您的位置： 专家智库 > >

毛凌锋

作品数：37 被引量：26H指数：3
供职机构：苏州大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 33篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 13篇氧化层
  • 9篇薄栅
  • 8篇栅氧化
  • 8篇栅氧化层
  • 8篇超薄
  • 7篇英文
  • 7篇晶体管
  • 7篇超薄栅
  • 6篇隧穿
  • 6篇场效应
  • 6篇场效应晶体管
  • 5篇MOS结构
  • 4篇载流子
  • 4篇直接隧穿
  • 4篇热载流子
  • 4篇热载流子应力
  • 4篇薄栅氧化层
  • 4篇FN振荡电流
  • 4篇MOS器件
  • 4篇超薄栅氧化层

机构

  • 18篇北京大学
  • 18篇苏州大学
  • 1篇宿迁学院
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇飞索半导体

作者

  • 37篇毛凌锋
  • 17篇许铭真
  • 17篇谭长华
  • 9篇王子欧
  • 8篇卫建林
  • 6篇霍宗亮
  • 6篇朱灿焰
  • 4篇汪一鸣
  • 4篇杨国勇
  • 4篇季爱明
  • 4篇张立军
  • 4篇王金延
  • 3篇陈智
  • 3篇李亦清
  • 3篇李有忠
  • 3篇李海霞
  • 2篇穆甫臣
  • 2篇张贺秋
  • 2篇刘家胜
  • 2篇钱兰君

传媒

  • 15篇Journa...
  • 3篇半导体技术
  • 2篇微电子学与计...
  • 2篇微电子学
  • 2篇电子设计工程
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇电子与封装
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 6篇2003
  • 2篇2002
  • 8篇2001
  • 2篇2000
共 37 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种用于分离pMOS器件热载流子应力下氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对阈值电压退化作用的方法(英文)
2003年
在电荷泵技术的基础上 ,提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对 p MOS器件热载流子应力下的阈值电压退化的作用 ,并且这种方法得到了实验的验证 .结果表明对于 p MOS器件退化存在三种机制 :电子陷阱俘获、空穴陷阱俘获和界面陷阱产生 .需要注意的是界面陷阱产生仍然是 p MOS器件热载流子退化的主要机制 ,不过氧化层陷阱电荷的作用也不可忽视 .
杨国勇王金延霍宗亮毛凌锋谭长华许铭真
关键词：MOS器件氧化层陷阱热载流子退化阈值电压
表面粗糙对石墨烯场效应晶体管电流的影响被引量：1
2012年
建立了单栅石墨烯场效应晶体管处于栅氧化层界面平整时的电流模型,在此基础上分析氧化层界面粗糙度对源漏电流的影响.研究表明:粗糙界面会导致源漏电流有所下降;且粗糙度越大,源漏电流下降越多.
陈智王子欧李亦清李有忠毛凌锋
关键词：石墨烯场效应晶体管电流
Si能带的非抛物线性对MOSFET电子输运的影响被引量：1
2008年
随着器件尺寸的进一步减小,Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要。在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上,研究了非抛物线因子对沟道电子输运的影响。研究表明,非抛物线因子对小尺寸器件输运电流的影响大,而对大尺寸器件输运电流的影响不明显,这意味着对于深亚微米MOSFET必须考虑非抛物线因子对器件电子输运的影响。
李海霞毛凌锋
关键词：速度过冲
一种基于图像处理的双目视觉校准方法被引量：5
2015年
双目视觉是利用机器视觉进行障碍物检测的研究热点。针对双目视频不同步,导致立体匹配不精准的问题,提出了一种基于图像处理的双目校准算法。算法首先根据道路的先验特征模型,建立视觉校准的敏感区域,以减小计算量。然后对图像的灰度进行聚类,并通过边缘检测和形态学处理来检测道路中的目标物,从而确定动目标与固定物的距离,搜索同步视频帧,实现双目校准。室外真实场景的实验结果表明,该算法可以较好地校准双目视觉,从而使立体匹配更精准。
戴玉艳朱灿焰季爱明毛凌锋
关键词：双目视觉图像处理聚类算法校准方法
深亚微米器件中氧空位对栅漏电流的影响
2011年
描述了影响硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介绍了氧空位的概念,分析计算了随机氧空位对栅漏电流的影响。模拟结果表明:当氧空位在栅氧化层中随机变化时,引起的栅漏电流的变化是在一定值附近上下波动;栅漏电流随氧化层厚度的减小而增大,因此,在小尺寸器件中,必须考虑氧空位对栅漏电流的影响。但当厚度在特定值及特定电场下时,单个氧空位引起的栅漏电流增加可以忽略。
李海霞毛凌锋查根龙
关键词：氧空位深亚微米器件
采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计被引量：1
2014年
给出了一种设计低功耗静态随机存储器(SRAM)的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗。该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间,当NMOS打开时SRAM进行正常的读写操作,而NMOS关闭则会将源极电压抬高至钳位电压,降低漏电流的同时保证了数据的稳定性;对SRAM结构进行独特的布局,引入Z译码电路,极大地减少每次操作时激活的存储单元数量,明显降低动态功耗;将power-gating技术与高阈值(highV_(th))器件相结合的低功耗设计应用于外围电路,进一步降低漏电流。基于UMC 55nm SP CMOS工艺制造了包含多个SRAM实例(instance)的测试芯片,测试结果证明了该技术的有效性与可靠性。
张立军吴晨王子欧毛凌锋
关键词：低功耗钳位二极管漏电流
一种调制类型识别方法及系统
本申请公开了一种调制类型识别方法及系统。一种调制类型识别方法，包括：对MQAM信号进行预处理，得到处理后的MQAM信号和码元间隔；参考码元间隔，将同一码元间隔内的处理后的MQAM信号变换到相空间域，对该变换后的MQAM信...
朱灿焰毛凌锋汪一鸣季爱明张立军钱兰君
文献传递
超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流(英文)被引量：2
2002年
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管 (MOSFET)隧穿电流的影响 .中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱 .对于不同的势垒变化 ,计算了电子隧穿氧化层厚度为 4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流 .结果表明 ,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略 ,中性陷阱的存在使隧穿电流增加 ,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制 .
张贺秋毛凌锋许铭真谭长华
关键词：超薄氧化层隧穿电流场效应晶体管
有限精度下混沌扩频序列的周期特性
研究了有限精度下混沌扩频序列的产生方法,详细分析了有限字长量化方法产生混沌扩频序列的周期特性,定义了描述混沌序列周期特性的混沌相似函数,在此基础上,提出了一种具有变换控制的多级量化方法。为了定量说明所提出方法改善混沌序列...
朱灿焰刘家胜汪一鸣毛凌锋
关键词：混沌序列置乱
文献传递
电场对含空位缺陷硅结构影响的第一性原理研究
2018年
用分子动力学模拟和第一性原理计算分析方法,研究电场对含空位缺陷硅结构的影响。分子动力学结果表明,硅(100)晶面处的空位数量,总体随着电场强度的增强而增加。当电场在8.90×10~6 V/cm和1.35×10~7 V/cm之间时,空位数达到最大饱和数值10,并保持稳定。第一性原理计算结果表明,能带结构中的缺陷能级等效于降低价带和导带之间的带隙值,导致空位结构中隧穿电流变大。此外,缺陷能级也会导致空位结构中的静态介电常数变大,从而引起电容-电压特性值变大。
秦汉盛洁李雷朱灿焰毛凌锋
关键词：硅晶体电场空位缺陷带隙电容-电压特性
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0