 154篇半导体结构
  • 131篇鳍片
  • 121篇源区
  • 119篇侧墙
  • 113篇刻蚀
  • 92篇背栅
  • 90篇掺杂
  • 81篇纳米
  • 81篇存储器
  • 66篇叠层

机构

  • 1,181篇中国科学院微...
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 1,182篇朱慧珑
  • 353篇尹海洲
  • 299篇骆志炯
  • 232篇梁擎擎
  • 188篇钟汇才
  • 130篇殷华湘
  • 73篇赵超
  • 66篇许淼
  • 61篇罗军
  • 38篇王桂磊
  • 37篇朱正勇
  • 34篇王文武
  • 33篇徐秋霞
  • 32篇张永奎
  • 30篇叶甜春
  • 29篇赵治国
  • 28篇秦长亮
  • 28篇张严波
  • 26篇马小龙
  • 22篇李俊杰

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇大学物理
  • 1篇微电子学
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇科技创新导报

年份

  • 13篇2024
  • 48篇2023
  • 40篇2022
  • 57篇2021
  • 62篇2020
  • 92篇2019
  • 71篇2018
  • 72篇2017
  • 155篇2016
  • 91篇2015
  • 159篇2014
  • 129篇2013
  • 128篇2012
  • 59篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇1985
共 1,182 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；依次叠置在衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，第一源漏层与沟道层之间和/或沟道层与第二源/漏层之间具有晶体晶面和...
朱慧珑
半导体器件
公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的半导体鳍状结构；以及在鳍状结构侧壁上形成的掺杂剂层，其中，掺杂剂层的顶面低于半导体鳍状结构的顶面；以及在鳍状结构中形成且位置与掺杂剂层相对应的穿通阻...
朱慧珑许淼梁擎擎尹海洲
文献传递
石墨烯器件
本发明实施例公开了一种石墨烯器件，包括多条石墨烯通道及栅，其中，所有石墨烯通道的一端连接在同一个端点，所有石墨烯通道与栅接触电连接，石墨烯通道与栅的夹角互不相同。由于不同的石墨烯通道的入射波角度不同，使每条石墨烯通道具有...
梁擎擎钟汇才朱慧珑金智刘新宇陈大鹏叶甜春
文献传递
混合沟道半导体器件及其形成方法
一种混合沟道半导体器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供第一半导体层，包括NMOS区域和PMOS区域，其表面覆盖有第二半导体层，它们中的一个对电子的传导率高于对空穴的传导率，另一个对空穴的传导率高于对电子的传导率；在N...
尹海洲朱慧珑骆志炯
FinFET及其制造方法
公开了一种FinFET及其制造方法。该制造FinFET的方法包括：在半导体衬底上形成第一半导体层；在第一半导体层上形成第二半导体层；在第二半导体层上形成顶部保护层；图案化第二半导体层以形成半导体鳍片；在半导体鳍片的侧面形...
朱慧珑许淼梁擎擎尹海洲
文献传递
半导体器件及其制造方法
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的鳍片，所述鳍片通过半导体层接于所述衬底；以及跨于所述鳍片上的栅堆叠，其中，所述鳍片和所述半导体层具有不同的材料，且两者相对于彼此具有刻蚀选择性...
朱慧珑尹海洲骆志炯
文献传递
具有夹层的垂直U型栅极TFET的设计
2021年
通过使用工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真技术提出了一种新型的带有夹层的垂直U型栅极隧穿场效应晶体管(TFET)结构。该器件是通过优化基于Ge的栅极金属核垂直纳米线TFET结构获得的。通过在沟道中增加重掺杂夹层,器件的平均亚阈值摆幅(SS_(avg))得到了改善;又通过改变器件的源极和漏极材料,器件的开关电流比(I_(on)/I_(off))得到了改善。对夹层的掺杂浓度和厚度以及沟道的高度也进行了优化。最终优化后的器件开态电流为220μA/μm,关态电流为3.08×10^(-10)μA/μm,SS_(avg)为8.6 mV/dec,表现出了优越的性能。与初始器件相比,该器件的SS_(avg)减小了77%,I_(on)/I_(off)增加了两个数量级以上。此外,提出了针对该器件的可行的制备工艺步骤。因此,认为该器件是在超低功耗应用中非常具有潜力的候选器件。
郭浩朱慧珑黄伟兴
具有C形有源区的半导体装置及包括其的电子设备
公开了一种具有C形有源区的半导体装置及包括这种半导体装置的电子设备。根据实施例，半导体装置可以包括在衬底上彼此相对的第一器件和第二器件。第一器件和第二器件各自可以包括：衬底上竖直延伸的沟道部；相对于衬底处于沟道部的上下两...
朱慧珑
纳米线、纳米线围栅器件以及纳米孔筛的制备方法
本发明提供了一种纳米线、纳米线围栅器件以及纳米孔筛的制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，提供表面设置有凸台的衬底，凸台包括沿远离衬底的方向层叠设置的第一材料层与第二材料层；S2，使反应气体吸附于凸台表面形成吸附层，利...
李俊杰李永亮周娜杨涛张青竹王桂磊李俊峰吴振华殷华湘朱慧珑王文武
文献传递
半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；依次叠置在衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层；以及绕沟道层的外周形成的栅堆叠，其中，沟道层包括靠近其外周表面的沟道区以...
朱慧珑
文献传递
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